一种反应腔室的利记博彩app
【技术领域】
[0001] 本发明属于微电子加工技术领域，具体涉及一种反应腔室。
【背景技术】
[0002] 由于高效率、高密度的集成电路中的晶体管的数量上升至几千万个，送些数量庞 大的有源元件的信号集成需要多达十层W上的高密度金属互连线，送些金属互连线通常采 用物理气相沉积（Physical Vapor D巧osition，W下简称PVD)的方法沉积金属薄膜实现。
[0003] 图1为现有的PVD设备的反应腔室的结构示意图。请参阅图1，反应腔室10包括 设置在反应腔室顶部的祀材11，其与设置在反应腔室1外部的电源（图中未示出）连接，用 W激发反应腔室内的工艺气体形成等离子体，在祀材11的上方设置旋转磁体12,用W将等 离子体聚集在祀材11的下方，在反应腔室的底部还设置有升降基座13,用于承载基片S，等 离子体轰击祀材11，使祀材11表面的金属原子逸出并沉积在基片S的表面，从而在基片S 的表面形成薄膜。在实际应用中，由于沉积薄膜的速率是随着祀材的消耗变化的，因此，随 着工艺的进行，相同时间内沉积的薄膜厚度并不相同，为保证沉积工艺所需的薄膜厚度，贝U 需要随着工艺的进行对工艺配方中的工艺参数（例如，工艺时间）进行调整。
[0004] 然而，现有技术只能周期性地采用如下方式调整工艺配方；首先根据初始工艺配 方对第一测试片沉积薄膜，沉积完成后将该第一测试片移出反应腔室并使用其他设备检测 沉积的实际薄膜厚度，并判断该实际薄膜厚度与目标厚度是否相等，若否，根据该实际薄膜 厚度和目标厚度来调整工艺配方；之后，再对第二测试片执行修改后的工艺配方，重复执行 上述步骤直至实际薄膜厚度与目标厚度相等，才能根据当前工艺配方继续进行生产，送使 得生产率低且需要耗费测试片，从而造成经济效益低；而且由于不能在完成工艺配方之后 检测基片沉积的实际薄膜沉积厚度并调整工艺配方来使其沉积目标厚度，因而造成良品率 低。
【发明内容】
[0005] 本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种反应腔室，其 可W在完成工艺配方之后检测基片沉积的实际薄膜沉积厚度并调整工艺配方来使其沉积 至目标厚度，从而可W提高良品率；而且不需要采用现有技术中周期性地基于测试片调整 工艺配方的方式，因而不仅可W提高生产率，而且还可W不需要耗费测试片，从而可W提高 经济效益。
[0006] 为解决上述问题之一，本发明提供了一种反应腔室，包括工艺腔、检测腔和传输装 置，其中，所述工艺腔用于对基片进行薄膜沉积工艺；所述检测腔用于检测沉积在基片上的 薄膜厚度；在所述工艺腔与检测腔之间具有使二者相连通、且供基片通过的传片口，所述传 输装置用于通过所述传片口在所述工艺腔和所述检测腔之间传输基片。
[0007] 其中，在所述工艺腔内设置有用于承载基片的升降基座；所述传输装置包括支撑 环和第一驱动机构，在所述支撑环上设置有用于支撑所述基片的支撑体，所述第一驱动机 构用于驱动所述支撑环通过所述传片口传输至所述工艺腔内的装卸位置，或者通过所述传 片口传输至所述检测腔内的检测位置；所述支撑环的内径大于所述升降基座的外径，在所 述支撑环位于所述装卸位置时，所述升降基座位于所述支撑环环孔的正投影内，通过所述 升降基座在所述支撑环的环孔内上升，W实现将位于支撑体上的所述基片传递至所述升降 基座上；W及，通过所述升降基座在支撑环的环孔内下降，W实现将置于所述升降基座上的 基片传递至所述支撑件上，并且，在所述升降基座下降至所述支撑环的下方时，借助所述第 一驱动机构驱动所述支撑环通过所述传片口传输至所述检测腔内的检测位置。
[0008] 其中，所述支撑体所在圆周的最小直径小于等于所述升降基座的外径，并且在所 述升降基座的外侧壁上设置有沿其轴向且贯穿所述升降基座厚度的凹槽，所述凹槽与所述 支撑体对应设置；在所述支撑环位于所述装卸位置，且所述升降基座作升降运动的过程中， 所述支撑体在与之相对应的所述凹槽内升降。
