Tsv通孔的制作工艺方法及多种孔深的盲孔或tsv通孔的制作工艺方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种TSV通孔的制作工艺方法。
【背景技术】
[0002]随着半导体技术的发展，集成电路的特征尺寸不断缩小，器件互连密度不断提高。传统的二维封装已经不能满足业界的需求，因此基于TSV垂直互连的转接板封装方式以其短距离互连，高密度集成以及低成本的关键技术优势，逐渐引领了封装技术发展的趋势。
[0003]TSV转接板技术主要工艺是在转接板的正面开TSV，再布线和植球。有的技术则直接利用TSV做通道，可以作为MEMS或者微流控器件的物质传输通道。并且在光通信领域，该大孔的TSV通道则可以实现从晶圆背面插入光纤，从而把光信号引入到晶圆正面的功能。转接板通孔的直径很大，孔侧壁几乎垂直，后续的光刻涂胶会发生侧壁光刻胶脱落，孔深对孔底部曝光显影等不能保证效果，孔深对最后的去胶清洗等工艺也较为不利。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于克服现有技术中存在的不足，提供一种TSV通孔的制作工艺方法，以及一种相关的多种孔深的盲孔或TSV通孔的制作工艺方法，先在晶圆硅表面沉积阻挡层，用阻挡层先预留出通孔位置台阶的方法，优先制作出RDL线槽和焊垫槽，然后通过CMP工艺对晶圆表面进行研磨，露出台阶，且金属RDL和金属焊垫表面有保护层覆盖，后续直接通过刻蚀工艺移除台阶物质，露出晶圆材质，通过干法刻蚀工艺做出盲孔或TSV通孔，在制作盲孔和TSV通孔时不用涂胶和光刻工艺，保证了工艺的稳定性。本发明采用的技术方案是:
一种TSV通孔的制作工艺方法，包括下述步骤:
步骤S1，提供一晶圆，在晶圆表面沉积阻挡层；
步骤S2，在晶圆表面进行光刻和刻蚀工艺，对阻挡层移除部分不做TSV的区域，使TSV区域处形成阻挡层凸点；
步骤S3，通过光刻和刻蚀工艺，使得晶圆表面形成有RDL线槽的形貌；
步骤S4，然后在晶圆表面沉积绝缘层；
步骤S5，在晶圆表面绝缘层上制作金属层，在RDL线槽中形成金属RDL ;
步骤S6，在晶圆表面金属层上面沉积保护层；
步骤S7，对晶圆表面进行CMP研磨，去除阻挡层凸点上方的保护层、金属层和绝缘层； 步骤S8，对晶圆表面TSV区域剩余的阻挡层凸点材料进行移除，露出晶圆材质；
步骤S9，对晶圆表面进行干法刻蚀工艺，使得露出晶圆材质的TSV区域被刻蚀形成盲孔；
步骤S10，对晶圆背面进行减薄工艺，使得盲孔底部打开，形成TSV通孔。
[0005]进一步地，阻挡层凸点的材料为氧化硅，氮化硅，光阻，高分子薄膜，或金属材料。
[0006]进一步地，步骤S3中，还同时在晶圆表面形成焊垫槽。
[0007]进一步地，步骤S4中，绝缘层材料是氧化硅，氮化硅，光阻，或高分子薄膜。
[0008]进一步地，步骤S6中，保护层材料是氧化硅，氮化硅，光阻，或高分子薄膜。
[0009]进一步地，步骤S8中，通过干法刻蚀或者湿法刻蚀工艺，对上一步CMP研磨后晶圆表面TSV区域的阻挡层凸点材料进行移除。
[0010]本发明还提出一种多种孔深的盲孔或TSV通孔的制作工艺方法，包括下述步骤: 步骤S1'，提供一晶圆，在晶圆表面沉积阻挡层；
步骤S2'，在晶圆表面进行光刻和刻蚀工艺，对阻挡层移除部分不做TSV的区域，使TSV区域处形成多个高低不同的阻挡层凸点；
步骤S3'，通过光刻和刻蚀工艺，使得晶圆表面形成有RDL线槽的形貌；
步骤S4'，然后在晶圆表面沉积绝缘层；
步骤S5,，在晶圆表面绝缘层上制作金属层，在RDL线槽中形成金属RDL ;
步骤S6'，在晶圆表面金属层上面沉积保护层；
步骤S7'，先对最高的阻挡层凸点进行CMP研磨，去除其顶部的一层保护层，然后使用干法或湿法刻蚀的方法去除最高的阻挡层凸点上方的金属层和绝缘层，露出最高的阻挡层凸点；
步骤S8'，通过干法刻蚀或者湿法刻蚀工艺，对露出的最高的阻挡层凸点材料进行移除，露出晶圆材质；
