晶片的加工方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及晶片的加工方法，在该晶片的表面上通过形成为格子状的间隔道而划分的多个区域中形成有器件，将该晶片沿间隔道分割为一个个器件芯片，并且将用于芯片结合(die bonding)的粘合膜安装于各器件芯片的背面。
【背景技术】
[0002]例如，在半导体器件制造工艺中，在大致圆板形状的半导体晶片的表面上通过形成为格子状的分割预定线而划分的多个区域内形成有IC、LSI等器件，通过将该形成有器件的各区域沿间隔道进行分割来制造一个个半导体器件。作为对半导体晶片进行分割的分割装置一般使用划片(Dicing)装置，该划片装置通过厚度为20?30 μ m左右的切削刀具将半导体晶片沿间隔道进行切削。这样分割而成的半导体器件芯片被封装并广泛利用于移动电话或者个人计算机等电子设备。
[0003]作为将半导体晶片分割为一个个器件芯片的方法，实用化一种被称为所谓的预先划片法的分割技术。该预先划片法是如下的技术:从半导体晶片的表面沿间隔道形成规定的深度(相当于半导体器件芯片的最终厚度的深度)的切削槽，此后，对在表面上形成有切削槽的半导体晶片的背面进行磨削，使切削槽在该背面显出从而分割为一个个半导体器件芯片，通过该预先划片法能够将半导体器件芯片的厚度加工为50 μπι以下。(例如，参照专利文献I。)
[0004]在一个个地分割而成的半导体器件芯片的背面上安装有由聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂、丙烯酸系树脂等形成的厚度20?40 μπι的被称为粘片膜(DAF)的用于芯片结合的粘合膜，通过对经由该粘合膜而支承半导体器件芯片的芯片结合框架进行加热焊接从而实现结合。
[0005]但是，由于无法在将用于芯片结合的粘合膜安装于半导体晶片的背面的状态下通过上述的所谓的预先划片法与半导体器件一同进行分割，因此提出了如下技术:将用于芯片结合的粘合膜安装于已通过所谓的预先划片法分割为一个个半导体器件芯片的半导体晶片的背面，并且将粘合膜侧粘贴于划片带，对该划片带进行扩展从而使粘合膜沿已被一个个地分割的半导体器件芯片断裂(例如，参照专利文献2)。
[0006]专利文献1:日本特开2003-7648号公报
[0007]专利文献2:日本特开2008-235650号公报
[0008]但是，如果将粘合膜安装于已被分割为一个个器件芯片的晶片的背面并且粘贴划片带，对该划片带进行扩展从而使粘合膜沿一个个器件芯片断裂，则存在如下问题:由于粘合膜形成为比晶片稍大，因此粘合膜的外周部会细微破碎而飞散而附着于器件的表面。
[0009]如果细微破碎了的粘合膜附着于显出在半导体器件的表面的电极，则存在如下问题:会对引线接合造成妨碍，会引起导通不良而使器件的品质降低。
【发明内容】
[0010]本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要技术课题是提供一种晶片的加工方法，使安装在通过所谓的预先划片法(Dicing Before Grinding)而被分割为一个个半导体器件芯片的半导体晶片的背面的用于芯片结合的粘合膜沿已被一个个地分割的半导体器件芯片断裂，并且能够防止断裂时细微破碎的粘合膜直接附着于半导体器件的表面。
[0011]为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种晶片的加工方法，在该晶片的表面格子状地形成有多条分割预定线并且在通过该多条分割预定线而划分的各区域中形成有器件，该晶片的加工方法将所述晶片沿分割预定线分割为一个个器件芯片，并且将用于芯片结合的粘合膜安装于各器件芯片的背面，该晶片的加工方法的特征在于，该晶片的加工方法包含:分割槽形成工序，从晶片的表面侧沿分割预定线形成深度相当于器件芯片的最终厚度的分割槽；保护膜形成工序，在实施了该分割槽形成工序的晶片