用于质谱流式细胞术的样品分析的利记博彩app
【专利说明】
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 本申请要求2013年4月17提交的美国临时申请号61/812, 893的权益，其全部内 容通过引用被并入本文。
技术领域
[0003] 本发明设及用于细胞分析的借助于质谱流式细胞术的激光烧蚀装置和方法。
[0004] 发明背景 阳0化]与电感禪合等离子体质谱（ICP-M巧联合的激光烧蚀可用于标记有元素标签的生 物样品（细胞、组织等）的成像。每个激光脉冲产生来自样品的烧蚀物质的羽流，其可被转 移W被电离用于通过质谱分析仪的进一步分析。然后，从样品上的每个位置的激光脉冲获 得的信息可用于基于其被分析的内容物而对样品成像。然而，运种技术在其分别辨认产生 自针对样品的每个激光烧蚀脉冲的烧蚀物质的单独羽流的能力上具有局限性。
[0006] 发明概述
[0007] 在一个方面，本发明提供了激光烧蚀质谱流式细胞术分析方法，包括：将激光束的 脉冲导向样品W便产生对于每个脉冲的样品的羽流；区别性地捕获对于每个脉冲的每个羽 流；将区别性地捕获的羽流转移至ICP拟及在ICP中电离区别性地捕获和转移的羽流并产 生用于质谱流式细胞术分析的离子。
[0008] 在相关的方面，本发明提供了激光烧蚀质谱流式细胞仪，包括：用于产生来自样品 的烧蚀的羽流的激光烧蚀源和适合于将激光烧蚀源与质谱流式细胞仪的ICP禪合的喷射 器；所述喷射器具有定位在激光烧蚀源内的入口，所述入口被配置为用于当烧蚀羽流产生 时捕获烧蚀羽流；W及禪合至喷射器的入口的进气口，用于在其间传送气体W便将所捕获 的烧蚀羽流转移进ICP。
[0009] 为了说明而非限制性的目的，还公开了本发明的W下示例性的方面。
[0010] 方面1.公开了一种使用激光烧蚀质谱流式细胞仪的激光烧蚀质谱流式细胞术分 析方法，所述方法包括：a)将激光束的脉冲导向样品的多个位点W便产生对于每个脉冲的 样品的烧蚀羽流；b)区别性地捕获每个烧蚀羽流；C)将每个区别性地捕获的烧蚀羽流转移 至电感禪合等离子体（ICP) ;W及d)在ICP中电离区别性地捕获和转移的烧蚀羽流中的每 个，从而产生用于质谱流式细胞术分析的离子。
[0011] 方面2.如方面1的方法，其中所述激光烧蚀质谱流式细胞仪包括：用于产生来自 样品的烧蚀羽流的激光烧蚀源；用于产生ICP的ICP源；和适合于将烧蚀羽流转移至ICP的 喷射器；所述喷射器具有定位在激光烧蚀源内的喷射器入口，所述喷射器入口被配置为用 于捕获烧蚀羽流；W及禪合至喷射器的入口的进气口，所述进气口被配置为将气体从所述 进气口传送至所述喷射器入口W便将所捕获的烧蚀羽流转移进所述ICP。
[0012] 方面3.如方面2的方法，其中所述喷射器入口被配置为用于当烧蚀羽流产生时捕 获所述烧蚀羽流的全部或部分。
[0013] 方面4.如方面1-3的任一项的方法，其中所述烧蚀羽流通过对准置于基底上的包 含样品的祀的激光脉冲来产生。
[0014] 方面5.如方面1-3的任一项的方法，其中所述烧蚀羽流通过穿过包含所述样品的 透明祀引导的激光脉冲来产生。
[0015] 方面6.如方面5的方法，其中所述透明祀包含所述样品被放置于其上的透明基 底。
[0016] 方面7.如方面2-6的任一项的方法，其中所述喷射器入口具有采样锥体的形式， 其中所述锥体的较窄部分是喷射器入口的孔。
[0017] 方面8.如方面7的方法，其中所述采样锥体定位在产生烧蚀羽流的区域附近。 [001引方面9.如方面8的方法，其中所述采样锥体定位在远离祀的表面约100微米处。
[0019] 方面10.如方面7-9的任一项的方法，其中所述孔的直径a)是可调整的；b)尺寸 被设置为阻止当所述烧蚀羽流传入所述喷射器时对所述烧蚀羽流的干扰；和/或C)约等于 所述烧蚀羽流的横截面直径。
