用于更均匀的层厚度的基板支撑环的利记博彩app
【技术领域】
[0001] 本发明的实施方式大致关于半导体处理。
【背景技术】
[0002] 诸如半导体晶片之类的基板可由支撑装置（诸如边缘环）所支撑，W在处理腔室 内处理。一些半导体制造工艺（诸如沉积或生长氧化物层的工艺）中，在处理腔室中启动 燃烧反应而生成氧物种（oxygenspecies),W有助于氧化物层的生长。然而，发明人已观察 到在一些工艺中，工艺的不均匀可能发生，运影响晶片表面上的层的厚度均匀度。特别是， 已观察到在基板边缘有不同的沉积或生长速率，导致基板边缘有不均匀的层形成。
[0003] 因此，发明人已提供基板支撑件的实施方式，所述基板支撑件可有助于在一些半 导体制造工艺期间提高工艺均匀度。
【发明内容】
[0004] 在此提供基板支撑环的实施方式，所述基板支撑环使基板上所沉积或生长的层有 更均匀的厚度。一些实施方式中，基板支撑环包括：内环，所述内环包括置中（centrally located)的支撑表面，所述支撑表面适于支撑基板；W及外环，所述外环从所述支撑表面 径向向外延伸，其中所述外环包含反应表面区域，所述反应表面区域设置在所述支撑表面 的支撑平面上方且大致平行所述支撑表面的支撑平面，且其中所述反应表面延伸超出所述 支撑表面约24mm至约45mm。 阳0化]一些实施方式中，基板支撑装置包括：内环，所述内环包含置中的支撑表面W支撑 基板；W及外环，所述外环从所述支撑表面径向向外延伸，其中所述外环包含反应表面区 域，所述反应表面区域位于所述支撑表面的支撑平面上方且大致平行所述支撑表面的支撑 平面，其中所述反应表面延伸超出所述支撑表面约24mm至约34mm，且其中所述反应表面在 所述支撑表面上方约0. 86mm至约0. 97mm处。
[0006] 一些实施方式中，基板处理装置包括腔室主体与基板支撑装置，所述腔室主体包 围处理空间，而所述基板支撑装置设置且支撑在所述处理空间内。基板处理装置包括：内 环，所述内环包含置中的支撑表面，所述支撑表面适于支撑基板；W及外环，所述外环从所 述基板支撑表面径向向外延伸，其中所述外环包含反应表面区域，所述反应表面区域位于 所述支撑表面的支撑平面上方且大致平行所述支撑表面的支撑平面，所述反应表面延伸超 出所述支撑表面约24mm至约45mm。
[0007] 本发明的其他与进一步的实施方式于下文中描述。
【附图说明】
[0008] W上简短概述及W下更加详细讨论的本发明的实施方式，可通过参考附图中所描 绘的本发明的说明性实施方式而理解。然而应了解，附图仅说明本发明的典型实施方式，且 因此不应考虑为限制本发明的范围，因为本发明可认知有其它等同效果的实施方式。
[0009] 图I描绘根据本发明的一些实施方式的基板支撑环的顶视图。
[0010] 图2描绘沿II-II所截取的图1的基板支撑环的剖面视图。
[0011] 图3描绘包括根据本发明的一些实施方式的基板支撑环的处理腔室的示意性剖 面视图。
[0012] 图4A与图4B描绘在相同腔室条件下处理的分别在非旋转晶片与旋转晶片上沉积 或生长的层的所观察到的厚度。
[0013] 图5描绘使用根据本发明的实施方式的基板支撑环于不同溫度下在基板上沉积 或生长的示范性层厚度的图表。
[0014] 为了帮助理解，已尽可能地使用相同的元件符号W标示各图都有的相同元件。附 图并非依比例绘制且为了清楚而可能简化。应考虑一个实施方式的元件及特征可有益地并 入其它实施方式中而无须进一步说明。
【具体实施方式】
[0015] 本发明的实施方式提供基板支撑环（或边缘环），用于在腔室中支撑诸如半导体 晶片之类的基板W供处理。已观察到根据本发明的实施方式的基板支撑环有益地影响工艺 均匀度，特别是基板边缘处的工艺均匀度。所公开的支撑环的实施方式可有益地影响基板 上沉积或生长的层。
[0016] 图1描绘根据本发明的实施方式的基板支撑环（或边缘环100)的顶视图。说明 性质的边缘环100包括内环102,所述内环102具有关于中屯、点C置中的支撑表面104。支 撑表面104被配置W沿着基板的背侧边缘支撑给定直径的基板，例如为200、300、450mm的 半导体晶片，或类似物。举例而言，支撑表面104具有内径与外径，所述内径界定中央开口， 所述外径界定内径与外径之间的支撑表面104的宽度。
[0017] 支撑表面104仅支撑基板的外侧部分，而维持基板背侧的中央与主要部分暴露。 一些实施方式中，支撑表面104被配置为沿着基板直径的约1. 10%至约1. 56%支撑基板。 例如，对300mm的基板而言，支撑表面104在宽度上可为约3. 3mm至约4. 7mm。 阳01引外环108从内环102径向向外设置。外环108包含外边缘110与内边缘112,W及 介于所述外边缘110与内边缘112之间的反应表面114。内边缘112形成支撑表面104的 径向向外界限（即，支撑表面104的外径）。
[0019] 如图2所绘示，反应表面114可大致平行支撑表面104且配置在支撑表面104上方 达一距离，所述距离为在所述支撑表面104上所处理的基板的厚度，使得所述基板的上表 面实质上与反应表面114齐平。例如，一些实施方式中，反应表面114设置在支撑表面104 上方达约0. 86mm至约0. 97mm之间，例如约0. 91mm。在一些实施方式中，当基板设置在支撑 表面104上W供处理时，基板表面S可实质上与反应表面114同平面。其他实施方式中，基 板表面S可偏移至反应表面114上方或下方。例如，一些实施方式中，基板表面S在反应表 面114上方约0. 5mm处。其他实施方式中，基板表面S可在反应表面114下方约0. 5mm处。 因此，当基板支撑在支撑表面104上W供处理时，基板表面S可介于反应表面114上方约 0. 5mm至下方约0. 5mm之间。反应表面实质上平行于支撑表面104的支撑平面（即当基板 安置于支撑表面104上时的基板的平面）。边缘环100可包含突出部202,所述突出部202 从外环108的底表面向下延伸。当设置在处理腔室内时，突出部202可提供腔室内的环的 支撑，运将在下文中针对图3进行讨论。
[0020] 内环102与外环108可包含一或多种工艺相容材料且可一体成形式（integrally) 形成或者可分别形成且禪接在一起，而所述工艺相容材料包括诸如陶瓷之类的非限制性范 例，所述陶瓷例如为碳化娃（SiC)。一些实施方式中，内环102与外环108的多个部分可包 含涂层，例如多晶娃涂层。内环102与外环108可WW轴线204同屯、，所述轴线204通过中 心点C。
[0021] 图2所绘示的非限制性实施方式中，反应表面114径向延伸超出内边缘112-距 离L。所述距离L可为约24mm至约45mm，例如约24mm至约34mm。发明人已经观察到，用 径向延伸超过内边缘112实质上大于约24mm的任何距离的反应表面114可获得有益的效 果，理由如下文所讨论。发明人也已经观察到，L尺寸大于一定量（例如大于约34mm)的边 缘环可提供次优的（SUboptimal)处理量，需要更大的腔室容纳所述边缘环，且需要额外的 时间与能量加热与冷却。
[0022] 所公开的边缘环可有利地用在任何配