一种电流检测装置及介质膜蚀刻装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体器件制造技术领域，具体涉及一种电流检测装置及介质膜蚀刻装置
【背景技术】
[0002]介质膜蚀刻腔体是半导体生产用于集成电路介质膜刻蚀工艺作用的设备。每个腔体有用于产生磁场的线圈，在工艺过程中，线圈从磁场驱动器得到电流，产生磁场，等离子体在磁场的作用下对晶圆表面进行刻蚀。
[0003]如图1所示，现有的介质膜刻蚀装置的电路示意图。控制单元输出电流信号；磁场驱动装置，用以接收所述电流信号，并根据所述标准电流信号形成驱动电流信号输出；驱动电流信号则驱动蚀刻腔体形成用以对等离子作用的磁场，检测单元用以接收所述电流信号，并根据所述电流信号形成检测信号输出；根据所述驱动电流信号形成一检测信号输出；判断单元接收所述检测信号，判断检测信号是否符合预期标准，如检测信号与预期标准；则通过报警单元输出报警信号。此种方式，仅仅检测了控制单元输出电流是否符合要求，在磁场驱动装置出现故障的状况下，磁场驱动装置输出的电路则与控制单元输出的电流之间出现较大的误差，而该误差未能及时获取，导致刻蚀腔体内的磁场与控制单元输出电路不匹配，进而导致晶圆的刻蚀率不均、产品的成品率大大降低。
【发明内容】
[0004]针对现有技术的不足，本发明提供一种旨在提尚磁场均勾，提升广品成品率的电流检测装置及介质膜蚀刻装置。
[0005]本发明的技术目的通过以下技术手段实现:
[0006]—种电流检测装置，应用于介质膜蚀刻装置，其中，包括:
[0007]控制单元，用于输出一控制电流信号；
[0008]磁场驱动装置，用以接收所述控制电流信号，并根据所述控制电流信号形成驱动电流信号输出；
[0009]检测单元，用以分别接收所述控制电流信号、所述驱动电流信号，并根据所述控制电流信号形成一第一检测信号输出；根据所述驱动电流信号形成一第二检测信号输出；
[0010]判断单元，预制有标准电流信号，分别接收所述第一检测信号和所述第二检测信号，根据所述标准电流信号结合所述第一检测信号和所述第二检测信号形成一判断结果输出；
[0011]报警单元，用以于所述判断结果的作用下执行相应的动作。
[0012]优选地，上述的电流检测装置，其中，还包括蚀刻腔体，用以接收所述驱动电流信号，并根据所述驱动电流信号形成与所述驱动电流信号相匹配的磁场。
[0013]优选地，上述的电流检测装置，其中，还包括蚀刻腔体，用以接收所述磁场驱动电流，于所述判断结果为相同状态下根据所述驱动电流信号形成与所述驱动电流信号相匹配的磁场。
[0014]优选地，上述的电流检测装置，其中，所述蚀刻腔体包括复数个感应线圈，复数个所述感应线圈于所述驱动电流信号的作用下形成所述磁场。
[0015]优选地，上述的电流检测装置，其中，于所述判断结果为不相同时，所述报警单元发出报警信号。
[0016]优选地，上述的电流检测装置，其中，所述磁场驱动装置包括第一磁场驱动器和第二磁场驱动器，所述第一磁场驱动器连接所述控制单元，所述第二磁场驱动器连接所述控制单元。
[0017]—种介质膜蚀刻装置，应用于半导体器件的制造，其中:包括
[0018]控制单元，用于输出一控制电流信号；
[0019]磁场驱动装置，用以接收所述控制电流信号，并根据所述控制电流信号形成驱动电流信号输出；
[0020]检测单元，用以分别接收所述控制电流信号、所述驱动电流信号，并根据所述控制电流信号形成一第一检测信号输出；根据所述驱动电流信号形成一第二检测信号输出；
[0021]判断单元，预制有标准电流信号，分别接收所述第一检测信号和所述第二检测信号，根据所述标准电流信号结合所述第一检测信号和所述第二检测信号形成一判断结果输出；
[0022]蚀刻腔体，用以接收所述磁场驱动电流和所述判断结果，于所述判断结果为相同的状态下，根据所述驱动电流信号形成与所述驱动电流信号相匹配的磁场。
[0023]优选地，上述的介质膜蚀刻装置，其中，还包括，