[0009] 其中，在所述工艺腔内设置有用于承载基片的基座；所述传输装置包括支撑环、第 一驱动机构和第二驱动机构，在所述支撑环上设置有用于支撑所述基片的支撑体，所述第 一驱动机构用于驱动所述支撑环通过所述传片口传输至所述工艺腔内的装卸位置，或者通 过所述传片口传输至所述检测腔内的检测位置；所述第二驱动机构用于驱动所述支撑环升 降；所述支撑环的内径大于所述基座的外径，且在所述支撑环位于所述装卸位置时，所述基 座位于所述支撑环环孔的正投影内，所述第二驱动机构通过驱动所述支撑环套置在所述基 座外侧上升，W实现将置于所述基座上的基片传递至所述支撑体上，并且，在所述支撑环位 于所述基座上升时，借助所述第一驱动机构驱动通过所述传片口传输至所述检测腔内的检 测位置；W及，所述第二驱动机构通过驱动所述支撑环套置在所述基座外侧下降，W实现所 述基座将位于支撑体上的所述基片巧起。
[0010] 其中，所述支撑体所在圆周的最小直径小于等于所述基座的外径，并且在所述基 座的外侧壁上设置有沿其轴向且贯穿所述基座厚度的凹槽，所述凹槽与所述支撑体对应设 置；在所述支撑体在所述支撑环位于所述装卸位置，且所述第二驱动机构通过驱动所述支 撑环套置在所述基座外侧作升降运动的过程中，所述支撑体在与之相对应的所述凹槽内升 降。
[0011] 其中，所述支撑体包括沿所述支撑环周向间隔设置的多个顶针。
[0012] 其中，所述支撑体所在圆周的最小直径大于所述基座的外径且小于所述基片的外 径。
[0013] 其中，所述检测腔设置在所述工艺腔的侧壁上。
[0014] 其中，所述检测腔包括检测装置和控制装置，所述检测装置设置在所述工艺腔的 顶壁上，用于向所述基片上表面发射信号，并接收自所述基片上表面反射的信号且将其发 送至控制装置；所述控制装置用于根据来自所述检测装置的信号获得所述基片表面沉积薄 膜的实际厚度，并判断所述实际厚度与目标厚度是否相等，若是，则控制所述传输装置将所 述基片自所述检测腔移动至所述工艺腔，并结束工艺；若否，则对工艺配方中的工艺参数进 行调整，并控制所述传输装置将所述基片自所述检测腔移动至所述工艺腔，且执行调整之 后的工艺配方继续沉积薄膜。
[0015] 其中，所述工艺配方中包括工艺时间，所述控制装置对所述工艺配方的工艺时间 进行调节，且工艺时间的延长量AT按照如下公式计算：
[0018] 其中，THK B为基片表面上沉积的实际薄膜厚度；Tl为沉积实际薄膜厚度所进行 的总工艺时间；THK A为目标厚度。
[0019] 其中，所述检测装置包括超声波探头或者光学探头。
[0020] 本发明具有W下有益效果：
[0021] 本发明提供的反应腔室，其工艺腔与检测腔之间具有使二者相连通、且供基片通 过的传片口，并且，工艺腔用于对位于其内的基片进行薄膜沉积工艺，检测腔用于检测沉积 基片上的薄膜厚度，传输装置用于在工艺腔和检测腔之间传输基片，可W实现在工艺腔内 完成工艺配方来对基片表面沉积薄膜之后，借助传输装置将该基片传输至检测腔内检测沉 积薄膜的实际厚度，且在实际厚度未达到目标厚度时，调整工艺配方并借助传输装置将基 片传输至工艺腔内W执行调整后的工艺配方来继续沉积薄膜，送与现有技术相比，可W实 现在完成工艺配方之后在反应腔室内检测基片沉积薄膜的实际厚度，并调整工艺配方来实 现沉积目标厚度，因而可W提高良品率；而且不需要采用现有技术中周期性地基于测试片 调整工艺配方的方式，因而不仅可W提高生产率，而且还可W不需要耗费测试片，从而可W 提高经济效益。
【附图说明】
[0022] 图1为现有的PVD设备的反应腔室的结构示意图；
[0023] 图2为本发明第一实施例提供的反应腔室的结构示意图；
[0024] 图3为图2所示的反应腔室中支撑环的俯视图；
[00巧]图4为图2所示的反应腔室中升降基座的俯视图；
[0026] 图5为图2所示的传输装