Oled用覆膜基板、用其制备oled显示器件的方法和oled显示器件的利记博彩app
【专利说明】OLED用覆膜基板、用其制备0LED显示器件的方法和0LED
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技术领域
[0001]本发明涉及0LED显示器生产领域，具体地，涉及0LED用覆膜基板、用其制备0LED显示器件的方法、以及0LED显示器件。
【背景技术】
[0002]在0LED显示器件如显示面板的生产中，一般地，采用在基板上形成各功能元件(如层状功能元件或称为功能层)的方法。常见的基板是玻璃等。例如，在玻璃基板上，蒸镀有机电致发光薄膜和阴极金属薄膜，从而形成0LED显示器件。当基板尺寸较大时，例如在制备0LED电视显示器时(例如，G6:1.5mXl.85m ；G8.5:2.2mX 2.5m)，为了克服基板自身受重力作用产生弯曲，在生产线上需要采用搬送系统。
[0003]静电吸附式搬送系统由于产生的静电电场强度较大对薄膜晶体管有损伤，因此一般选取非静电吸附的粘附衬垫(pad) +底座(base)作为搬送系统。具体地，例如，可以利用粘附衬垫将玻璃基板粘附在底座表面，以搬送、运输玻璃基板。
[0004]然而，在蒸镀制程结束之后，一般需要顶针(pin)分离动作将基板与底座分离开来，即通过在某些点用顶针将基板从底座上顶起分离。由于蒸镀过程中底座移动会在基板背面产生电荷积累，因此顶针分离时，基板与顶针接触的区域会产生尖端放电，同时，该区域还受到顶针向上的挤压应力，两者共同作用会造成基板元件侧的薄膜晶体管的损伤。最终，在点亮制得的显示面板时，会产生显示器亮度不均。在本文中，将这种亮度不均称为顶针位置亮度不均。
[0005]为了解决顶针分离方式造成显示器亮度不均的问题，已经发展了一些方法。例如，可以将顶针位置设置在显示面板的有效显示区域(active area)之外。然而，如果采用将顶针移出面板有效显示区域的方式消除亮度不均，会因顶针点位固定而使生产线无法对应全尺寸产品(只能对应少数几种尺寸的产品)。而且接触点位所处区域的静电击伤无法消除。如果该区域对应扇出区，则可能造成不良；若处于面板之外，又浪费了基板面积。
[0006]因此，在0LED显示器件的生产中，仍需要克服大尺寸基板制备过程中的尖端放电和应力集中导致的成品亮度不均问题的手段。
【发明内容】
[0007]为了解决上述问题，本发明提供如下内容:
[0008][1] 一种0LED显示器件的覆膜基板，其中所述覆膜基板由基板和在其底面上的导电层构成。
[0009][2]根据[1]所述的覆膜基板，其中，所述导电层是透明的。
[0010][3]根据[1]所述的覆膜基板，其中，所述基板是玻璃。
[0011][4]根据[1]所述的覆膜基板，其中，所述导电层为金属氧化物导电薄膜、有机导电薄膜、碳纳米管、石墨稀、金属栅网、金属纳米线或超薄金属薄膜。
[0012][5]根据[4]所述的覆膜基板，其中，所述导电层为IT0、IZ0、IGZ0、Zn0SPED0T。
[0013][6]根据[1]所述的覆膜基板，其中，所述导电层的厚度为0.1纳米至10微米。
[0014][7]根据[6]所述的覆膜基板，其中，所述导电层的厚度为10纳米至1微米。
[0015][8] 一种制备0LED显示器件的方法，其中使用[1]所述的覆膜基板作为所述0LED显示器件的基板，使得在所述0LED显示器件制备过程中与所述覆膜基板接触的设备机构与所述覆膜基板的有导电层的一面接触，在无导电层的一面上形成所述0LED显示器件的功能元件。
[0016][9]根据[8]所述的方法，其中所述覆膜基板作为所述0LED器件的上顶盖和/或下顶盖。
[0017][10]根据[8]所述的方法，其中所述设备机构是顶针、吸盘或滚轮。
[0018][11]根据[8]所述的方法，其中使用底座搬送系统搬送所述覆膜基板，所述覆膜基板导电层向下，安置于所述底座搬送系统上的粘附衬垫上；搬送并形成所述各功能元件后，用顶针方式在导电层侧顶起所述覆膜基板，使所述覆膜基板与所述底座分离。
[0019][12]根据[8]所述的方法，包括以下步骤:
[0020]在未覆膜基板的一侧上形成所述0LED显示器件的所述功能元件中的一部分；
[0021]在所述未覆膜基板的未形成功能元件的一侧上设置导电层，以形成[1]所述的覆膜基板；
[0022]将所述覆膜基板安置在所述底座搬送系统的粘附衬垫上，其中所述导电层与所述粘附衬垫接触；
[0023]在所述覆膜基板的功能元件侧形成所述0LED显示器件的所述功能元件中的其余部分；
[0024]用顶针方式在导电层侧顶起所述覆膜基板，使所述覆膜基板与所述底座分离。
[0025][13] 一种包含根据[1]所述的覆膜基板的显示器件。
