发光结构和底座的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本发明涉及发光结构，其可安装在不同的底座上或在不同取向中的单个底座上以便在不同的电压下操作发光结构。
【背景技术】
[0002]包括发光二极管（LED)、谐振腔发光二极管（RCLED)、垂直腔激光二极管（VCSEL)和边缘发射激光器的半导体发光器件在当前可得到的最有效的光源之中。在能够跨可见光谱工作的高亮度发光器件的制造中当前感兴趣的材料系统包括第III-V族半导体，特别是镓、铝、铟和氮的二元、三元和四元合金，也被称为III-氮化物材料。一般，通过借助于金属-有机化学气相沉积（M0CVD)、分子束外延（MBE)或其它外延技术使具有不同成分和掺杂剂浓度的半导体层的叠层在蓝宝石、碳化硅、in-氮化物或其它适当的衬底上外延地生长来制造III-氮化物发光器件。叠层常常包括掺杂有例如Si的在衬底上形成的一个或多个η型层、在η型层或多个η型层之上形成的有源区中的一个或多个发光层和掺杂有例如Mg的在有源区之上形成的一个或多个P型层。电接触部在η型和P型区上形成。
[0003]US 6547249在摘要中教导了 “串联或并联的LED阵列在高电阻衬底上形成，使得阵列的P和η接触部都在阵列的同一侧上。个体的LED通过沟槽或通过离子注入与彼此电隔离。沉积在阵列上的互连连接在阵列中的个体LED的接触部。在一些实施例中，LED是在蓝宝石衬底上形成的III-氮化物器件。…在一个实施例中，在单个衬底上形成的多个LED被串联地连接。在一个实施例中，在单个衬底上形成的多个LED被并联地连接”。
【发明内容】
[0004]本发明的目的是提供多个不同的底座或可布置在多个不同的取向中的单个底座，单个发光结构可安装在底座上以便在不同的电压下操作发光结构。
[0005]在根据本发明的实施例的方法中，提供了包括多个发光二极管（LED)的发光结构。每个LED包括P接触部和η接触部。提供了第一底座和第二底座。每个底座包括阳极焊盘和阴极焊盘。至少一个阳极焊盘与P接触部对准，且至少一个阴极焊盘与η接触部对准。该方法还包括将发光结构安装在第一和第二底座之一上。在多个LED之间的第一底座上的电连接不同于在多个LED之间的第二底座上的电连接。第一底座在与第二底座不同的电压下操作。
[0006]本发明的实施例包括发光结构，其包括多个发光二极管（LED)。每个LED具有布置在η型区和P型区之间的发光层、布置在P型区上的P接触部和布置在η型区上的η接触部。发光结构附接到底座。η接触部和P接触部在第一取向和第二取向之一中附接到底座。第一取向在与第二取向不同的电压下操作。
【附图说明】
[0007]图I图示根据本发明的实施例的方法。
[0008]图2是包括多个发光二极管的发光结构的横截面视图。
[0009]图3是底座的横截面视图，图2的发光结构可安装在底座上。
[0010]图4是包括四个LED的发光结构的平面图。
[0011]图5、6和7是底座的平面图，图4的发光结构可安装在底座上。在图5、6和7中图示的每个底座可在不同的电压下操作。
[0012]图8是包括四个LED的发光结构的平面图。
[0013]图9、10和11是底座的平面图，图8的发光结构可安装在底座上。在图9、10和11中图示的每个底座可在不同的电压下操作。
[0014]图12是包括两个LED的发光结构的平面图。
[0015]图13和14图示两个不同的取向，图2的发光结构可以以这两个取向安装在图15的底座上。在图13和14中图示的每个取向可在不同的电压下操作。
[0016]图15是用于在图12中图示的发光结构的底座的平面图。
[0017]图16、17和18图示三个不同的取向，具有LED的2 x 2阵列的发光结构可以以这两个取向附接到底座。在图16、17和18中图示的每个取向可在不同的电压下操作。
【具体实施方式】
[0018]在本发明的实施例中，包括多个半导体发光器件的单个发光结构可附接到多个底座或可在不同的取向中使用的单个底座。不同的底座或单个底座的不同取向可在不同的电压下操作。
