在图4D中所示的。模具410被适当地涂覆或以其它方式制备以确保反射涂层460从模具410释放，保留在材料450的底表面上。
[0052]在图4E处，模具410、420可被移除(在图4B或图4D中所示的步骤之后，取决于反射涂层是否被施加到封装材料450的底表面)。移除模具410、420暴露由在发光器件100之间的模具410、420产生的区/芯片间隔/小道(在下文中“芯片间隔”)。可选地，根据用于分割发光器件100的技术，模具410可被维持在适当的地方，对分割工艺提供在这些芯片间隔中的支承表面。
[0053]各种技术中的任一种(包括机械锯切或切割、激光切割、蚀刻等)可用于分割/切割器件100。因为分割只需要切穿在芯片间隔中的任何残留的封装材料450和可选地施加的反射涂层460，在分割装置上的应力和磨损将是最小的。当分割后，提供具有可选的反射悬垂部分460的个体封装450的自支承器件100，如图4F所示。
[0054]图5图示用于制造封装的自支承发光器件的示例流程图。
[0055]在510，形成常规发光结构，在该结构的同一表面上具有N和P触头。
[0056]在这些N和P触头上，在530，形成厚金属层，在所形成的层之间具有绝缘材料。如果必要，在520，将种晶层施加到N和P触头以便于厚金属层的形成。
[0057]厚金属层可包括任何导电材料和优选地呈现高导热率以耗散由发光结构产生的热的材料。适当的材料包括例如铜、镍、金、钯、镍铜合金或其它金属和合金。
[0058]在540，在这些厚金属柱上形成焊盘以便于到发光器件100的外部连接。根据用于形成厚金属层的材料，焊盘可以只是焊盘在金属层之间的前面提到的绝缘材料之外的延伸部分，或它们可以是被选择来满足特定的要求(例如提供非氧化材料的要求)的材料(例如金)作为外部触头。每个焊盘可占据比对应的厚金属层的表面积更大或更小的表面积，取决于对器件的特定应用的尺寸要求。
[0059]如果器件的期望封装超过在晶圆级处可获得的尺寸，器件在550被分割并放置在中间基板上。
[0060]在560，器件在处于晶圆上或在中间基板上的同时被封装。在封装之后，器件在570被分割，如上面详述的。特别值得注意的是，不考虑封装是否发生在晶圆或中间基板上，这个分割并不要求穿过支承底座的切片/切割，从而实质上减小在用于执行分割的装置上的应力和磨损。
[0061]虽然在附图和前述描述中详细图示和描述了本发明，这样的图示和描述应被考虑为说明性的或示例性的而不是限制性的；本发明不限于所公开的实施例。
[0062]例如，可能在实施例中操作本发明，其中封装包括在中间基板上的一组发光器件之上的预先形成的薄片的施加，其中这组发光器件基于常见的发光特性被选择，且预先形成的薄片基于这个常见的发光特性被选择。Haryanto Chandra的2008年7月3日发布的并通过引用并入本文的美国专利 7344952 “Laminating Encapsulant Film ContainingPhosphor Over LEDs”公开了用于将磷光体膜层压到底座上的一组发光器件的技术。预先形成具有变化的波长转换属性的各种磷光体膜。发光裸片被测试并基于它们的光输出特性被分类(“放入箱中”)，且具有类似特性的裸片附着到底座。在下文中，选择特定的磷光体膜以被应用到在底座上的具有类似特性的裸片，使得发光裸片的特定光发射和选定磷光体膜的波长转换的组合提供期望复合光输出。通过使一组类似地运转的光发射裸片与基于该组的特定特性选择的磷光体复合物成对，复合光输出的变化实质上减小了。
[0063]此外，虽然示例实施例示出在每个N和P触头之上的单个厚金属层，本领域中的技术人员将认识到这个厚金属层可包括多个个体的厚金属柱，以及可形成不耦合到N和P触头的其它厚金属层，如在Jipu Lei等人的上面一弄的共同未决的申请中公开的那样。
