形成半导体布置的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及形成半导体布置的方法。
【背景技术】
[0002]在诸如晶体管的半导体器件中，当对器件的栅极施加足够的电压或偏置电压时，电流流过源极区和漏极区之间的沟道区。当电流流过沟道区时，晶体管通常被认为处于“导通”状态，当电流不流过沟道区时，晶体管通常被认为处于“截止”状态。
【发明内容】
[0003]为了解决现有技术中存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种形成半导体布置的方法，包括:在第一介电柱和第二介电柱之间的衬底上形成第一核，形成所述第一核包括:以相对于所述衬底的顶面的第一角度施加第一源材料束；和以相对于所述衬底的顶面的第二角度施加第二源材料束；以及通过旋转所述衬底，同时施加所述第一源材料束和所述第二源材料束由所述第一核形成第一半导体柱。
[0004]在上述方法中，包括:形成所述第一介电柱，从而使得所述第一介电柱的第一侧壁相对于所述衬底的顶面的第一柱角度在约60°至约150°之间；以及形成所述第二介电柱，从而使得所述第二介电柱的第二侧壁面对所述第一侧壁并且相对于所述衬底的顶面的第二柱角度在约60°至约150°之间。
[0005]在上述方法中，包括:形成第三介电柱，从而使得所述第三介电柱的第三侧壁垂直于所述第一侧壁和所述第二侧壁，其中，所述第三侧壁相对于所述衬底的顶面的第三柱角度在约60°至约150°之间；以及形成第四介电柱，从而使得所述第四介电柱的第四侧壁垂直于所述第一侧壁和所述第二侧壁，其中，所述第四侧壁面对所述第三侧壁并且相对于所述衬底的顶面的第四柱角度在约60°至约150°之间。
[0006]在上述方法中，包括以下中的至少一个:形成所述第一核包括在超高真空室中形成所述第一核；或形成所述第一半导体柱包括在超高真空室中形成所述第一半导体柱。
[0007]在上述方法中，施加所述第一源材料束包括以所述第一角度施加II族、III族、IV族、V族或VI族材料中的至少一种，所述第一角度在约35°至约60°之间。
[0008]在上述方法中，施加所述第二源材料束包括以所述第二角度施加II族、III族、IV族、V族或VI族材料中的至少一种，所述第二角度在约35°至约60°之间。
[0009]在上述方法中，包括以下中的至少一个:施加所述第一源材料束包括使用分子束外延；或施加所述第二源材料束包括使用分子束外延。
[0010]在上述方法中，形成所述第一半导体柱包括以相对于所述衬底的顶面的第一半导体柱角度生长所述第一半导体柱，并且所述第一半导体柱与所述第一介电柱的第一侧壁或所述第二介电柱的第二侧壁中的至少一个一致。
[0011]在上述方法中，包括:在所述第一半导体柱的第一部分周围形成源极材料；在所述源极材料上方的所述第一半导体柱的第二部分周围形成栅极材料，其中，所述第一部分位于所述衬底和所述第二部分之间；以及在所述栅极材料上方的所述第一半导体柱的第三部分周围形成漏极材料，其中，所述第二部分位于所述第一部分和所述第三部分之间。
[0012]根据本发明的另一方面，还提供了一种形成半导体布置的方法，包括:在衬底上的介电层中形成沟槽，从而使得所述沟槽由所述介电层的第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁或第四侧壁中的至少一个限定，其中，包括以下中的至少一种:所述第一侧壁相对于所述衬底的顶面的第一沟槽角度在约60°至约150°之间；所述第二侧壁相对于所述衬底的顶面的第二沟槽角度在约60°至约150°之间；所述第三侧壁相对于所述衬底的顶面的第三沟槽角度在约60°至约150°之间；或所述第四侧壁相对于所述衬底的顶面的第四沟槽角度在约60°至约150°之间；在所述沟槽中的所述衬底上形成第一核，形成所述第一核包括:以相对于所述衬底的顶面的第一角度施加第一源材料束；和以相对于所述衬底的顶面的第二角度施加第二源材料束；以及通过旋转所述衬底，同时施加所述第一源材料束和所述第二源材料束由所述第一核形成第一半导体柱。