[0019]虽然在下面的例子中半导体发光器件是发射蓝光或UV光的II1-氮化物LED，可使用除了 LED以外的半导体发光器件(例如激光二极管)和由其它材料系统(例如其它II1-V材料、II1-磷化物、II1-砷化物、I1-VI材料、ZnO或基于Si的材料)制成的半导体发光器件。
[0020]图1图示根据本发明的实施例的方法。在块2中，提供发光结构。发光结构包括多个发光器件，例如多个LED。图2是下面描述的发光结构的一个例子的横截面视图。图4和8是下面描述的发光结构的例子的平面图。
[0021]在块4中，提供第一底座和第二底座。在块2中描述的发光结构可安装在任一底座上或两个底座上。每个底座具有与发光结构的P接触部和η接触部对准的阳极焊盘和阴极焊盘。图3是底座的横截面视图，图2图示的发光结构可安装在该底座上。下面描述的图5、6和7是可与图4的发光结构一起使用的底座的平面图。下面描述的图9、10和11是可与图8的发光结构一起使用的底座的平面图。LED不同地连接在第一底座和第二底座上。相应地，第一底座和第二底座可在不同的电压下操作。
[0022]在块6中，发光结构安装在第一和第二底座之一上。
[0023]虽然下面的例子示出具有四个LED的发光结构，可使用更多或更少的LED，且LED可布置在除了图示的2 X 2阵列或线性阵列以外的任何适当的配置中。
[0024]图2是发光结构15的例子的横截面视图。在图2的发光结构15中，一个或多个II1-氮化物半导体器件结构12在生长衬底10上生长，如在本领域中已知的。生长衬底10可以是任何适当的衬底，例如蓝宝石、SiC、S1、GaN或复合衬底。每个半导体结构12包括夹在η和P型区之间的发光或有源区。N型区可首先生长，并可包括具有不同成分和掺杂剂浓度的多个层，包括例如制备层例如缓冲层或成核层和/或设计成便于生长的衬底的移除的、可以是η型的或未有意掺杂的层，以及为了对发光区有效地发射光来说合意的特定的光学、材料或电属性而设计的η或甚至P型器件层。发光或有源区在η型区之上生长。适当的发光区的例子包括单个厚或薄发光层或包含由阻挡层分离的多个薄或厚发光层的多个量子井发光区。P型区可然后在发光区之上生长。像η型区一样，P型区可包括具有不同成分、厚度和掺杂剂浓度的多个层，包括未有意掺杂的层或η型层。
[0025]在生长之后，每个半导体结构12可在一个或多个蚀刻步骤中被图案化。例如，金属P接触结构14可在P型层上形成，然后对于每个LED，在每个半导体结构12中的P接触部14、p型区和有源区的部分被移除以暴露η型区中的金属η接触结构所形成于的一部分。在同一或分开的蚀刻步骤中，在半导体结构12之间的区域18中，任何半导体材料可被蚀刻以显露绝缘生长衬底10或显露绝缘层，例如在形成每个半导体结构12的η型区之前生长的非掺杂III-氮化物层。可通过在期望位置20处切割生长衬底来形成器件的组。在一些实施例中，个体的LED从生长衬底10移除并附接到适当的宿主。可使用任何适当的器件，且本发明不限于在图2中的横截面中图示的器件。
[0026]图3是底座25的横截面视图，图2的发光结构可安装在该底座上。图3所示的底座25包括主体22。主体22常常是绝缘材料，例如陶瓷、玻璃或硅。替代地，主体22可以是导电的。在具有导电主体的底座25中，一个或多个绝缘层必须形成以使在主体22上形成的阳极和阴极焊盘电隔离。对于每个器件，阳极焊盘24和阴极焊盘26在主体22的一侧上形成。阳极焊盘24连接到在图2的发光结构15上的对应P接触部14。阴极焊盘26连接到在图2的发光结构15上的对应η接触部16。几组焊盘24和26可在底座25上形成，使得焊盘组的数量对应于在发光结构15上的发光半导体结构12的数量。一个或多个焊盘30和32可在主体22的另一侧上形成，用于电和物理连接到另一结构(例如PC板)。焊盘30和32可以通过在主体22 (未在图3中示出）上或内形成的通