用于制造波长转换元件的方法、波长转换元件和具有波长转换元件的器件的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种用于制造波长转换元件的方法、一种波长转换元件和一种包含波长转换元件的器件。
【背景技术】
[0002]发光二极管(LED)在窄的波长范围中产生光，通过所述波长范围通常产生单色的发光印象。为了得到多色或混合色的发光印象，通常在LED的下游设置颜料，所述颜料将由LED放射的光部分地转换为具有其他波长的光。因此，通过将经转换的光与最初由LED放射的光叠加，能够得到更宽的波长谱，所述波长谱能够引起多色或混合色的发光印象。
[0003]在此，转换波长的颜料通常嵌入波长转换层中，所述波长转换层必须分割为波长转换元件，以便能够在光电子器件中使用。至今为止，分割不能够以令人满意的质量进行。借助于激光的分割能够造成元件的发黑进而造成LED的亮度损失，锯割不提供在元件中实现留空部的可能性，并且水切割造成波长转换元件的较差的棱边质量。
【发明内容】
[0004]本发明的至少一个实施方式的目的是，提出一种用于制造波长转换元件的改进的方法。其他的目的是提供具有改进的特性的波长换换元件和提供包括这种波长转换元件的器件。
[0005]提出一种用于制造波长转换元件的方法，所述方法包括下述方法步骤:
[0006]A)提供具有第一表面和与第一表面相对置的第二表面的波长转换层，所述波长转换层设置在载体层上；
[0007]B)用等离子体处理第一表面；
[0008]C)至少冲裁波长转换层，其中得到具有第一表面和相对置的第二表面的至少一个波长转换元件。
[0009]在方法步骤A)中，首先制造波长转换层，这例如能够通过模压成型(compress1nmolding)、喷铸或压铸进行。
[0010]借助关于波长转换元件的和波长转换层的第一和第二表面“相对置”分别表示表面的尽可能彼此平行的设置。
[0011]波长转换元件能够具有主延伸平面，所述波长转换元件沿横向方向在所述主延伸平面中延伸。垂直于主延伸平面、沿竖直方向，波长转换元件能够具有厚度。波长转换元件的厚度优选相对于波长转换元件沿横向方向的最大延伸是小的。波长转换元件的主平面形成波长转换兀件的第一表面。
[0012]关于波长转换层的特性、组成、材料和填充度的下述实施方案同样适用于波长转换元件，从波长转换层中分割所述波长转换元件。在此，分割在不进行物理地或化学地改变波长转换层的情况下或仅在改变波长转换层的第一和/或第二表面的条件下进行。
[0013]波长转换层包括至少一种波长转换材料，所述波长转换材料整面地嵌入基质材料中。波长转换材料尤其能够适合于，将最初由半导体芯片产生的光(初级辐射)至少部分地吸收并且作为具有至少部分地与初级辐射不同的波长范围的次级辐射发射。初级辐射和次级辐射能够包括在红外至紫外波长范围中的、尤其在可见波长范围中的一个或多个波长和/或波长范围。在此，初级辐射的光谱和/或次级辐射的光谱能够是窄带的，也就是说，初级辐射和/或次级辐射能够具有单色的或近似单色的波长范围。初级辐射的光谱和/或次级辐射的光谱也能够替选地是宽带的，也就是说，初级辐射和/或次级辐射能够具有混合色的波长范围，其中混合色的波长范围能够具有连续的光谱或带有不同波长的多个离散的光谱分量。初级辐射和次级辐射能够叠加地引起白色的发光印象。替选地，波长转换元件能够将初级辐射完全地转换为次级辐射，其中在该情况下也能够涉及所谓的全转换。
[0014]在此，波长转换材料能够具有一种或多种下述材料:碱土金属的和稀土元素的石植石，例如YAG:CE3+、氮化物、氮化物娃酸盐、S1ne、塞隆(Sialone)、招酸盐、氧化物、齒化磷酸盐、正硅酸盐、硫化物、钒酸盐和氯代硅酸盐。此外，波长转换材料能够附加地或替选地具有有机材料，所述有机材料能够选自下述组:二萘嵌苯、苯并芘、氧杂萘邻酮或罗丹明和偶氮颜料。
