基板处理装置和基板处理方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。
【背景技术】
[0002]以往，在具有用于对半导体晶圆、玻璃基板等基板进行处理的多个处理单元的基板处理装置中，对各处理单元的动作状况进行定期检查。
[0003]例如，在专利文献1中，公开了一种通过监视蚀刻液的流量、温度等来判断各处理单元的动作状况是否存在异常的技术。在该专利文献1所记载的技术中，在检测出处理单元的动作状况存在异常的情况下，检索数据库并确定值班中的操作者，用电子邮件向确定了的操作者通知包含异常的内容等的信息。
[0004]专利文献1:日本特开2005 - 064214号公报
【发明内容】
_5] 发明要解决的问题
[0006]然而，在所述以往技术中，当要进行改善作业的操作者花费时间赶到现场时，改善作业会产生延迟，改善作业的延迟相应地导致处理单元的修复延迟，在此期间不能使用处理单元，从而有可能使基板处理装置的运转率降低。
[0007]尤其是，近年来，工厂的无人化不断发展，操作者赶到现场所花费的时间变长。因此，如何抑制因操作者不在而导致处理单元的修复的延迟成为一个问题。
[0008]此外，在基板处理装置中，作为专利文献1所记载的检查方法以外的检查方法，有时在将检查用的监控晶圆输入到处理单元中并使处理单元执行一系列的基板处理之后，使用外部的测定器调查处理后的监控晶圆的表面，由此对处理单元的动作状况进行检查。在进行这样的检查时也同样地可能产生所述问题。
[0009]—技术方案的目的在于，提供能够抑制在检测出处理单元存在异常的情况下的运转率的降低的基板处理装置和基板处理方法。
_0] 用于解决问题的方案
[0011]本发明的一技术方案提供一种基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置包括:处理单元，其用于对基板进行处理；以及控制部，其用于使所述处理单元执行基板处理，所述控制部使所述处理单元实施基板处理，并根据包含在所述基板处理后利用基板表面测定检测出的异常的内容的异常检测信息，使被检测出异常的处理单元执行改善处理，所述改善处理由使所述异常的内容和所述改善处理相互对应而得到的改善处理信息确定
[0012]本发明的又一技术方案提供一种基板处理方法，其是基板处理装置中的基板处理方法，该基板处理装置包括:处理单元，其用于处理基板；以及控制部，其用于使所述处理单元执行基板处理，其特征在于，该基板处理方法包括:基板处理工序，在该基板处理工序中，利用用于对基板进行处理的处理单元来进行基板处理；以及改善处理工序，在该改善处理工序中，进行改善处理，该改善处理基于包含利用在所述基板处理工序后实施的基板表面测定检测出的异常的内容的异常检测信息，针对被检测出异常的处理单元执行所述改善处理工序，所述改善处理由使所述异常的内容和所述改善处理相互对应而得到的改善处理信息确定。
_3] 发明的效果
[0014]采用本发明的一技术方案，能够抑制在处理单元检测出异常的情况下的生产率的降低。
【附图说明】
[0015]图1是表示本实施方式的基板处理系统的概略结构的图。
[0016]图2是表示处理单元的概略结构的图。
[0017]图3是检查处理的概要说明图。
[0018]图4是表示处理单元的具体结构的一个例子的图。
[0019]图5是表示处理单元所执行的一系列的基板处理的处理步骤的流程图。
[0020]图6是表不改善处理信息的一个例子的图。
[0021]图7是表示在检查处理中控制部所执行的处理步骤的一个例子的流程图。
[0022]图8是表示在检查处理中控制部所执行的处理步骤的另一个例子的流程图。
[0023]图9是第2实施方式的检查处理的概要说明图。
[0024]图10是表示在第2实施方式的检查处理中控制部所执行的处理步骤的一个例子的流程图。
【具体实施方式】
[0025]以下，参照附图详细说明本申请的基板处理装置和基板处理方法的实施方式。此夕卜，本发明并不受以下所示的实施方式的限定。
[0026]第1实施方式
[0027]1.基板处理系统的概略结构
[0028]图1是表示本实施方式的基板处理系统的概略结构的图。以下，为了使位置关系清楚，对互相正交的X轴、Y轴及Z轴进行规定，将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。
[0029]如图1所示，基板处理系统1包括输入输出站2和处理站3。输入输出站2和处理站3相邻地设置。
[0030]输入输出站2包括承载件载置部11和输送部12。在承载件载置部11上载置有多个承载件C，该多个承载件C用于将多张基板、在本实施方式中为半导体晶圆(以下称作晶圆W)以水平状态收纳。
[0031]输送部2与承载件载置部11相邻地设置，在输送部12的内部具有基板输送装置13和交接部14。基板输送装置13具有用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板输送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴线为中心进行旋转，其使用晶圆保持机构在承载件C与交接部14之间输送晶圆W。
[0032]处理站3与输送部12相邻地设置。处理站3包括输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16以排列在输送部15的两侧的方式设置。
[0033]输送部15在内部具有基板输送装置17。基板输送装置17具有用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板输送装置17能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴线为中心进行旋转，其使用晶圆保持机构在交接部14与处理单元16之间输送晶圆W。
[0034]处理单元16用于对由基板输送装置17输送过来的晶圆W进行预先设定的基板处理。
[0035]另外，基板处理系统1包括控制装置4。控制装置4例如是计算机，其包括控制部18和存储部19。在存储部19中存储有用于对在基板处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18通过读取并执行被存储在存储部19中的程序来控制基板处理系统1的动作。
[0036]此外，该程序既可以是存储在可由计算机读取的存储介质中的程序，也可以是从该存储介质安装到控制装置4的存储部19中的程序。作为可由计算机读取的存储介质，存在例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(⑶)、光磁盘(M0)以及存储卡等。
[0037]在如所述那样构成的基板处理系统1中，首先，输入输出站2的基板输送装置13将晶圆W自载置于承载件载置部11的承载件C取出，并将取出后的晶圆W载置于交接部14。利用处理站3的基板输送装置17将被载置于交接部14的晶圆W自交接部14取出并将其输入到处理单元16中。
[0038]在利用处理单元16对被输入到处理单元16中的晶圆W进行处理之后，利用基板输送装置17将该晶圆W自处理单元16输出并将其载置于交接部14。然后，利用基板输送装置13将载置于交接部14的处理完成后的晶圆W返回到载置部11的承载件C。
[0039]2.处理单元的概略结构
[0040]接下来，参照图2说明处理单元16的结构。图2是表示处理单元16的概略结构的图。
[0041]如图2所示，处理单元16包括腔室20、基板保持机构30、处理流体供给部40、以及回收杯50。
[0042]腔室20用于收纳基板保持机构30、处理流体供给部40、以及回收杯50。在腔室20的顶部设有FFU(Fan Filter Unit:风机过滤单元)21。FFU21用于在腔室20内形成下降流。
[0043]基板保持机构30包括保持部31、支柱部32、以及驱动部33。保持部31水平保持晶圆W。支柱部32是沿铅垂方向延伸的构件，其基端部被驱动部33支承为能够旋转，支柱部32在顶端部水平支承保持部31。驱动部33用于使支柱部32绕铅垂轴线旋转。该基板保持机构30通过使用驱动部33使支柱部32旋转而使由支柱部32支承着的保持部31旋转，由此，使由保持部31保持着的晶圆W旋转。<