[0020] 方面11.如方面7的方法，其中所述孔的直径为约100微米。
[OOW方面12.如方面4-12的任一项的方法，还包括将气流引入进喷射器入口和祀之间 的区域，W有助于引导羽流通过喷射器入口。
[0022]方面13.如方面13的方法，其中所述气流横向于所述祀并且至少在喷射器内腔的 邻近所述喷射器入口的部分中横向于喷射器内腔的中屯、线。 阳〇2引方面14.如方面12或13的方法，其中所述祀是透明祀。
[0024]方面15.如方面12-14的任一项的方法，其中所述气流包含氣气。
[00对方面16.如方面12-15的任一项的方法，还包括将转移气流引入喷射器W便朝向ICP转移所述羽流。
[00%] 方面17.如方面16的方法，其中所述气流为约每分钟0. 1升且所述转移流为约每 分钟0. 9升。
[0027] 方面18.如方面16或17的方法，其中所述转移流包含氣气。
[0028] 方面19.如方面1-4、7-13或15-18的任一项所述的方法，其中所述样品在基底 上，且所述烧蚀羽流通过从与所述样品相同的一侧被导向所述样品的激光脉冲来产生。
[0029] 方面20.如方面2-19的任一项的方法，其中所述进气口被配置成将强力冲洗气流 导向形成烧蚀羽流的区域附近，W朝向所述喷射器入口引导所述烧蚀羽流。
[0030] 方面21.如方面20的方法，其中所述进气口包括具有小于喷射器入口的直径的孔 的喷嘴。
[0031] 方面22.如方面1-21的任一项的方法，其中所述激光束来自飞秒激光器。
[0032] 方面23.如方面1的方法，其中所述烧蚀羽流通过穿过包含透明基底和所述样品 的透明祀引导的激光脉冲来产生。
[0033] 方面24.如方面23的方法，其中激光烧蚀质谱流式细胞仪包括：用于产生来自样 品的烧蚀羽流的激光器；电感禪合等离子体（I(P)焰炬；适合于将烧蚀羽流转移至由ICP 焰炬产生的ICP的喷射器；其中所述喷射器包括壁和内腔，且所述喷射器壁的一部分包括 透明基底；其中所述喷射器包括用于将气流引入内腔流动的喷射器入口，且其中所述透明 基底位于所述喷射器入口和所述ICP焰炬之间；所述样品附着至透明基底的内腔侧；所述 烧蚀羽流W横向于喷射器内腔的方向形成并且全部在所述喷射器内腔中形成；W及每个烧 蚀羽流被穿过喷射器内腔朝向ICP流动的气体区别性地捕获。
[0034]方面25.如方面24的方法，其中所述祀的位置在分析期间是固定的。 阳03引方面26.如方面25的方法，其中将激光束的脉冲导向样品的多个位点包括将激光 束移动至遍布静止样品的感兴趣的位点。
[0036] 方面27.如方面26的方法，其中激光束W用于成像的光栅模式移动。
[0037] 方面28.如方面24的方法，其中所述祀的位置在分析期间是变化的。
[0038] 方面29.如方面28的方法，其中，在分析期间，激光束保持静止而所述祀是移动 的。
[0039] 方面30.如方面4-29的任一项的方法，其中所述祀的位置在分析期间是固定的。
[0040] 方面31.如方面30的方法，其中，在分析期间，激光束保持静止而所述祀是移动 的。
[0041] 方面32.如方面4-29的任一项的方法，其中所述祀的位置在分析期间是移动的。
[0042] 方面33.如方面1-32的任一项的方法，其中激光束脉冲产生1微米的烧蚀斑。
[0043] 方面34.如任一前述方面的方法，其中所述烧蚀羽流的横截面直径是100微米的 规模。
[0044] 方面35.如任一前述方面的方法，其中所述喷射器是具有约Imm内径的管。 W45] 方面36.如任一前述方面的方法，其中通过每个激光脉冲形成的烧蚀羽流包含具 有约1ym或更小的尺寸的样品颗粒。
[0046] 方面37.如前述方面的任一项的方法，其中当所述烧蚀羽流转移至ICP时，所述烧 蚀羽流的传播保持在喷射器内腔的内径内。
