片式电子元件及其制备方法
【专利说明】片式电子元件及其制备方法
相关申请的交叉参考
[0001]本申请要求2014年6月24日向韩国知识产权局提交的申请号10-2014-0077155韩国专利申请的优先权，其公开内容并入本申请作为参考。
【背景技术】
[0002]本发明涉及一种片式电子元件及其制备方法。
[0003]电感器，它是片式电子元件之一，是一种典型的无源器件，与电阻和电容一起形成电子电路来移除噪声。
[0004]薄型电感器可以通过在形成内部线圈图案部分后堆叠、压接，并固化磁性片来制备得到，该磁性片由磁性粉末和树脂彼此混合后形成。
[相关的技术文献]
(专利文献I)日本专利公开号2008-166455
【发明内容】
[0005]本发明的一个【具体实施方式】可以提供一种具有能够改善电感和品质(Q)因子特性的片式电子元件，及其制备方法。
[0006]根据本发明的一个【具体实施方式】，片式电子元件可以包括:磁体、以及埋于磁体内的内部线圈部件，其中所述磁体包括具有不同磁导率的第一和第二磁性材料层。
[0007]所述磁体可以包括核心层，核心层包括内部线圈部件；以及分别设置在所述核心层的上部和下部的上、下覆盖层，所述核心层具有磁导率的水平不同于上覆盖层和下覆盖层的至少一个。
【附图说明】
[0008]本申请以上所述及其他方面，特征及其他优势结合以下附图从下面的详述中能够被更清楚地理解，其中:
图1是显示根据本发明的一种【具体实施方式】的片式电子元件的透视图，其中，显示了内部线圈图案部分；
图2是沿着图1中的1-1’线的剖视图；
图3是根据本发明的另一种【具体实施方式】在长度和宽度(L-T)方向的片式电子元件的首丨J视图;
图4是根据本发明的另一种【具体实施方式】在长度和宽度(L-T)方向的片式电子元件的首丨J视图;
图5是根据本发明的另一种【具体实施方式】在长度和宽度(L-T)方向的片式电子元件的首丨J视图;
图6是根据本发明的一种【具体实施方式】的片式电子元件的制备方法的流程图；以及图7A-7D示出了根据本发明的一种【具体实施方式】的片式电子元件的制备方法。
【具体实施方式】
[0009]在下文中，参考附图将对本发明的实施方式进行详细地描述。
[0010]然而，本发明可以以许多不同形式被举例并且不应该被解释为被限制到在此提出的实施方式中。当然，提供的这些实施方式以使本发明彻底和完整，以及向本领域技术人员充分的表达本发明的范围。
[0011]附图中，为了清楚，零件的形状和尺寸可能被放大，以及全部使用相同的参数去命名相同或者相似的零件。
[0012]片式电子元件
[0013]在下文中，根据本发明公开的【具体实施方式】的片式电子元件，具体地，薄型电感器将被详细描述。然而，本发明并不具体的限制于此。
[0014]图1是显示根据本发明的一种【具体实施方式】的片式电子元件的透视图，其中，显示了内部线圈图案部分。
[0015]参照图1，用于电源电路的电源线中的薄型电感器100可能作为片式电子元件的例子被公开。
[0016]根据本发明的一个【具体实施方式】提供的片式电子元件如薄型电感器100可以包括磁体50，埋于磁体50内的内部线圈部件42和44，以及配置在磁体50外表面并电连接到所述内部线圈部件42和44的外部电极80。
[0017]根据本发明的【具体实施方式】的片式电子元件100中，“长度”方向参考附图1的“L”方向，“厚度”方向参考附图1的“W”方向，以及“厚度”方向参考附图1的“T”方向。
[0018]磁体50可以形成薄型电感器100的外部，并且含有，例如铁素体或者金属磁性微粒(ferrite or metal magnetic particles),但是并不具体限制于此。也就是说,磁体50可以含有任意具有磁性的材料。
[0019]金属磁性微粒可以是含有选自由Fe、S1、Cr、Al和Ni组成的组中的一种或多种的合金。例如，金属磁性微粒可以包括Fe-S1-B-Cr非晶态金属微粒，但是并不具体限制于此。