[0013]在上述方法中，包括以下中的至少一个:形成所述第一核包括在超高真空室中形成所述第一核；或形成所述第一半导体柱包括在超高真空室中形成所述第一半导体柱。
[0014]在上述方法中，施加所述第一源材料束包括以所述第一角度施加II族、III族、IV族、V族或VI族材料中的至少一种，所述第一角度在约35°至约60°之间。
[0015]在上述方法中，施加所述第二源材料束包括以所述第二角度施加II族、III族、IV族、V族或VI族材料中的至少一种，所述第二角度在约35°至约60°之间。
[0016]在上述方法中，施加所述第一源材料束包括使用分子束外延。
[0017]在上述方法中，施加所述第二源材料束包括使用分子束外延。
[0018]在上述方法中，形成所述第一半导体柱包括以相对于所述衬底的顶面的第一半导体柱角度并且在与所述沟槽的长度一致的方向上生长所述第一半导体柱。
[0019]在上述方法中，包括:在所述第一半导体柱的第一部分周围形成源极材料；在所述源极材料上方的所述第一半导体柱的第二部分周围形成栅极材料，其中，所述第一部分位于所述衬底和所述第二部分之间；以及在所述栅极材料上方的所述第一半导体柱的第三部分周围形成漏极材料，其中，所述第二部分位于所述第一部分和所述第三部分之间。
[0020]根据本发明的又一方面，还提供了一种形成半导体布置的方法，包括:在衬底上形成第一介电柱，所述第一介电柱具有第一柱高度和第一柱宽度；在所述衬底上形成第二介电柱，所述第二介电柱具有第二柱高度和第二柱宽度，所述第二介电柱与所述第一介电柱分隔开第一距离，其中，所述第一距离与所述第一柱宽度的比率大于2的平方根，并且所述第一柱宽度与所述第一柱高度的比率小于2的平方根；在所述第一介电柱和所述第二介电柱之间的所述衬底上形成第一核，形成所述第一核包括:以相对于所述衬底的顶面的第一角度施加第一源材料束；和以相对于所述衬底的顶面的第二角度施加第二源材料束；以及通过旋转所述衬底，同时施加所述第一源材料束和所述第二源材料束由所述第一核形成第一半导体柱。
[0021]在上述方法中，包括以下中的至少一种:形成所述第一介电柱包括形成所述第一介电柱，从而使得所述第一介电柱的第一侧壁相对于所述衬底的顶面的第一柱角度在约60°至约150°之间；或形成所述第二介电柱包括形成所述第二介电柱，从而使得所述第二介电柱的第二侧壁相对于所述衬底的顶面的第二柱角度在约60°至约150°之间。
[0022]在上述方法中，包括以下中的至少一种:施加所述第一源材料束包括使用分子束外延以所述第一角度施加II族、III族、IV族、V族或VI族材料中的至少一种，所述第一角度在约35°至约60°之间；或施加所述第二源材料束包括使用分子束外延以所述第二角度施加II族、III族、IV族、V族或VI族材料中的至少一种，所述第二角度在约35°至约60°之间。
【附图说明】
[0023]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
[0024]图1是根据一些实施例的在制造阶段的半导体布置的透视图的说明。
[0025]图2是根据一些实施例的在制造阶段的半导体布置的自顶向下视图的说明。
[0026]图3是根据一些实施例的在制造阶段的半导体布置的透视图的说明。
[0027]图4是根据一些实施例的在制造阶段的半导体布置的透视图的说明。
[0028]图5是根据一些实施例的在制造阶段的半导体布置的透视图的说明。
[0029]图6是根据一些实施例的在制造阶段的半导体布置的透视图的说明。
[0030]图7是根据一些实施例的在制造阶段的半导体布置的透视图的说明。
[0031]图8是根据一些实施例的在制造阶段的半导体布置的透视图的说明。
[0032]图9是根据一些实施例的在制造阶段的半导体布置的透视图的说明。
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