薄膜晶体管及其利记博彩app
【技术领域】
[0001]本发明是关于一种薄膜晶体管及其利记博彩app，特别关于一种以溶液态制造工艺制作薄膜晶体管的方法及所制作的薄膜晶体管。
【背景技术】
[0002]薄膜晶体管技术由于可以直接在玻璃基板上形成晶体管，因此被广泛的应用于显示技术的领域。其中一种薄膜晶体管的利记博彩app是“溶液态制造工艺”，是藉由将金属氧化物前趋物溶液涂布于特定区域，用以形成金属氧化物半导体，当作晶体管的通道层。然而现有的溶液态制造工艺所制作的薄膜晶体管膜厚上都会比一般方式生成(例如溅射)的膜还来的薄，故会降低制造工艺容许度(process window)，且在后续制造工艺很容易影响到晶体管的电性。
【发明内容】
[0003]有鉴于以上的问题，本发明提出一种薄膜晶体管与其利记博彩app，以即使是在一般的制造工艺条件下，仍得到稳定且信赖性高的晶体管。
[0004]依据本发明一个或多个实施例所实现的一种薄膜晶体管，具有基板、位于基板的上表面的栅极、覆盖基板与栅极的绝缘层、源极、漏极与金属氧化物半导体层。其中源极与漏极位于绝缘层的上表面且两者位于第一轴线方向，且该源极与该漏极于该基板上分别具有一正投影面，且两个该正投影面是与栅极部分重叠，其中第二轴线方向垂直于第一轴线方向。金属氧化物半导体层位于源极与漏极的上表面，金属氧化物半导体层厚度T不大于20纳米，并且金属氧化物半导体层在第二轴线方向完全覆盖源极与漏极。可选地，源极与漏极沿第二轴线方向延伸的距离为第一宽度，金属氧化物半导体层沿第二轴线方向延伸的距离为第二宽度，且第二宽度大于第一宽度。
[0005]而依据本发明一个或多个实施例所揭露的一种薄膜晶体管利记博彩app，包括下列步骤:在基板上依序形成栅极以及绝缘层使绝缘层覆盖栅极。基板具有相互垂直的一第一轴线方向与一第二轴线方向。在绝缘层上形成源极以及漏极。其中源极与漏极位于绝缘层的上表面且两者平行位于第一轴线方向，该源极与该漏极于该基板上分别具有一正投影面，且两个该正投影面是与该栅极部分重叠，且第二轴线方向垂直于第一轴线方向。在栅极上方的绝缘层的上表面涂布金属氧化物前趋物溶液使之覆盖源极与漏极。对金属氧化物前趋物溶液进行固化步骤，以形成金属氧化物半导体层。而后对金属氧化物半导体层执行图案化步骤以保留部分的金属氧化物半导体层，并且使被保留的金属氧化物半导体层沿第一轴线方向延伸而覆盖部分的漏极、部分的源极与部分的绝缘层。可选地，源极与漏极沿第二轴线方向延伸的距离为第一宽度，被保留的金属氧化物半导体层沿第二轴线方向延伸的距离为第二宽度，其中第二宽度大于第一宽度且完全覆盖第一宽度。可选地，金属氧化物半导体层的厚度T不大于20纳米。
[0006]综上所述，本发明所揭示的薄膜晶体管利记博彩app，是以溶液态制造工艺铺设金属氧化物半导体层，并以湿式蚀刻定义出所保留的金属氧化物半导体层。同时，藉由在设计蚀刻区域时，让金属氧化物半导体层的宽度较源极/漏极宽度更大，使得蚀刻所造成的金属氧化物半导体层边缘处的缺陷对薄膜晶体管的通道的特性的影响降低，进而提升薄膜晶体管的稳定度与信赖性。
[0007]以上关于本
【发明内容】
的说明及以下的实施方式的说明是用以示范与解释本发明的精神与原理，并且提供本发明的权利要求更进一步的解释。
【附图说明】
[0008]图1A是依据本发明一实施例的薄膜晶体管的俯视示意图。
[0009]图1B是依据本发明一实施例的薄膜晶体管的剖面示意图。
[0010]图1C是依据本发明另一实施例的薄膜晶体管俯视示意图。
[0011]图2A至图2D，其是依据本发明一实施例中的薄膜晶体管利记博彩app各步骤示意图。
[0012]图3A是本发明一对照实施例中对金属氧化物半导体层进行湿式蚀刻时定义欲保留的金属氧化物半导体层的区域的示意图。
[0013]图3B是依图3A的方式所制作的薄膜晶体管的驱动电压(Vgs)与饱和电流(Id, sat)的关系图。
[0014]图4A是本发明一实施例中对金属氧化物半导体层进行湿式蚀刻时定义欲保留的金属氧化物半导体层的区域的示意图。
[0015]图4B是依据图4A的方式所制作的薄膜晶体管的驱动电压(Vgs)与饱和电流(Id, sat)的关系图。
[0016]图5是依据本发明所揭露的方法所制作的薄膜晶体管经过1000秒栅极负电耐久测试(negative gate bias stress, NBS)前后的驱动电压Vgs与饱和电流Id, sat之间的关系O
[0017]图6是依据本发明所揭露的方法所制作的薄膜晶体管经过1000秒栅极正电耐久测试(positive gate bias stress, PBS)前后的驱动电压Vgs与饱和电流Id, sat之间的关系O
[0018]图7是依据本发明所揭露的方法所制作的薄膜晶体管经过1000秒电流耐久测试(current stress)前后的驱动电压Vgs与饱和电流Id, sat之间的关系。
[0019]符号说明:
[0020]100、300、500薄膜晶体管
[0021]110基板
[0022]111上表面
[0023]120、320栅极
[0024]130、330绝缘层
[0025]131上表面
[0026]140、340、540源极
[0027]150、350、550漏极