[0024]开关单元，连接于所述判断单元与所述蚀刻腔体之间，用以于所述判断结果的作用下于导通与断开状态之间切换。
[0025]优选地，上述的介质膜蚀刻装置，其中，还包括，报警单元，连接所述判断单元，于所述判断结果为不相同时，所述报警单元发出报警信号。
[0026]优选地，上述的介质膜蚀刻装置，其中，还包括，所述检测单元由单片机形成。
[0027]与现有技术相比，本发明的优点是:
[0028]通过检测单元检测所述驱动电流信号，一方面可以判断磁场驱动装置是否出现故障，另一方面可以判断控制电流、和/或驱动电流信号是否匹配标准电流信号。仅仅只有在驱动电流信号匹配标准电流状态下，保证介质膜蚀刻装置内部产生的磁场处于均匀状态，通过均匀磁场对晶圆表面进行刻蚀，有利于提高晶圆的刻蚀均匀率，同时提高产品的成品率。当第一检测信号和/或第二检测检测信号不匹配标准电流信号的状态下，报警单元输出报警信号，同时介质刻蚀装置停止工作，因为在驱动电流信号不匹配标准电流状态下，其介质蚀刻装置内部处于无磁场状态或磁场处于不均匀状态，避免利用处于无磁场状态或磁场处于不均匀状态的介质蚀刻装置对晶圆进行刻蚀处理。
【附图说明】
[0029]图1为现有的电流检测装置电路结构示意图；
[0030]图2为本发明的电流检测装置电路结构示意图；
[0031]图3为本发明的介质膜蚀刻装置一种实施方式的结构示意图。
【具体实施方式】
[0032]下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
[0033]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0034]需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0035]下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
[0036]如图2所示，一种电流检测装置，应用于介质膜蚀刻装置，其中，包括:
[0037]控制单元，用于输出一控制电流信号；
[0038]磁场驱动装置，用以接收所述控制电流信号，并根据所述控制电流信号形成驱动电流信号输出；
[0039]检测单元，用以分别接收所述控制电流信号、所述驱动电流信号，并根据所述控制电流信号形成一第一检测信号输出；根据所述驱动电流信号形成一第二检测信号输出；
[0040]判断单元，预制有标准电流信号，分别接收所述第一检测信号和所述第二检测信号，根据所述标准电流信号结合所述第一检测信号和所述第二检测信号形成一判断结果输出；
[0041]报警单元，用以于所述判断结果的作用下执行相应的动作。
[0042]作为进一步优选实施方案，上述的电流检测装置，其中，还包括蚀刻腔体，用以接收所述磁场驱动电流，并根据所述驱动电流信号形成与所述驱动电流信号相匹配的磁场。
[0043]本发明的工作原理是:控制单元输出一控制电流信号；磁场驱动装置接收所述控制电流信号，并根据所述控制电流信号形成驱动电流信号输出；检测单元分别接收所述控制电流信号、所述驱动电流信号，并根据所述控制电流信号形成一第一检测信号输出；根据所述驱动电流信号形成一第二检测信号输出；判断单元，预制有标准电流信号，分别接收所述第一检测信号和所述第二检测信号，根据所述标准电流信号结合所述第一检测信号和所述第二检测信号形成一判断结果输出；报警单元，用以于所述判断结果的作用下执行相应的动作。
[0044]通过检测单元检测所述驱动电流信号，一方面可以判断磁场驱动装置是否出现故障，另一方面可以判断控制电流信号、和/或驱动电流信号是否匹配标准电流信号。仅仅只有在控制电流信号和驱动电流信号均匹配标准电流状态下，保证介质膜蚀刻装置内部产生的磁场处于均匀状态，通过均匀磁场对晶圆表面进行刻蚀，有利于提高晶圆的刻蚀均匀率，同时提高产品的成品率。当第一检测信号和/或第二检测检测信号不匹配标准电流信号的状态下，报警单元输出报警信号，同时介质刻蚀装置停止工作，因为在驱动电流信号不匹配标准电流状态