晶元（wafer)样品，样品尺寸为17*35mil 2。
[0029] 对比例1
[0030] 用MOCVD设备在蓝宝石衬底上生长GaN外延层，外延层厚度6 μ m，用电子束蒸发 机台蒸镀一层1000A嗜度的ITO透明导电层，在wafer表面涂覆光刻胶做为保护层，用ICP 刻蚀机台刻蚀外延片露出台阶和N型GaN层，刻蚀深度1. 3-1. 5 μ m，在透明导电层上制作 P型电极，在N型GaN上制作N型电极，然后用PECVD沉积5丨02制作钝化层，钝化层厚度 接着完成后工艺步骤晶圆减薄、背镀反射层、切割裂片、点测分选等。点测平均亮度 值 165. 74丽。
[0031] 实施例1
[0032] 用MOCVD设备在蓝宝石衬底上生长GaN外延层，外延层厚度6 μ m，用电子束蒸发 机台蒸镀一层1000 A厚度的ITO透明导电层，在wafer表面涂覆光刻胶做为保护层，用ICP 刻蚀机台刻蚀外延片露出台阶和N型GaN层，刻蚀深度1. 3-1. 5 μ m，在透明导电层上制作 P型电极，在N型GaN上制作N型电极，然后用电子束蒸发法制作钝化层Al2O3，钝化层厚度 6Θ0Α,接着完成后工艺步骤晶圆减薄、背镀反射层、切割裂片、点测分选等。点测平均亮度 值 168. 62丽。
[0033] 对比例2
[0034] 用MOCVD设备在蓝宝石衬底上生长GaN外延层，外延层厚度6 μ m，用电子束蒸发 机台蒸镀一层IO(K)A厚度的ITO透明导电层，在wafer表面涂覆光刻胶做为保护层，用ICP 刻蚀机台刻蚀外延片露出台阶和N型GaN层，刻蚀深度1. 3-1. 5 μ m，在透明导电层上制作 P型电极，在N型GaN上制作N型电极，然后用PECVD沉积5丨02制作钝化层，钝化层厚度 1000A,接着完成后工艺步骤晶圆减薄、背镀反射层、切割裂片、点测分选等。点测平均亮度 值 164. 83丽。
[0035] 实施例2
[0036] 用MOCVD设备在蓝宝石衬底上生长GaN外延层，外延层厚度6 μ m，用电子束蒸发 机台蒸镀一层1衝0灰厚度的ITO透明导电层，在wafer表面涂覆光刻胶做为保护层，用ICP 刻蚀机台刻蚀外延片露出台阶和N型GaN层，刻蚀深度1. 3-1. 5 μ m，在透明导电层上制作 P型电极，在N型GaN上制作N型电极，然后用电子束蒸发法制作钝化层Al2O3，钝化层厚度 _〇人，接着完成后工艺步骤晶圆减薄、背镀反射层、切割裂片、点测分选等。点测平均亮度 值 168. 37丽。
[0037] 对比例3
[0038] 用MOCVD设备在蓝宝石衬底上生长GaN外延层，外延层厚度6 μ m，用电子束蒸发 机台蒸镀一层1000 AB度的ITO透明导电层，在wafer表面涂覆光刻胶做为保护层，用ICP 刻蚀机台刻蚀外延片露出台阶和N型GaN层，刻蚀深度1. 3-1. 5 μ m，在透明导电层上制作 P型电极，在N型GaN上制作N型电极，然后用电子束蒸发法制作钝化层Al2O3，钝化层厚度 MQOl接着完成后工艺步骤晶圆减薄、背镀反射层、切割裂片、点测分选等。点测平均亮度 值 167. 58丽。
[0039] 从以上案例的比较看，本发明中钝化层Al2O3相对SiO 2而言，SiO 2钝化层厚度对点 测亮度影响大于Al2O3，具体地，实施例1和实施例2的亮度差值为0. 25mw，而对比例1和对 比例2的亮度差值为0. 91mw ;说明Al2O3穿透率更好，对光的吸收更少，相同厚度的钝化层 对比，Al 2O3点测亮度较高，且600-i000A厚度范围内Al2O3透光率非常理想，对点测亮度影 响较小。
[0040] 以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技 术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修 改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1. 一种L邸忍片的利记博彩app，包括W下步骤： 1) 在衬底材料上制作外延层，包括先制备N-GaN层，再制备P-GaN层； 2) 在外延层上干法刻蚀出相应晶粒图形，露出台阶和N型GaN层； 3) 在外延层上蒸锻形成透明导电层； 4) 在透明导电层上蒸锻金属P电极，在N-GaN层上蒸锻N电极； 5) 在晶圆表面整面蒸锻纯氧化侣作为纯化层，纯氧化侣纯化层的厚度为600-1OOOA; 6) 通过光刻腐蚀工艺在氧化侣纯化层上露出P电极和N电极； 7) 晶圆减薄和切割裂片得到所述L邸忍片； 在上述步骤中，步骤2)和步骤3)的顺序可W调换，且步骤4)和步骤5)的顺序也可W调换。2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤1)中衬底材料选自蓝宝石、碳化娃和 娃，且外延层厚度为5-8Jim。3. 如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤3)中制备的透明导电层的透光率大于 90%，且其电阻率的数量级小于等于10 4。4. 如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤2)中刻蚀深度为1-2ym，切割道的宽 度在10ym-30Jim之间。5. 如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤4)中P电极与P-GaN层和透明导电层 接触，N电极与N-GaN层接触。6. 如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤5)中的蒸锻为电子束蒸发，且腔体溫 度150-300°C，蒸发速率控制在lA/s-lOA/s，腔体真空度高于10 5数量级。7. -种如权利要求1~6中任意一项所述方法制备得到的L邸忍片，其特征在于：所述 忍片在厚度方向上依次包括衬底材料（l)、N-GaN(2)、P-GaN(3)、透明导电层口0(4)和纯氧 化侣纯化层巧），还包括与P-GaN(3)和透明导电层口0(4)接触的P电极（6)和与N-GaN(2) 接触的N电极（7)，且所述纯氧化侣纯化层巧）的厚度为撕斯1〇(游惠。
【专利摘要】本发明提供一种LED芯片的利记博彩app，包括以下步骤：1)在衬底材料上制作外延层，包括先制备N-GaN层，再制备P-GaN层；2)在外延层上干法刻蚀出相应晶粒图形，露出台阶和N型GaN层；3)在外延层上蒸镀形成透明导电层；4)在透明导电层上蒸镀金属P电极，在N-GaN层上蒸镀N电极；5)在晶圆表面整面蒸镀纯氧化铝作为钝化层，纯氧化铝钝化层的厚度为；6)通过光刻腐蚀工艺在氧化铝钝化层上露出P电极和N电极；7)晶圆减薄和切割裂片得到所述LED芯片。使用本发明方法制作LED芯片与传统LED芯片相比，可以大大提高LED芯片外量子效率，同时增加对外力的抵抗能力，起到更好的芯片保护作用。
【IPC分类】H01L33/46, H01L33/00, H01L33/44
【公开号】CN105206724
【申请号】CN201510759712
【发明人】艾国齐, 徐平
【申请人】湘能华磊光电股份有限公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年11月9日