[0028]160、360、560金属氧化物半导体层
[0029]340a、340b、350a、350b、360a、360b 侧缘
[0030]161第一侧缘
[0031]163第二侧缘
[0032]140a、150a第三侧缘
[0033]140b、150b第四侧缘
[0034]162金属氧化物前趋物溶液
[0035]A1、A2轴线方向
[0036]C01、C02、C1 ?C8曲线
[0037]dl3、d24、dr距离
[0038]LI ?L4准线
[0039]LG、LS长度
[0040]T厚度
[0041]Wl、W2、W1、Wg、Wds宽度
【具体实施方式】
[0042]以下在实施方式中详细叙述本发明的详细特征以及优点，其内容足以使任何本领域技术人员了解本发明的技术内容并据以实施，且根据本说明书所揭露的内容、权利要求及图式，任何本领域技术人员可轻易地理解本发明相关的目的及优点。以下的实施例进一步详细说明本发明的观点，但非以任何观点限制本发明的范畴。
[0043]请参照图1A与图1B，其中图1A是本发明一实施例的薄膜晶体管的俯视示意图，而图1B是本发明一实施例的薄膜晶体管的剖面示意图。如图1A与图1B所示，本发明一实施例的薄膜晶体管100包括基板110、栅极120、绝缘层130、源极140、漏极150以及金属氧化物半导体层160，其中栅极120位于基板110的上表面111，绝缘层130覆盖基板110与栅极120，源极140与漏极150则位于绝缘层130的上表面131且两者位于第一轴线方向Al，栅极120与源极140以及漏极150部分重叠，源极140与漏极150沿第二轴线方向A2延伸的距离为第一宽度Wl (投影面宽度)且第二轴线方向A2垂直于第一轴线方向Al。金属氧化物半导体层160位于源极140与漏极150的上表面，金属氧化物半导体层160的厚度T不大于20纳米，较佳为当厚度T介于5纳米至15纳米时的薄膜晶体管100的特性较佳，金属氧化物半导体层160沿第二轴线方向A2延伸的距离为第二宽度W2，且第二宽度W2大于第一宽度Wl，并且金属氧化物半导体层160在第二轴线方向A2完全覆盖源极140与漏极150。于本发明实施例中，金属氧化物半导体层160为一种溶液态制造工艺形成的金属氧化物(solut1n processed metal oxide)，配置于绝缘层130的上表面131。以溶液态金属氧化物制造工艺制作的金属氧化物半导体层160，其厚度相较其他制造工艺(例如溅射)所制造的更薄，此外可以避免使用真空系统，进而节省成本。而且利用溶液态金属氧化物制造工艺可搭配喷墨制造工艺(ink jet printing)或是连续卷轴技术(roll to roll)，达到节省掩膜甚至完成真正的软性基板制造工艺方式。
[0044]更具体来说，金属氧化物半导体层160于第二轴线方向A2有第一侧缘161与相对的第二侧缘163，其中第一侧缘161切齐于第一准线LI，而第二侧缘163切齐于第二准线L2，源极140与漏极150于第二轴线方向A2的第三侧缘140a与150a切齐第三准线L3而与第三侧相对的第四侧缘140b与150b切齐第四准线L4。第一准线LI与第三准线L3之间的距离dl3至少2微米，而第二准线L2与第四准线L4之间的距离d24也至少2微米。并且第一准线LI与第二准线L2之间的距离也就是第二宽度W2，第三准线L3与第四准线L4之间的距离也就是第一宽度Wl，其中第二宽度W2大于第一宽度Wl。
[0045]此外，栅极120在平行于第一轴线方向Al方向的长度可以定义为栅极长度LG，而金属氧化物半导体层160在平行于第一轴线方向Al方向的长度可以定义为金属氧化物半导体层长度LS。于本实施例中，由图1B可以看出金属氧化物半导体层长度LS小于栅极长度LG。然而请参照图1C，其是依据本发明另一实施例的薄膜晶体管俯视示意图。于本发明另一实施例中，如图1C所示，金属氧化物半导体层长度LS大于栅极长度LG。
[0046]具体来说，欲制作前述的薄膜晶体管的方法，以金属氧化物半导体层160的厚度T等于10纳米为例，请参照图2A至图2D，其是依据本发明一实施例中的薄膜晶体管利记博彩app各步骤示意图。如图2A所示，在基板110的上表面111先形成栅极120，而后形成绝缘层130以覆盖栅极120。举例来说，先于基板110的上表面111铺设金属层，而后以蚀刻的方式图案化所铺设的金属层以保留部分的金属层从而定义出栅极120，而后铺设绝缘层130。
[0047]接着如图2B所示，在绝缘层130的上表面131形成源极140以及漏极150。具体的方法可以类似于形成栅极120的方法，也就是先于绝缘层130的上表面131铺设金属层，而后以蚀刻的方式保留部分的金属层，从而定义出源极140以及漏极150。
[0048]再来，如图2C所示，在栅极120的正上方，绝缘层130的上表面131涂布金属氧化物前趋物溶液162。其中涂布金属氧化物前趋物溶液162的方法可以是旋转涂布、辊轴涂布、帘式涂布、流动式涂布、印刷式涂布、精细凹型涂布、凹型涂布、环棒式涂布等能得到均匀的金属氧化物厚度的方法，然而涂布金属氧化物前趋物溶液的方法并非用以限制本发明，本领域的人员可视需要选择涂布的方式。而金属氧化物前趋物溶液162是以溶剂溶解有机金属前趋物例如2-甲氧基乙醇(