的表面覆盖水溶性树脂而形成保护膜；保护部件粘贴工序，将保护部件粘贴到在该保护膜形成工序中覆盖于晶片的表面的保护膜的表面上；背面磨削工序，对实施了该保护部件粘贴工序的晶片的背面进行磨削而使该分割槽显出于背面，将晶片分割为一个个器件芯片；晶片支承工序，将粘合膜安装于实施了该背面磨削工序的晶片的背面并且在粘合膜侧粘贴划片带，通过环状的框架支承划片带的外周部，并将粘贴于晶片的表面的保护部件剥离；粘合膜断裂工序，扩展划片带而使粘合膜沿一个个器件芯片断裂；以及保护膜清洗工序，对覆盖于晶片的表面的保护膜供给清洗水来冲洗保护膜。
[0012]根据本发明的晶片的加工方法，虽然在粘合膜断裂工序中从晶片的外周缘伸出的粘合膜的外周部的一部分破碎而飞散并下落至器件的表面侧，但是由于在器件的表面上覆盖有保护膜，因此破碎的粘合膜的外周部的一部分附着到覆盖于器件的表面的保护膜的表面，不会出现破碎的粘合膜的外周部的一部分直接附着于器件的表面的情况。因此，通过对覆盖于器件的表面的保护膜供给清洗水而进行冲洗，所附着的粘合膜的外周部的一部分也被去除，因此不会使器件的品质降低。
[0013]此外，由于在上述保护膜形成工序中当在晶片的表面形成保护膜时，水溶性树脂埋设于分割槽，因此当实施背面磨削工序时器件芯片的动作受到限制，不会在器件芯片上产生缺陷，并且能够防止混入了磨削肩的磨削水的侵入，不会污染器件的表面。
【附图说明】
[0014]图1是半导体晶片的立体图。
[0015]图2是示出分割槽形成工序的说明图。
[0016]图3是示出保护膜形成工序的说明图。
[0017]图4是示出保护部件粘贴工序的说明图。
[0018]图5是示出背面磨削工序的说明图。
[0019]图6是示出晶片支承工序的第I实施方式的说明图。
[0020]图7是示出晶片支承工序的第2实施方式的说明图。
[0021]图8是用于实施粘合膜断裂工序的带扩展装置的立体图。
[0022]图9是不出粘合I旲断裂工序的说明图。
[0023]图10是示出保护膜清洗工序的说明图。
[0024]标号说明
[0025]2:半导体晶片；21:分割预定线；22:器件(器件芯片)；210:分割槽；3:切削装置；31:切削装置的卡盘工作台；32:切削机构；323:切削刀具；4:保护膜形成装置；41:旋转工作台；42:树脂液供给喷嘴；400:保护膜；5:保护带；6:磨削装置；61:磨削装置的卡盘工作台；62:磨削机构；634:磨轮；7:粘合膜；8:带扩展装置；81:框架保持机构；82:带扩展机构；9:清洗水供给喷嘴；F:环状的框架；T:划片带。
【具体实施方式】
[0026]下面参照附图对基于本发明的晶片的加工方法的优选的实施方式进行详细的说明。
[0027]图1中示出了半导体晶片2的立体图。图1中所示的半导体晶片2例如由厚度为500 μ m的硅晶片构成，在表面2a格子状地形成有多条分割预定线21。并且，在半导体晶片2的表面2a上，在通过形成为格子状的多条分割预定线21而划分的多个区域中形成有1C、LSI等器件22。以下，对晶片的加工方法进行说明，通过该加工方法，将该半导体晶片2沿分割预定线21分割为一个个器件(器件芯片)22，并且将用于芯片结合的粘合膜安装于各器件22的背面。
[0028]首先，对通过所谓的预先划片法将半导体晶片2分割为一个个器件芯片22的方法进行说明。
[0029]为了通过所谓的预先划片法将半导体晶片2分割为一个个器件22，首先沿形成于半导体晶片2的表面2a的分割预定线21形成规定的深度(相当于各器件的最终厚度的深度)的分割槽(分割槽形成工序)。在本实施方式中，该分割槽形成工序使用图2的(a)所示的切削装置3来实施。图2的(a)所示的切削装置3具备:卡盘工作台31，其保持被加工物；切削机构32，其对保持于该卡盘工作台31的被加工物进行切削；以及拍摄机构33，其对保持于该卡盘工作台31的被加工物进行拍摄。卡盘工作台31构成为对被加工物进行吸引保持，通过未图示的切削进给机构使卡盘工作台31在图2