[0026]在本发明的一个方面中，通过在顶针分离过程前提前在基板的将与顶针接触的面(即底面)上制备一层导电层而形成覆膜基板。这样，在顶针分离时，该导电层既可以及时将静电传导走，又可以作为应力缓冲层减小局部挤压应力，可以有效消除顶针造成的亮度不均，提高产品的显示品质和良品率。并且，由于顶针位置无需专门设置，因此生产线可以对应全尺寸产品。
[0027]在本文中，术语“底面”指的是基板的不形成功能元件的那一面。作为0LED的基板，其作用是承载各功能元件(如发光元件)，因此各功能元件都形成在基板的同一侧。本文将基板不承载功能元件的那一面称为底面，以便于将本发明的覆膜基板与在功能元件面上形成有导电层的与本发明无关的基板区分开来。
[0028]优选地，所述导电层是透明的。尤其当基板为底发射器件的基板时，光要从基板透出，因此导电层必须是透明的。当然，如果基板为顶发射器件的基板，其可以是透明的，也可以是不透明的。
[0029]优选地，所述基板可以为玻璃。玻璃基板是本领域利用最为广泛的基板，并且其特别适用于底座-顶针搬送系统。
[0030]优选地，所述导电层为金属氧化物导电薄膜、有机导电薄膜、碳纳米管、石墨烯、金属栅网、金属纳米线、超薄金属薄膜等。一般讲来，只要该导电层导电即可起到消除尖端放电作用。上述几种导电层可以同时满足导电和减轻挤压的要求，并且是本领域中研究和使用得较多的结构，制备工艺更加成熟，可以在不对生产线进行过多改进、不更多增加成本的情况下达成技术效果。
[0031]更优选地，所述金属氧化物导电薄膜可以为IT0、IZ0、IGZ0或ZnO薄膜。这些薄膜是透明导电氧化物(TC0)，兼具导电性和透明性，并且机械性能也适于作为机械缓冲层。在有机导电薄膜中，ΡΗ)0Τ是优选的。
[0032]优选地，所述导电层的厚度为0.1纳米至10微米。当低于0.1纳米时，导电层的导电能力不足。当高于10微米时，消耗材料过多，制备时间长，在成本方面不利。并且当导电层为透明层时，若厚度高于10微米时，导电层的透明度不足。更优选范围为10纳米至1微米。当低于范围10纳米时，缓解挤压的能力较差。
[0033]本发明特别优选的覆膜基板是以玻璃为基板，以ΙΤ0(氧化铟锡)、ΙΖ0(氧化铟锌)、IGZ0(氧化铟镓锌)、Ζη0(氧化锌)、PED0T(聚乙烯二氧噻吩)、金属栅网(metalgrids)、碳纳米管(CNT)、石墨烯、金属纳米线或超薄金属薄膜为导电层，导电层的厚度为10纳米至1微米。
[0034]本发明的第二方面提供了制备0LED显示器件方法，所述方法包括使用本发明的覆膜基板。
[0035]具体地，在制备中使有导电层的一面与设备机构接触，以消除静电和挤压的影响。在无导电层的一面形成功能元件等。
[0036]优选地，以覆膜基板作为0LED的上顶盖或下顶盖，即所有功能元件都形成在覆膜基板的无导电层的一侧。
[0037]本发明的覆膜基板可用于顶针分离机构。其同样可用于吸盘、滚轮等其他设备机构接触，也可以起到释放静电和缓冲局部挤压应力的作用。本发明的制备方法特别有利于包括顶针过程的制备流程。
[0038]优选地，覆膜基板的导电层向下，面向搬送基板的底座搬送系统，安置于底座的粘附衬垫上，在搬送并形成各功能元件后，用顶针方式在导电层侧顶起所述覆膜基板，使覆膜基板与底座分尚。
[0039]优选地，通过以下步骤制备0LED显示器件:在未覆膜基板的一侧上形成所述0LED显示器件的功能元件中的一部分；在所述未覆膜基板的未形成功能元件的一侧上设置导电层，以形成根据权利要求1所述的覆膜基板；将所述覆膜基板的导电层侧安置在底座搬送系统上；在所述覆膜基板的功能元件侧形成所述0LED显示器件的功能元件中的其余部分；用顶针方式在导电层侧顶起所述覆膜基板，使所述覆膜基板与所述底座分离。
[0040]本发明的第三方面提供了包含本发明的覆膜基板的显示器件。
[0041]该覆膜基板适用于大尺寸显示器的生产，但不限于此。在中小尺寸0LED显示器件如手机屏、笔记本电脑屏、监视器屏、平板电脑屏的制程中，也可以使用本发明的覆膜基板。
[0042]该覆膜基板涉及的结构制程简单，仅增加一层导电层而不需要额外工艺，便解决了前述技术问题。该导电层层不限于用溅射方式制作，也可以用热蒸发、电子束蒸发、喷墨、滚筒至滚筒转印、旋涂等方式制作。
[0043]本发明的方法可以用于背板制程中，包括a -Si背板、氧化物半导体背板、LTPS背板等。
[0044]附图简述
[0045]图1是本发明的覆膜基板的一个实施方案的剖面图。
[0046]图2是显示本发明的一个显示器件的实施方案的剖面图。
[0047]图3是顶针过程的示意图。
[0048]图4显示了底座、顶针和显示器件的相互位置示意图。
[0049]图5示出了根据本发明的一个实施方案，使用ΙΖ