[0015]波长转换层能够作为嵌入基质材料中的波长转换材料具有所谓的波长转换材料的适当的混合物和/或组合物。基质材料能够包围或包含波长转换材料或者化学结合到波长转换材料上。在此，波长转换材料能够均匀地分布在基质材料中。波长转换材料例如能够以颗粒的形式成形，所述颗粒能够具有小于或等于100 μ m并且尤其在2 μ m和30 μ m之间的大小。
[0016]此外，波长转换层能够作为基质材料包括透明的基质材料，波长转换材料嵌入所述基质材料中。透明的基质材料能够选自下述组:玻璃、硅氧烷、环氧化物、丙烯酸酯、甲基丙烯酸甲酯、酰亚胺、碳酸酯、聚氨酯或其呈单体、低聚物或聚合物的形式的衍生物并且此外还有其混合物、共聚物或化合物。例如，基质材料能够包括或是环氧树脂、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚氨酯或硅树脂、例如聚硅氧烷或其混合物。
[0017]尤其，基质材料能够包括硅树脂或是硅酮。硅酮能够由于其热塑性的特性一方面是能良好加工的并且另一方面具有波长转换元件所需要的辐射稳定性以及所需要的光学特性、例如透明度。
[0018]此外，波长转换层也能够包括硅酮。在硅酮的情况下，能够借助于等离子体在波长转换层的用等离子体处理的表面上产生S1-O基团和/或S1-OH基团。此外，可能的是，波长转换层包括可水解的化学基团。
[0019]波长转换材料能够在基质材料中以例如多15%和< 80%的填充度存在。波长转换层包括第一表面和与第一表面相对置的第二表面，所述第一表面和所述第二表面也能够称作为波长转换层的上侧和下侧。在此，第二表面或下侧设置在载体层上。
[0020]用于在方法步骤B)中处理第一表面的等离子体能够是氧化的等离子体，例如氧等离子体和/或臭氧等离子体。“处理”在本文中理解为，将第一表面暴露于等离子体一定时间，直至出现表面的改变。改变例如能够通过下述方式通过化学反应引起:等离子体与波长转换层中的基质材料的设置在第一表面上的分子或分子取代基发生反应。在此，在含硅酮的基质材料的情况下，例如能够将CniHn基团氧化，使得S1 2保留在表面上。改变也能够通过基质材料的设置在第一表面上的聚合物的重组引起。通过改变，降低第一表面的粘性或减少第一表面的、例如硅酮的表面附着。也能够涉及由于通过等离子体处理引起的灰化过程造成的玻璃化。因此，也能够在方法步骤C)中冲裁在波长转换层中存在的非常有粘性的或有弹性的基质材料。
[0021]在通过等离子体处理造成的玻璃化的情况下，借助于氧等离子体和/或臭氧等离子体将氧嵌入到波长转换层的有粘性的材料中。这引起，在波长转换层的玻璃化的表面上将波长转换层的有粘性的材料改变为不那么有粘性的玻璃材料。在此，玻璃化的表面能够是第一表面和/或第二表面。因此，那么波长转换层包含有粘性的材料和玻璃材料，其中玻璃材料由有粘性的材料通过引入氧和/或OH基团来产生。
[0022]此外，可能的是，通过玻璃化减少污染物质在波长转换层的玻璃化的表面上的附着力。在此，粘性降低的过程能够通过附着力降低的过程来确定。换言之，材料的粘性越小，那么污染物的附着力就能够越小。此外，由在玻璃化之后的较小的附着力能够推断出相对于在玻璃化之前的玻璃化的表面的表面粗糙度降低的粗糙度。
[0023]玻璃化尤其能够具有特定的渗透深度。换言之，波长转换层在借助等离子体处理的玻璃化之后沿竖直方向、也就是说垂直于玻璃化的表面直至例如能够对应于波长转换层的厚度的例如最高2%的、优选最高I %的渗透深度能够是玻璃化的，即具有玻璃。例如，渗透深度最小为30nm并且最高为600nm。因此，波长转换层能够沿着在制造公差的范围中垂直于第一表面伸展的方向从玻璃化的表面直至渗透深度具有玻璃。在渗透深度之后，波长转换层具有由波长转换层