]根据本公开的示例性实施例，第一通孔113可穿透金属层压件110。根据本公开的示例性实施例，第一通孔113可利用计算机化数控(CNC)钻孔装置来形成。然而，第一通孔113不限于使用CNC钻孔装置来形成。第一通孔113可通过电路板领域已知的形成通孔的任何方法来形成。
[0056]参照图4，可形成第一过孔121、第一电路层131和第二电路层132。
[0057]根据本公开的示例性实施例，可在第一通孔113(图3)中形成第一过孔121。另夕卜，可在芯部绝缘层111上形成第一电路层131，可在芯部绝缘层111的下面形成第二电路层132。根据本公开的示例性实施例，可通过使金属层压件110(图3)的芯部金属层112 (图3)图案化来形成第一电路层131和第二电路层132。可选地，可在对芯部金属层112 (图3)执行镀覆之后，通过使芯部金属层112(图3)图案化来形成第一电路层131和第二电路层132。
[0058]根据本公开的示例性实施例，可通过电路板领域中已知的形成电路的方法来形成第一过孔121、第一电路层131和第二电路层132。例如，可通过盖孔工艺、半加成工艺(SAP)或改良型半加成工艺(MSAP)来形成第一过孔121、第一电路层131和第二电路层132。
[0059]根据本公开的示例性实施例，第一过孔121、第一电路层131和第二电路层132可由电路板领域中通常使用的导电金属形成。例如，第一过孔121、第一电路层131和第二电路层132可由铜形成。
[0060]参照图5，可形成第一绝缘层141、第二绝缘层142、第一导通件122、第二导通件123、第一金属层151和第二金属层152。
[0061]根据本公开的示例性实施例，可在芯部绝缘层111上形成第一绝缘层141。在这种情况下，第一绝缘层141可使第一电路层131嵌入。另外，可在芯部绝缘层111的下面形成第二绝缘层142。在这种情况下，第二绝缘层142可使第二电路层132嵌入。
[0062]根据本公开的示例性实施例，可通过分别在芯部绝缘层111的上面和下面以膜的形式进行堆叠并压制来形成第一绝缘层141和第二绝缘层142。可选地，可通过分别在芯部绝缘层111的上面和下面以液态形式进行涂敷来形成第一绝缘层141和第二绝缘层142。
[0063]根据本公开的示例性实施例，第一绝缘层141和第二绝缘层142可由通常用作层间绝缘材料的复合聚合树脂来形成。例如，第一绝缘层141和第二绝缘层142可由半固化片、Ajinomoto Build-up Film(ABF)或者环氧类树脂(诸如 FR-4、BismaleimideTriazine (BT)等)形成。
[0064]根据本公开的示例性实施例，可分别在第一绝缘层141和第二绝缘层142中形成导通孔(未示出)。
[0065]然后，对导通孔(未示出)进行镀覆，从而可在第一绝缘层141中形成第一导通件122，并可在第二绝缘层142中形成第二导通件123。
[0066]当对导通孔(未示出)进行镀覆时，可在第一绝缘层141的上面和第二绝缘层142的下面同时执行镀覆。在这种情况下，可在第一绝缘层141上形成第一金属层151，可在第二绝缘层142的下面形成第二金属层152。
[0067]可选地，在形成第一导通件122和第二导通件123之后，也可通过分别在第一绝缘层141的上面和第二绝缘层142的下面堆叠并压制金属箔来形成第一金属层151和第二金属层152。
[0068]根据本公开的示例性实施例，第一导通件122可穿透第一绝缘层141，以使第一电路层131和第一金属层151彼此电连接。另外，第二导通件123可穿透第二绝缘层142，以使第二电路层132和第二金属层152彼此电连接。
[0069]根据本公开的不例性实施例，第一导通件122、第二导通件123、第一金属层151和第二金属层152可由电路板领域中通常使用的导电金属形成。例如，第一导通件122、第二导通件123、第一金属层151和第二金属层152可由铜形成。
[0070]图5示出了第二金属层152的厚度比第一金属层151的厚度厚的情况。然而，第二金属层152的厚度也可与第一金属层151的厚度相同，或者第二金属层152可比第一金属层151的厚度薄。
[0071]参照图6，可形成第一抗蚀剂510。
[0072]根据本公开的示例性实施例，第一抗蚀剂510可覆盖第一金属层151的整个上表面。这是为了在执行蚀刻工艺时保护第一金属层151免受蚀刻剂的影响。
[0073]另外，根据本公开的示例性实施例，可在第二金属层152的下面形成第一抗蚀剂510。在这种情况下，可在第一抗蚀剂510中形成第一开口 511。这里，第一抗蚀剂510可保护将要形成第三电路层(未示出)的电路图案的区域。另外，第一抗蚀剂510的第一开口511可使将要从第二金属层152去除的部分暴露到外部。
[0074]参照图7，可形成第三电路层133。
[0075]根据本公开的示例性实施例，可执行蚀刻工艺。在这种情况下，可从第二金属层
152(图6)去除通过第一抗蚀剂510 (图6)暴露的部分。这样，可使第二金属层152 (图6)图案化以成为第三电路层133。当完成蚀刻工艺时，可去除第一抗蚀剂510 (图6)。
[0076]根据本公开的示例性实施例，第三电路层133可包括安装焊盘139。这里，安装焊盘139可形成在安装区域A中，并且可以是外部组件(诸如电子元件和半导体封装件)在其上被安装为使彼此可电连接的电路图案。
[0077]这里，第三电路层133可通过第二导通件123电连接到第二电路层132。