[0047] 方面38. -种激光烧蚀质谱流式细胞仪，包括：用于产生来自样品的烧蚀羽流的 激光烧蚀源；从表面发射激光束的激光器，所述表面被定向为将光束指向激光烧蚀源中包 含的样品；电感禪合等离子体（ICP)焰炬；适合于将激光烧蚀源与由ICP焰炬产生的ICP禪 合的喷射器；所述喷射器具有定位在激光烧蚀源内的喷射器入口，所述喷射器入口配置为 用于当烧蚀羽流产生时捕获所述烧蚀羽流；W及禪合至所述喷射器的所述喷射器入口的进 气口，所述进气口被配置为将气体从所述进气口传送至所述喷射器入口W便将所捕获的烧 蚀羽流转移进所述ICP。
[0048] 方面39.如方面38的流式细胞仪，被配置为使得激光束被直接定向为朝向所述喷 射器入口的开口。
[0049] 方面40.如方面39的流式细胞仪，被配置为使得激光束至少在内腔的邻近喷射器 入口的部分处与喷射器的内腔对齐。
[0050] 方面41.如方面39的流式细胞仪，被配置为使得激光束的投影至少在内腔的邻近 喷射器入口的部分中横向于喷射器内腔的中屯、线。
[0051] 方面42.如方面38-41的任一项的流式细胞仪，其中所述激光烧蚀源适合于接纳 透明祀。 阳〇巧方面43.如方面42的流式细胞仪，还包括透明祀。 阳05引方面44.如方面42或43的流式细胞仪，其中所述透明祀包括透明基底和所述样 品D
[0054]方面45.如方面38-44的任一项的流式细胞仪，其中喷射器入口的孔的直径小于 喷射器的内径。 阳化5] 方面46.如方面38-44的任一项的流式细胞仪，其中喷射器入口具有采样锥体的 形式。
[0056] 方面47.如方面46的流式细胞仪，其中所述采样锥体定位在产生烧蚀羽流的区域 附近。
[0057] 方面48.如方面46的流式细胞仪，其中所述孔的直径是可调整的。
[0058] 方面49.如方面45-48的任一项的流式细胞仪，包括透明祀。
[0059] 方面50.如方面38-49的任一项的流式细胞仪，还包括被配置为至少在所述内腔 的邻近所述喷射器入口的部分处W横向于所述喷射器的内腔的中屯、线的方向引导气体的 气流入口。
[0060] 方面51.如方面38-50的任一项的流式细胞仪，还包括被配置为引导气体穿过所 述透明祀的表面朝向所述孔W有助于引导所述烧蚀羽流穿过喷射器入口的气流入口。
[0061] 方面52.如方面51的流式细胞仪，其中所述喷射器入口具有采样锥体的形式，所 述流式细胞仪还包括被定位配置为引导气体进入喷射器内腔的转移气流入口。
[0062] 方面53.如方面38的流式细胞仪，包括被配置为引导所述烧蚀羽流进入喷射器入 口的强力冲洗进气口。
[006引方面54.如方面53的流式细胞仪，其中所述强力冲洗进气口包括具有小于喷射器 入口的孔的孔的喷嘴。
[0064] 方面55. -种激光烧蚀质谱流式细胞仪，包括：用于产生来自样品的烧蚀羽流的 飞秒激光器；电感禪合等离子体（I(P)焰炬；适合于转移烧蚀羽流至由ICP焰炬产生的ICP 的喷射器；其中喷射器包括壁和内腔，且喷射器壁的一部分包括透明基底，所述透明基底适 合于接纳所述样品；其中所述喷射器包括用于将气体引入内腔的喷射器入口，其中所述透 明基底位于所述喷射器入口和所述ICP焰炬之间。
[0065] 方面56.如方面55的流式细胞仪，其中透明基底相对于喷射器壁的其他部分是可 移动的。
[0066] 方面57.如方面56的流式细胞仪，其中透明基底可相对于喷射器壁的其他部分W 光栅模式移动。
[0067] 方面58. -种激光烧蚀系统，包括：a)能够产生激光照射的激光器；b)包括用于 容纳待分析的样品的透明基底的激光烧蚀室或被配置为接纳透明基底的台；和C)用于将 烧蚀羽流运载至ICP的喷射器，所述喷射器包括喷射器开口，其中（a)、化）和（C)被配置成 使得激光照射始于所述台或基底的一侧而所述喷射器开口在另一侧。