电子构件的剥离方法及叠层体的利记博彩app
【技术领域】
[0001] 本发明涉及可以通过给予能量而在不损伤电子构件的情况下容易地将其剥离的 电子构件的剥离方法、以及叠层体。
【背景技术】
[0002] 以往提出了,在例如1C芯片的制造工序中,将从高纯度的硅单晶等切出的厚膜晶 片研磨直到规定的厚度而制成薄膜晶片的情况下,通过将厚膜晶片与支持基板粘接而进行 增强,从而高效率地进行操作。厚膜晶片与支持板在研磨工序中需要牢固地粘接,另一方 面,要求在研磨工序结束后在不损伤所得的薄膜晶片的情况下从支持基板剥落。
[0003] 由此,要求将板状物质彼此粘接,并且之后可以在不损伤板状物质的情况下容易 地剥离。
[0004] 作为剥离的方法,例如,可以考虑施加物理的力进行剥离。然而,该方法在被粘物 柔软的情况下有时具有重大的损伤。
[0005] 此外,也可以考虑使用溶解粘接剂的溶剂来剥离的方法。然而,该方法也在被粘物 为被溶剂侵害的被粘物的情况下不能使用。
[0006] 由此,暂时粘接所用的粘接剂存在粘接力越牢固,贝在不损伤被粘物的情况下进 行剥离越困难这样的问题。
[0007] 为了将板状物质彼此粘接,并且之后在不损伤板状物质的情况下容易地剥离,提 出了使用通过给予热、光、振动、超声波等能量而粘接力降低或丧失的粘接剂。作为通过给 予能量而粘接力降低或丧失的粘接剂,提出了包含气体发生成分的粘接剂、包含热膨胀性 微球的粘接剂、通过能量而粘接剂成分进行交联反应从而粘接力降低的粘接剂等(参照专 利文献1~8)。
[0008] 现有技术文献
[0009] 专利文献
[0010] 专利文献1 :日本特开平5-43851号公报
[0011] 专利文献2 :日本特开平11-166164号公报
[0012] 专利文献3 :日本特许第4238037号公报
[0013] 专利文献4 :日本特开2003-173993号公报
[0014] 专利文献5 :日本特许第5006497号公报
[0015] 专利文献6 :日本特开2003-151940号公报
[0016] 专利文献7 :日本特开2001-200234号公报
[0017] 专利文献8 :日本特开2003-173989号公报
[0018] 专利文献9 :美国专利8114766号公报
【发明内容】
[0019] 发明所要解决的课题
[0020] 然而,即使使用通过给予能量而粘接力降低的自剥离型的粘接剂,粘接力降低的 程度也小,因此存在不能充分地剥离被粘物,或剥离被粘物需要大的能量,或制造工序的进 行速度变慢,或被粘物受到为了剥离而给予的热、光等能量的影响这样的问题。
[0021] 本发明鉴于上述现状,目的在于提供通过给予能量而可以在不损伤电子构件的情 况下容易地将其剥离的电子构件的剥离方法以及可以用于该方法的叠层体。
[0022] 用于解决课题的方法
[0023] 以下记载本发明。
[0024] [1] -种电子构件的剥离方法,是从在支持基板(a)上经由粘接膜(b)而贴附有电 子构件(c)的叠层体剥离所述电子构件(c)的方法,
[0025] 所述粘接膜(b)在所述支持基板(a)侧具备自剥离型粘接层,并且具备所述电子 构件(c)侧的面的至少一部分露出了的区域,
[0026] 所述电子构件的剥离方法包含下述工序:
[0027] 对所述区域赋予能量,使该区域的所述支持基板(a)与所述自剥离型粘接层的粘 接力降低的工序,
[0028] 进一步赋予能量,以粘接力降低了的所述区域的所述支持基板(a)与所述自剥离 型粘接层的界面作为起点,使所述支持基板(a)与所述自剥离型粘接层的粘接力降低而除 去所述支持基板(a)的工序,以及
[0029] 从所述电子构件(c)除去所述粘接膜(b),剥离所述电子构件(c)的工序。
[0030] [2]根据[1]所述的电子构件的剥离方法,所述能量为选自热、光、振动、应力和超 声波中的任一种。
[0031] [3]根据[1]或[2]所述的电子构件的剥离方法,所述粘接膜(b)露出着的所述区 域沿着所述电子构件(c)的整个外缘而存在。
[0032] [4]根据[1]~[3]的任一项所述的电子构件的剥离方法,所述电子构件(c)为硅 晶片、陶瓷电容器或半导体封装。
[0033] [5] -种叠层体,是在支持基板(a)上经由粘接膜(b)而贴附有电子构件(c)的叠 层体,
