一种晶体硅太阳能电池硼扩散的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及太阳能电池制造技术领域，特别是涉及一种晶体硅太阳能电池硼扩散的方法。
【背景技术】
[0002]目前市场上一般生产的是P型电池片，而P型电池片的扩散过程中，一般采用的是三氯氧磷源，相比之下，N型电池片的三溴化硼源扩散做出的电池片电性能更好，效率更高，但未得到大规模生产，主要原因在于N型硅片成本高。
[0003]在现有的生产N型电池片的过程中，硼扩散过程采用的是常见的一次升温氧化工艺，沉积之后直接推进，不能将硼原子充分扩散到内部，导致生产出的电池片表面硼原子的浓度太高，产生一层死层，增加了空穴对的复合，降低了少子寿命，导致电池片效率降低。现有的一种方法是增加推进时间，但这种方法增加了生产成本。
【发明内容】
[0004]为解决上述问题，本发明提供了一种晶体硅太阳能电池硼扩散的方法，能够在低成本的如提下，提尚少子寿命，提尚电池片效率。
[0005]本发明提供的一种晶体硅太阳能电池硼扩散的方法，包括:
[0006]加热晶体硅太阳能电池；
[0007]在所述晶体硅太阳能电池表面预沉积硼原子；
[0008]在所述晶体娃太阳能电池表面沉积硼原子；
[0009]对所述晶体硅太阳能电池进行二次加热氧化并推进；
[0010]对所述晶体硅太阳能电池进行后沉积和后氧化；
[0011]对所述晶体硅太阳能电池进行吹扫和降温。
[0012]优选的，在上述晶体硅太阳能电池硼扩散的方法中，所述对所述晶体硅太阳能电池进行二次加热氧化并推进为:
[0013]设置第一区的温度为962°C，第二区的温度为962°C，第三区的温度为960°C，第四区的温度为960°C，第五区的温度为958°C，进行二次加热氧化，直到炉口温度达到961°C。
[0014]优选的，在上述晶体硅太阳能电池硼扩散的方法中，所述推进过程持续10分钟。
[0015]优选的，在上述晶体硅太阳能电池硼扩散的方法中，所述加热晶体硅太阳能电池为:
[0016]设置所述第一区的温度为850 V，所述第二区的温度为851 °C，所述第三区的温度为849 °C，所述第四区的温度为847 °C，所述第五区的温度为845 °C，并设置氮气流量为15S/min，进行加热，直到所述炉口温度达到847°C。
[0017]优选的，在上述晶体硅太阳能电池硼扩散的方法中，所述在所述晶体硅太阳能电池表面预沉积硼原子为:
[0018]设置氧气流速为70sccm，携带BBrj^氮气的流量为220sccm，氮气的流量15S/min0
[0019]优选的，在上述晶体硅太阳能电池硼扩散的方法中，所述在所述晶体硅太阳能电池表面沉积硼原子的持续时间为20分钟。
[0020]优选的，在上述晶体硅太阳能电池硼扩散的方法中，
[0021]所述对所述晶体硅太阳能电池进行后沉积为:
[0022]设置所述第一区、所述第二区、所述第三区、所述第四区和所述第五区的温度为8000C，进行后沉积，持续时间为20分钟。
[0023]优选的，在上述晶体硅太阳能电池硼扩散的方法中，
[0024]所述对所述晶体硅太阳能电池进行后氧化为:
[0025]设置氮气流量为5S/min，氧气浓度为10S/min，携带BBr3的氮气流量为350sccm。
[0026]优选的，在上述晶体硅太阳能电池硼扩散的方法中，所述对所述晶体硅太阳能电池进行吹扫和降温为:
[0027]设置所述第一区、所述第二区、所述第三区、所述第四区和所述第五区的温度为750°C，进行吹扫和降温，直到所述第三区的温度降为785°C。
[0028]优选的，在上述晶体硅太阳能电池硼扩散的方法中，在所述对所述晶体硅太阳能电池进行吹扫和降温之后，还包括:
[0029]设置氮气流量为4S/min且持续5秒的冷却过程。
[0030]本发明提供的上述晶体硅太阳能电池硼扩散的方法，由于在加热晶体硅太阳能电池，在所述晶体硅太阳能电池表面预沉积硼原子和在所述晶体硅太阳能电池表面沉积硼原子之后添加了对所述晶体硅太阳能电池进行二次加热氧化并推进的步骤，因此能够使沉积后的硅片表面的硼更加充分地扩进内部，以减小表面浓度，从而能够在低成本的前提下，提高少子寿命，提高电池片效率。
【附图说明】
[0031]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0032]图1为本申请实施例提供的第一种晶体硅太阳能电池硼扩散的方法的示意图；
[0033]图2为本申请实施例提供的第二种晶体硅太阳能电池硼扩散的方法的示意图。
【具体实施方式】
[0034]本发明的核心思想在于提供一种晶体硅太阳能电池硼扩散的方法，能够在低成本的前提下，增加少子寿命，提高电池片效率。
[0035]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0036]本申请实施例提供的第一种晶体硅太阳能电池硼扩散的方法如图1所示，图1为本申请实施例提供的第一种晶体硅太阳能电池硼扩散的方法的示意图。该方法包括如下步骤:
[0037]S1:加热晶体硅太阳能电池；
[0038]S2:在所述晶体娃太阳能电池表面预沉积硼原子；
[0039]S3:在所述晶体娃太阳能电池表面沉积硼原子；
[0040]S4:对所述晶体硅太阳能电池进行二次加热氧化并推进；
[0041 ] S5:对所述晶体硅太阳能电池进行后沉积和后氧化；
[0042]S6:对所述晶体硅太阳能电池进行吹扫和降温。
[0043]本申请实施例提供的上述晶体硅太阳能电池硼扩散的方法，由于在加热晶体硅太阳能电池，在所述晶体硅太阳能电池表面预沉积硼原子和在所述晶体硅太阳能电池表面沉积硼原子之后添加了对所述晶体硅太阳能电池进行二次加热氧化并推进的步骤，因此能够使沉积后的硅片表面的硼更加充分地扩进内部，以减小表面浓度，减少死层的影响，从而能够在低成本的如提下，提尚少子寿命，提尚电池片效率。
[0044]本申请实施例提供的第二种晶体硅太阳能电池硼扩散的方法如图2所示，图2为本申请实施例提供的第二种晶体硅太阳能电池硼扩散的方法的示意图。该方法包括如下步骤:
[0045]Al:加热晶体硅太阳能电池，其中，设置所述第一区的温度为850°C，所述第二区的温度为851°C，所述第三区的温度为849°C，所述第四区的温度为847°C，所述第五区的温度为845°C，并设置氮气流量为15S/min，进行加热，直到所述炉口温度达到847°C ；
[0046]A2:在所述晶体娃太阳能电池表面预沉积硼原子，其中，设置氧气流速为70sccm，携带BBrJ^氮气的流量为220sccm，氮气的流量15S/min ；
[0047]A3:在所述晶体硅太阳能电池表面沉积硼原子，持续时间为20分钟；
[0048]A4:对所述晶体硅