一种太阳能电池组件的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及太阳能电池组件制造的技术领域，具体为一种太阳能电池组件的制造 方法。
【背景技术】
[0002] 在光伏电池生产中，由于电池片边缘部分与石墨舟接触较紧密，其电场强度相对 比电池片中间部分要高，故氮化硅膜沉积较厚，所以一般电池片边缘部分都有白边现象，这 种现象在单晶电池片上显得尤为明显。近些年，单晶光伏组件越来越多的使用黑色背板来 层压组件，使用黑色背板的组件中，电池片边缘与中间的色差比较明显，影响组件的整体外 观。
【发明内容】
[0003] 针对上述问题，本发明提供了一种太阳能电池组件的制造方法，其使电池片边缘 部分不会出现白边现象，多片电池片和黑色背板组合后，组件的整体外观好。
[0004] 一种太阳能电池组件的制造方法，其特征在于：将单晶硅片植绒并扩散后，经过等 离子体刻蚀，再装入经过半饱和沉积氮化硅工艺的石墨舟中进行PECVD镀膜，之后将镀膜 后的单晶硅片经丝网印刷后形成电池片，多片电池片组合后，电池片镀膜面使用减反射玻 璃层压，非镀膜面使用黑色背板层压，层压后将组件装边框，制造成光伏组件。
[0005] 其进一步特征在于：
[0006] 其具体加工步骤如下：
[0007]a制绒：制绒工序是利用质量分数为1 %的NaOH溶液，对单晶硅片进行腐蚀，单晶 硅片经过腐蚀后，其表面会布满金字塔状凸起，这种凹凸不平的表面，会增加太阳光的吸收 (陷光效应），最终提高电池片的短路电流（Isc)，同时，制绒过程会去除硅片表面的机械损 伤层，起到清除硅片表面油污和金属杂质的作用；
[0008] b扩散：扩散过程是在高温炉中进行，先通入氧气，在硅片表面形成Si02层，然后 通入反应气体（P0C13、02)，？0(：13与0 2反应生成P205,P205会与硅片反应生成磷原子，生成 的磷原子沉积在Si02中；高温炉维持一定时间的高温，将Si02中的磷原子推进到硅片中， 从而形成PN结，完成扩散工艺；
[0009] c等离子体刻蚀：真空中的高频电场产生辉光放电，将四氟化碳中的氟离子电离 出来，氟离子会对硅片边缘进行腐蚀，从而将硅片边缘的PN结去除，完成刻蚀工序；
[0010] dPECVD镀膜：经过上述步骤的硅片装入经过半饱和工艺的石墨舟中进行PECVD 镀膜，PECVD镀膜的原理是利用低温等离子体作能量源，硅片置于低气压下辉光放电的阴极 上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学 反应和等离子体反应，在硅片的绒面上形成固态薄膜；
[0011] e丝网印刷：在硅片的镀膜一面上印刷图形化的银栅线电极，在硅片的非镀膜一 面印刷铝浆电极，通过高温烧结，使银栅线电极、铝浆电极与硅片形成欧姆接触；
[0012] f制成电池片后，将电池片通过焊带将预定数量片电池片进行串并联连接，然后进 行层压，电池片镀膜面使用减反射玻璃层压，非镀膜面使用黑色背板层压，层压后将组件装 边框，制造成光伏组件，观察其外观，透过组件减反射玻璃观察电池片边缘无白边现象。
[0013] 其更进一步特征在于：
[0014] 所述步骤d中所用到的经过半饱和工艺的石墨舟具体为石墨舟经过表面半饱和 沉积氮化硅，让石墨舟片在管式PECVD内所沉积的氮化硅达到半饱和状态；
[0015] 石墨舟的半饱和沉积氮化硅的工艺参数中，三次通入硅烷、氨气进行镀膜的辉光 放电时间控制在1000s~1600s，确保石墨舟片上沉积的氮化硅达到半饱和状态，而不是饱 和状态；
[0016] 优选地，三次通入硅烷、氨气进行镀膜的辉光放电时间控制在1500s;
[0017] 所述石墨舟在经过半饱和沉积氮化硅之前经过HF清洗、水清洗、然后烘干，具体 为采用浓度为45%~55%的氢氟酸酸洗4~6h、再经过水洗4~6h，放入140°C~160°C 的烘箱内进行4h~6h的烘干。
[0018] 采用上述技术方案后，单晶片放入经过半饱和沉积氮化硅工艺的石墨舟中，电池 片边缘部分与石墨舟接触较为紧密，由于石墨舟的氮化硅为半饱和，故在PECVD镀膜过程 中，石墨舟继续沉积部分氮化硅，电池片的边缘部分所镀的氮化硅膜相对于饱和的石墨舟 的厚度降低，电池片边缘部分不会出现白边现象，多片电池片组合后，电池片镀膜面使用减 反射玻璃层压，非镀膜面使用黑色背板层压，层压后将组件装边框，制造成光伏组件，观察 其外观，透过组件减反射玻璃观察电池片边缘无白边现象，进而创造出了适用于黑色背板 来层压组件的电池片的利记博彩app。
【具体实施方式】
[0019] 一种太阳能电池组件的制造方法：将单晶硅片植绒并扩散后，经过等离子体刻蚀， 再装入经过半饱和沉积氮化硅工艺的石墨舟中进行PECVD镀膜，之后将镀膜后的单晶硅片 经丝网印刷后形成电池片，多片电池片组合后，电池片镀膜面使用减反射玻璃层压，非镀膜 面使用黑色背板层压，层压后将组件装边框，制造成光伏组件。
[0020] 其具体加工步骤如下：
[0021] a制绒：制绒工序是利用质量分数为1 %的NaOH溶液，对单晶硅片进行腐蚀，单晶 硅片经过腐蚀后，其表面会布满金字塔状凸起，这种凹凸不平的表面，会增加太阳光的吸收 (陷光效应），最终提高电池片的短路电流（Isc)，同时，制绒过程会去除硅片表面的机械损 伤层，起到清除硅片表面油污和金属杂质的作用；
[0022] b扩散：扩散过程是在高温炉中进行，先通入氧气，在硅片表面形成Si02层，然后 通入反应气体（P0C13、02)，？0(：13与0 2反应生成P205,P205会与硅片反应生成磷原子，生成 的磷原子沉积在Si02中；高温炉维持一定时间的高温，将Si02中的磷原子推进到硅片中， 从而形成PN结，完成扩散工艺；
[0023] c等离子体刻蚀：真空中的高频电场产生辉光放电，将四氟化碳中的氟离子电离 出来，氟离子会对硅片边缘进行腐蚀，从而将硅片边缘的PN结去除，完成刻蚀工序；
[0024] dPECVD镀膜：经过上述步骤的硅片装入经过半饱和工艺的石墨舟中进行PECVD 镀膜，PECVD镀膜的原理是利用低温等离子体作能量源，硅片置于低气压下辉光放电的阴极 上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学 反应和等离子体反应，在硅片