[0078]根据本公开的示例性实施例，可根据图2至图7形成图1的芯部基板10。根据本公开的示例性实施例，芯部基板10可包括芯部绝缘层111、第一绝缘层141、第二绝缘层142、第一电路层131、第二电路层132和第三电路层133。另外，芯部基板10还可包括在本操作中未形成而是稍后形成的第六电路层(未示出)。
[0079]参照图8，可形成第一阻焊剂层161。
[0080]根据本公开的示例性实施例，可在安装区域A中形成第一阻焊剂层161，以覆盖并保护第三电路层133。在这种情况下，第一阻焊剂层161可向外暴露安装焊盘139。
[0081]根据本公开的示例性实施例，当安装外部组件时，第一阻焊剂层161可保护形成在安装区域A中的第三电路层133免受焊接工艺影响。另外，第一阻焊剂层161可用作防止可由于在焊接工艺中使用过量的焊料而引起的第三电路层133与相邻的安装焊盘139短路的阻挡件。
[0082]根据本公开的示例性实施例，第一阻焊剂层161可由耐热覆盖材料形成。
[0083]参照图9和图10，可形成保护层600。
[0084]根据本公开的示例性实施例，可在安装区域A中形成保护层600。保护层600可包围安装区域A中的第一阻焊剂层161和安装焊盘139。如上所述形成的保护层600可保护安装焊盘139免受外部影响。例如，保护层600可通过防止在执行蚀刻工艺时蚀刻剂与安装焊盘139接触，来防止安装焊盘139被蚀刻剂损坏。
[0085]根据本公开的示例性实施例，保护层600可由高耐热材料形成。因此，在形成在第三电路层133的下面的绝缘层由于受到相对高的温度而发生流动的情况下，保护层600可防止绝缘层流到安装焊盘139中。例如，保护层600可由高耐热干膜形成。
[0086]另外，根据本公开的示例性实施例，可形成薄的保护层600，但也可形成厚的保护层600 (如图10所示)。在形成厚的保护层600 (如图10所示)的情况下，保护层600可更有效地防止绝缘层的流动。将基于图9示出并描述随后的操作。
[0087]参照图11，可形成第三绝缘层143和第四电路层134。
[0088]根据本公开的示例性实施例，可在对应于安装区域A的区域已经被穿孔后，在第二绝缘层142和第三电路层133下面堆叠第三绝缘层143。这里，第三绝缘层143的穿孔部可以是第一腔室191，第一腔室191可形成为使得保护层600插入第一腔室191中。
[0089]根据本公开的示例性实施例，第三绝缘层143可由具有低流动性的非流动型半固化片形成。这里，第三绝缘层143的流动性的程度可表示为:即使执行穿孔工艺也可保持第三绝缘层143的形式的程度。通过使用如上所述的具有低流动性的半固化片，可容易地调节第三绝缘层143的厚度。
[0090]另外，根据本公开的示例性实施例，即使第三绝缘层143由具有低流动性的半固化片形成，由于堆叠过程中的加热工艺和压制工艺，第三绝缘层143也会发生流动。在这种情况下，保护层600可防止第三绝缘层143流进安装区域A中。也就是说，保护层600可用作防止第三绝缘层143的流动的阻挡件。可通过如上所述的保护层600防止出现第三绝缘层143覆盖安装焊盘139的所引起的缺陷。
[0091]根据本公开的示例性实施例，可在第三绝缘层143的下面形成第四电路层134。根据本公开的示例性实施例，可通过在第三绝缘层143的下面堆叠铜箔，然后使铜箔图案化来形成第四电路层134。然而，第四电路层134的形成不限于上述方法。可通过电路板领域中已知的形成电路层的任何方法来形成第四电路层134。
[0092]根据本公开的示例性实施例，第四电路层134可包括封闭第一腔室191的下部的电路图案。结果，封闭第一腔室191的下部的电路图案可防止化学品(诸如蚀刻剂)在随后的工艺中被引入第一腔室191中。因此，可防止对通过第一腔室191暴露的构造部的化学损坏。
[0093]虽然本公开的示例性实施例通过示例的方式描述了通过盖孔工艺形成第四电路层134的情况，但形成第四电路层134的工艺不限于此。也就是说，第四电路层134也可通过半加成工艺(SAP)或改良型半加成工艺(MSAP)来形成。
[0094]根据本公开的示例性实施例，第三绝缘层143和第四电路层134可成为图1的第一基板20。
[0095]参照图12，可形成第四绝缘层144和第三金属层153。
[0096]根据本公开的示例性实施例，可在第三绝缘层143和第四电路层134的下面按照与安装区域A对应的区域已经被穿孔的状态堆叠第四绝缘层144。这里，第四绝缘层144的穿孔部可以是第二腔室192，第二腔室192可形成在第一腔室191的下面。
[0097]根据本公开的示例性实施例，第四绝缘层144可由具有低流动性的非流动型半固化片形成。这里，第四绝缘层144的流动性的程度可表示为:即使执行穿孔工艺也可保持第四绝缘层144的形式的程度。通过使用如上所述的具有低流动性的半固化片，可容易地调节第四绝缘层144的厚度。
[0098]另外，由于在本公开的示例性实施例中通过使用具有低流动性的半固化片调节第三绝缘层143和第四绝缘层144的厚度，因此可容易地调节安装有外部组件的第一腔室191和第二腔室192的深度。
[0099]根据本公开的示例性实施例，可在第四绝缘层144的下面形成第三金属层153。另夕卜，第三金属层153可形成为封闭第四绝缘层144的第二腔室192的下部。根据本公开的示例性实施例，第三金属层153可由电路板领域中使用的导电金属形成。例如，第三金属层153可由铜形成。