[0064]从附图、本公开和所附权利要求的研究中，对所公开的实施例的其它变型可被本领域中的技术人员在实践所主张的发明时理解和实现。在权利要求中，词“包括”并不排除其它元件或步骤，以及不定冠词“一”或“一种”并不排除复数。某些措施在相互不同的从属权利要求中被叙述的简单事实并不指示这些措施的组合不能被有利地使用。在权利要求中的任何参考符号不应被解释为限制范围。
【主权项】
1.一种方法，包括: 在第一基板上形成多个自支承发光器件，每个自支承发光器件包括具有至少50微米的厚度的厚金属层以提供这个自支承， 移除所述第一基板， 封装所述多个自支承发光器件以形成多个封装的自支承发光器件，以及 分割所述多个封装的自支承发光器件以提供个体封装的自支承发光器件。2.如权利要求1所述的方法，包括在封装之前分割所述多个自支承发光器件以及将所述多个自支承发光元件放置在中间基板上，以及在提供所述多个个体封装的自支承发光器件之前移除所述中间基板。3.如权利要求2所述的方法，其中所述中间基板包括切片/锯切带。4.如权利要求2所述的方法，其中所述中间基板包括用于接纳所述自支承发光器件的槽。5.如权利要求2所述的方法，其中所述多个自支承发光器件的放置包括基于公共发光特性来选择所述多个自支承发光器件。6.如权利要求5所述的方法，其中所述封装包括基于所述公共发光特性选择预先形成的薄片，以及将所述预先形成的薄片施加在所述多个自支承发光器件之上。7.如权利要求1所述的方法，其中所述封装包括在每个自支承器件之上形成环氧树脂、硅树脂和玻璃中的至少一个的封装结构。8.如权利要求7所述的方法，包括提供在所述自支承发光器件和所述封装结构之间的波长转换材料层。9.如权利要求1所述的方法，其中所述封装包括形成包括在每个自支承发光器件之上的波长转换材料的结构。10.如权利要求1所述的方法，其中所述封装包括将所述预先形成的薄片施加在所述多个自支承发光器件之上。11.如权利要求1所述的方法，其中所述多个自支承发光器件的所述封装包括形成多个半球形圆顶。12.一种发光器件，包括: 发光结构，其包括在η型层和P型层之间的有源层并包括发光表面； 电耦合到所述η型层的至少第一焊盘和电连接到所述P型层的第二焊盘； 厚金属层，其构建在所述第一焊盘和第二焊盘上；以及 光学结构，其封装所述发光结构； 其中所述厚金属层具有至少50微米的厚度。13.如权利要求12所述的发光器件，其中所述光学结构包括半球形剖面。14.如权利要求12所述的发光器件，其中所述光学结构包括梯形剖面。15.如权利要求12所述的发光器件，其中所述光学结构包括准直器。16.如权利要求12所述的发光器件，其中在所述发光结构的范围之外的所述光学结构的表面包括反射涂层。17.如权利要求12所述的发光器件，其中所述光学结构包括波长转换材料。18.如权利要求12所述的发光器件，其中所述光学结构包括在垂直于所述发光表面的平面的平面中的扁平外表面。19.如权利要求12所述的发光器件，包括在所述发光结构和所述光学结构之间的波长转换材料层。20.如权利要求19所述的发光器件，其中所述波长转换材料层是预先形成的层压材料。
【专利摘要】发光器件（LED）被制造在具有提供对每个LED的结构支承的一个或多个厚金属层的晶圆基板上。在个体LED之间的芯片间隔或小道不包括这个金属，且晶圆可容易被切片/切割成分割的自支承LED。因为这些器件是自支承的，单独的支承底座是不要求的。在分割之前，可在晶圆级应用另外的工艺；在分割之后，这些自支承LED可被拾取并放置在中间基板上用于如所要求的进一步处理。在本发明的实施例中，在晶圆级处或当发光器件位于中间基板上时在发光器件之上形成保护性光学圆顶。
【IPC分类】H01L33/48, H01L33/54, H01L33/00
【公开号】CN105378949
【申请号】CN201480041219
【发明人】S.阿克拉姆, J.K.巴瓦
【申请人】皇家飞利浦有限公司
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2014年5月5日
【公告号】EP3000138A1, US20160118554, WO2014188296A1