一种垂直结构发光二极管的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种垂直结构发光二极管的利记博彩app。
【背景技术】
[0002]目前GaN基发光二极管(Light Emitting D1de，简称LED)通常异质外延在与之晶系结构相容的蓝宝石衬底上，但蓝宝石衬底的电导率和热导率都较低，影响器件的电学特性和寿命。
[0003]为了解决蓝宝石衬底对GaN基LED性能的限制，通常在蓝宝石衬底上形成GaN基外延层之后，先在GaN基外延层上形成金属反射层，并将金属反射层与Si衬底键合，再采用激光剥离技术，在蓝宝石衬底与GaN基外延层的接触面进行激光剥离，得到Si衬底的GaN基 LEiD0
[0004]在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题:
[0005]激光剥离对GaN基外延层有损伤，造成LED漏电，降低LED的良率。
【发明内容】
[0006]为了解决现有技术对GaN基外延层有损伤的问题，本发明实施例提供了一种垂直结构发光二极管的利记博彩app。所述技术方案如下:
[0007]本发明实施例提供了一种垂直结构发光二极管的利记博彩app，所述利记博彩app包括:
[0008]在蓝宝石衬底上生长外延层，所述外延层包括在所述蓝宝石衬底上依次生长的Al1 xGaxN缓冲层、N型层、发光层、P型层、金属反光层，其中，O < x < I且x沿所述Al1 xGaxN缓冲层的生长方向逐渐增大；
[0009]将所述金属反光层与永久基板键合，所述永久基板采用导电材料；
[0010]采用激光技术在所述外延层上开设从所述永久基板延伸到所述Al1 xGaxN缓冲层的划道；
[0011]采用KOH溶液从所述划道腐蚀所述外延层，将所述蓝宝石衬底从外延层上剥离；
[0012]在所述Al1 xGaxN缓冲层上设置N电极；
[0013]采用劈裂技术将所述外延层和所述永久基板分割成多个发光二极管芯片，其中，所述永久基板为所述发光二极管芯片的P电极。
[0014]可选地，所述划道的深度为10-200 μ m，各所述划道之间的距离为0.01-lmm。
[0015]可选地，所述KOH溶液的温度为30-100°C，所述KOH溶液的摩尔浓度为l-30mol/L0
[0016]可选地，所述金属反光层为NiAg、Ag、Al、NiAl、CrAl、Au或者Pt。
[0017]在本发明一种可能的实现方式中，所述将所述金属反光层与永久基板键合，包括:
[0018]采用粘合胶将所述金属反光层与所述永久基板键合。
[0019]可选地，所述粘合胶为硅胶或者环氧树脂。
[0020]在本发明另一种可能的实现方式中，所述将所述金属反光层与永久基板键合，包括:
[0021 ] 在所述金属反光层上形成第一金属层；
[0022]在所述永久基板上形成第二金属层；
[0023]采用高温压合所述第一金属层和所述第二金属层。
[0024]可选地，所述采用高温压合所述第一金属层和所述第二金属层，可以包括:
[0025]在200-400°C的温度下，压合所述第一金属层和所述第二金属层。
[0026]可选地，所述第一金属层为Au，所述第二金属层为AuSn ;或者，所述第一金属层为AuSn，所述第二金属层为Au ;或者，所述第一金属层和所述第二金属层均为AuSn ;或者，所述第一金属层和所述第二金属层均为Au。
[0027]可选地，所述导电材料为S1、Cu、Au或者Pt。
[0028]本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
[0029]通过采用KOH溶液从延伸到Al1 xGaxN缓冲层的划道腐蚀外延层，Al1 xGaxN缓冲层中X沿Al1 xGaxN缓冲层的生长方向逐渐增大，由于KOH溶液对Al1 xGaxN的腐蚀速率随x的增大而降低，因此腐蚀后的Al1 xGaxN缓冲层的体积与蓝宝石衬底接触的部分最小，从而实现将蓝宝石衬底从外延层上剥离。由于采用的是湿法腐蚀的方式，因此不会对GaN基外延层有损伤，提高了 LED的良率。
【附图说明】
[0030]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0031]图1是本发明实施例提供的一种垂直结构发光二极管的利记博彩app的流程图；
[0032]图2a_图2f是本发明实施例提供的制作发光二极管的过程中发光二极管的结构示意图。
【具体实施方式】
[0033]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
[0034]实施例
[0035]本发明实施例提供了一种垂直结构发光二极管的利记博彩app，参见图1，该利记博彩app包括:
[0036]步骤101:在蓝宝石衬底上生长外延层。
[0037]在本实施例中，外延层包括在蓝宝石衬底上依次生长的Al1 xGaxN缓冲层、N型层、发光层、P型层、金属反光层。其中，O < X < I且X沿Al1 xGaxN缓冲层的生长方向逐渐增大。
[0038]图2a为执行步骤101后得到的LED的结构示意图。其中，I表示蓝宝石衬底，2表不Al1 xGaxN缓冲层，3表不N型层，4表不发光层，5表不P型层，6表不金属反光层。
[0039]具体地，N型层可以为N型GaN层，发光层可以为交替生长的GaN层和InGaN层，P型层可以为P型GaN层。
[0040]可以理解地，Al1 xGaxN缓冲层降低GaN直接在蓝宝石衬底上沉积导致的晶格失配问题，有利于提高外延生长质量，提高了 LED芯片的发光效率。
[0041]优选地，P型层与金属反光层之间采用欧姆接触，降低了 LED芯片的电压。
[0042]可选地，金属反光层可以为NiAg、Ag、Al、NiAl、CrAl、Au或者Pt。
[0043]优选地，金属反光层可以为NiAg。由于Ni可以与P型GaN之间形成欧姆接触，因此可以降低LED的电压。
[0044]在实际应用中，金属反光层可以采用溅射技术形成在P型层上。
[0045]步骤102:将金属反光层与永久基板键合。
[0046]图2b为执行步骤102后得到的LED的结构示意图。其中，I表示蓝宝石衬底，2表不Al1 xGaxN缓冲层，3表不N型层，4表不发光层，5表不P型层，6表不金属反光层，7表不永久基板。
[0047]在本实施例中，永久基板采用导电材料。
[0048]可选地，导电材料可以为S1、Cu、Au或者Pt。
[0049]优选地，导电材料可以为Si，实现成本低、应用广泛、稳定性好。
[0050]需要说明的是，Si对蓝绿光的吸收系数较高，此时可以通过金属反光层将射向永久基板(Si)的光反射，以减小永久基板对蓝绿光的吸收，提高出光效率。
[0051]在本实施例中的一种实现方式中，该步骤102可以包括:
[0052]采用粘合胶将金属反光层与永久基板键合。
[0053]可选地，粘合胶可以为硅胶或者环氧树脂。
[0054]在本实施例中的另一种实现方式中