[0034] 所述粘接膜(b)在所述支持基板(a)侧具备自剥离型粘接层,并且具备所述电子 构件(c)侧的面的至少一部分露出了的区域。
[0035] 发明的效果
[0036] 根据本发明,可以提供通过给予热、光、振动、应力、超声波等能量而可以在不损伤 作为被粘物的电子构件的情况下从支持基板容易地剥离的电子构件的剥离方法以及可以 用于该方法的叠层体。
【附图说明】
[0037] 上述目的以及其它目的、特征和优点通过以下所述的优选实施方式和其所附带的 以下附图进一步明确。
[0038] 图1是显示本实施方式的叠层体的概略截面图和电子构件的剥离方法的工序截 面图。
[0039] 图2是说明本发明的效果的叠层体的概略截面图。
[0040] 图3是说明本发明的效果的叠层体的概略截面图。
[0041] 图4是说明实施例中的剥离性评价方法的图。
【具体实施方式】
[0042] 以下,关于本发明的实施方式,适当使用附图来说明。另外,在全部附图中,对同样 的构成要素附上同样的符号,适当省略说明。
[0043] 本实施方式的电子构件的剥离方法是从在支持基板(a)上经由粘接膜(b)而贴附 有电子构件(c)的叠层体剥离电子构件(c)的方法。本实施方式的电子构件的剥离方法, 可以作为使用了图1(a)所示的叠层体10的方法来说明。首先,对本实施方式的叠层体进 行说明。
[0044] <叠层体>
[0045] 本实施方式的叠层体,如图1 (a)所示,在支持基板12上经由粘接膜14而贴附有 电子构件16。粘接膜14在支持基板12侧具备自剥离型粘接层17,并且具备电子构件16 侧的面14a露出了的区域A。
[0046] 在本实施方式中区域A沿着电子构件16的整个外缘而存在。在区域A中,粘接膜 14的面14a的面积越大,则剥离所需要的总能量越小。
[0047] 区域A中的粘接膜14与支持基板12的接触面的面积(与面14a的面积同等),相 对于粘接膜14与支持基板12的接触面的整体面积100%,优选为0. 01~30%,更优选为 0· 01~20%,进一步优选为0· 01~10%。
[0048] 例如,在半导体制造工序中,e_WLB (embedded Wafer-Level Ball Grid Array (嵌 入式晶圆级球栅阵列))的树脂密封工艺中,对于直径300mm的电子构件16,优选以粘接膜 14的端部与电子构件16的端部相比靠外侧5mm左右的方式叠层。此外,对于直径450mm的 电子构件16,优选以粘接膜14的端部与电子构件16的端部相比靠外侧5mm左右的方式叠 层。在该树脂密封工艺中,优选相对于距中心的距离,粘接膜14的端部与电子构件16的端 部相比位于2%以上外侧为好,进一步优选相对于距中心的距离,位于3%以上外侧为好。
[0049] [电子构件16、支持基板12]
[0050] 在本实施方式中,电子构件16与支持基板12的组合,根据使用本实施方式的电子 构件的剥离方法的对象来适当选择。
[0051 ]例如,在将本实施方式的电子构件的剥离方法用于晶片承载系统的情况下,支持 基板12为玻璃、SUS等硬质基板,电子构件16为硅基板(硅晶片)。
[0052] 在将本实施方式的电子构件的剥离方法用于陶瓷电容器制造的情况下,支持基板 12为塑料膜等,电子构件16为陶瓷电容器。
[0053] 在将本实施方式的电子构件的剥离方法用于e-WLB的树脂密封工艺的情况下,支 持基板12为石英基板、玻璃基板等,电子构件16为半导体封装。
[0054] [粘接膜 14]
[0055] 本实施方式中的粘接膜14为两面具有粘接性的膜,在一面具备通过给予能量而 粘接力降低或丧失的自剥离型粘接层17 (以下简称为粘接层17)。
[0056] 作为能量,可以举出光、热、振动、应力、超声波等。能量的种类可以根据构成粘接 层17的粘接剂和/或剥离工序来适当选择。
[0057] 作为构成粘接层17的粘接剂,可以举出通过能量而产生气体的粘接剂、包含通过 能量而膨胀的微小粒子的粘接剂、通过能量而进行交联反应的粘接剂等。
[0058] 在本实施方式中,关于粘接膜14,在未图示的基材膜的一面具备粘接层17,在另 一面具备未图示的粘接层。如此,粘接膜14在与电子构件16