步骤S9'，对晶圆表面进行干法刻蚀工艺，使得露出晶圆材质的TSV区域被刻蚀形成盲孔；在前一个盲孔形成后，用绝缘层材料将该盲孔保护住，再通过CMP进行下一个阻挡层凸点的处理；
然后依据上述步骤S7'?步骤S9'相同的方法，对次高至最低的阻挡层凸点逐一处理，然后对逐次露出晶圆材质的TSV区域通过多次干法刻蚀形成多种深度的盲孔；
步骤S901'，对晶圆表面进行CMP研磨至平整，去除保护层和金属层，保留绝缘层； 步骤S10'，对晶圆背面进行减薄工艺。
[0011]进一步地，步骤S10'中，晶圆背面减薄使得最深的一个盲孔打开成为TSV通孔，其余孔深的盲孔继续保持盲孔形状。
[0012]或:
步骤S10'中，晶圆背面减薄，使得所有的盲孔都继续保持盲孔形状。
[0013]本发明的优点在于:
1)先刻蚀出RDL线槽，再进行盲孔的刻蚀，避免了先刻蚀盲孔再做RDL时，盲孔底部光刻胶曝光困难以及光刻胶在孔侧壁挂不住的问题。
[0014]2)开盲孔之前都是用的CMP工艺，避免了光刻工艺中光刻胶等物质对孔底部和侧壁的污染问题以及孔里面光刻胶物质的残留问题。
【附图说明】
[0015]图1为本发明的工艺中晶圆示意图。
[0016]图2为本发明的工艺中沉积阻挡层示意图。
[0017]图3为本发明的工艺中制作阻挡层凸点示意图。
[0018]图4为本发明的工艺中制作RDL线槽和焊垫槽以及沉积绝缘层示意图。
[0019]图5为本发明的工艺中绝缘层上制作金属层示意图。
[0020]图6为本发明的工艺中沉积保护层示意图。
[0021]图7为本发明的工艺中晶圆表面CMP研磨示意图。
[0022]图8为本发明的工艺中移除阻挡层凸点剩余材料示意图。
[0023]图9为本发明的工艺中刻蚀盲孔示意图。
[0024]图10为本发明的工艺中晶圆背面减薄形成TSV通孔示意图。
【具体实施方式】
[0025]下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。
[0026]本发明提出的TSV通孔的制作工艺方法，包括下述步骤:
步骤S1，提供一晶圆1，如图1所不，在晶圆1表面沉积阻挡层2，如图2所不；
阻挡层2可以是氧化硅，氮化硅等无机材料，也可以是光阻，高分子薄膜等有机材料，也可以是铜锡钛等金属材料，或者是先沉积氧化硅做缓冲层再沉积铜锡钛等金属材料；该阻挡层2可以是一层，也可以是多层；该阻挡层2多层的沉积材料可以是不同种类的；
步骤S2，在晶圆1表面进行光刻和刻蚀工艺，对阻挡层2移除部分不做TSV的区域，使TSV区域处形成阻挡层凸点201 ;如图3所示；阻挡层凸点201对应晶圆1上的TSV区域；此步骤中，先对晶圆1表面进行光刻工艺，使要做TSV的区域有光刻胶保护，然后通过干法或者湿法刻蚀晶圆表面，使阻挡层2表面未被保护的区域整体被移除；去除光刻胶，则TSV区域只剩下阻挡层凸点201 ;此处阻挡层凸点201高度在lOOnm?lOOum ；
如果所制作的盲孔有多种孔深的需求，则此步骤中，形成多个高低不同的阻挡层凸点
201 ；
步骤S3，通过光刻和刻蚀工艺，使得晶圆1表面形成有RDL线槽3和焊垫槽4的形貌；如图4所示；
焊垫槽4是此步骤中可选地，焊垫槽4可以上各种形状的，与RDL线槽3可以是连接的，也可以是分开的，焊垫槽4的深度在lOOnm?300um ；
步骤S4，然后在晶圆1表面沉积绝缘层5 ;如图4所示；该绝缘层5材料可以是氧化硅，氮化硅等无机材料，也可以是光阻，高分子薄膜等有机材料；
步骤S5，在晶圆1表面绝缘层5上制作金属层6，在RDL线槽3中形成金属RDL，以及在可选的焊垫槽4中镀上金属；如图5所示；
此步骤首先在晶圆绝缘层5上面沉积金属种子层，然后电镀金属，在绝缘层5上形成金属层6，同时RDL线槽3中被镀上金属RDL，可选的焊垫槽4中也镀上金属；RDL是重布线层的意思；
步骤S6，在晶圆1表面金属层6上面沉积保护层7 ;如图6所示；
保护层7用来保护金属，该保护层可以是氧化硅