[0020]金属磁性微粒可以以分散的状态被包含在聚合物中，例如环氧树脂、聚酰亚胺等坐寸ο
[0021]在磁体50内部可以配置有绝缘衬底20，例如，聚丙二醇(PPG)衬底、铁素体衬底、金属软磁衬底等等。
[0022]绝缘衬底20可以具有形成在它的中心部分的中心孔，以便穿透它的中心部位，并且该孔可以填满磁性材料，例如铁素体、金属磁性微粒等等，以形成中心部55。形成的中心部55填满磁性材料，这样可以改善电感L。
[0023]具有线圈图案的内部线圈部件42可以在绝缘衬底20的一个表面形成，并且具有线圈图案的内部线圈部件44，可以在所述绝缘衬底20的另一个表面形成。
[0024]内部线圈部件42和44可以包括以螺旋形状形成的线圈图案，并且在绝缘衬底20的一个表面和另一个表面形成的内部线圈部件42和44可以通过穿透绝缘衬底20的导通电极46彼此电连接。
[0025]内部线圈部件42和44以及导通电极46可以使用具有良好的导电性的金属形成，例如，银(Ag)，钯(Pd)，铝(Al)，镍(Ni)，钛(Ti)，金(Au)，铜(Cu)，钼(Pt)，或者它们的合W~.ο
[0026]内部线圈部件42的一个尾部形成在绝缘衬底20的一个表面上，可以在磁体50的长度方向被暴露在它的一个末端表面，并且内部线圈部件44的一个尾部形成在绝缘衬底20的另一个表面上,可以在磁体50的长度方向被暴露在它的另一个末端表面。
[0027]外部电极80可以在磁体50的长度方向分别地形成在磁体50的两个末端表面上，以便分别连接暴露在磁体50长度方向的它的两个末端表面的内部线圈部件42和44。
[0028]外部电极80可以使用具有良好的导电性的金属形成，例如，镍(Ni)，铜(Cu)，锡(Sn),或银(Ag),或者它们的合金等等。
[0029]图2是沿着图1中的线1-1’的剖视图。
[0030]参照图2，根据本发明的【具体实施方式】的磁体50可以含有金属磁性微粒11-13，并且可以被具有不同磁导率的第一和第二磁性材料层分开。
[0031]例如，磁体50可以包括核心层51，核心层51含有内部线圈部件42和44，并且上覆盖层和下覆盖层52和53分别位于核心层51的上方和下方。
[0032]这里，核心层51可以具有不同于上覆盖层和下覆盖层52和53中的至少一个的磁导率。
[0033]通过形成不同的金属磁性微粒11-13的装填系数(packing factors)可以控制核心层51与上覆盖层和下覆盖层52和53具有不同的磁导率。然而，本发明并不具体限制于此。也就是说，任何一个能够控制磁导率使得彼此不同的方法可以被应用。
[0034]例如，核心层51和上覆盖层或者下覆盖层52或者53的磁导率的区别可以为
10-40 H.m0
[0035]根据本发明的一个【具体实施方式】，核心层51可以具有磁导率的水平，大于那些上覆盖层52和下覆盖层53。
[0036]如图2所示，核心层51可以含有第一金属磁性微粒11、粗粉颗粒、以及第二金属磁性微粒12、具有平均粒径小于第一金属磁性微粒11的细粉颗粒的混合物。
[0037]第一金属磁性微粒11具有大的平均粒径，可以实现高磁导率的水平。此外，第一金属磁性微粒11，粗粉颗粒，以及第二金属磁性微粒12，细粉颗粒，彼此被混合可以改善装填系数，从而进一步的提高磁导率和导致改善品质因子(Q)。
[0038]所述上覆盖层和下覆盖层52和53可以含有第三金属磁性微粒13，细粉颗粒。
[0039]由于在上覆盖层和下覆盖层52和53中含有第三金属磁性微粒13、细粉颗粒，可以显示低磁导率的水平，但是低损耗材料，它们可以用来补充损耗增加预期使用的高磁导率材料在核心层51中。
[0040]也就是说，高磁导率材料可以被用于核心层51中，在该核心层51中心部55具有磁通