用于制造光电器件的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种根据权利要求1所述的用于制造光电器件的方法。
[0002]本申请要求德国专利申请DE 10 2013 202 906.3的优先权，其公开内容就此通过引用结合于本文中。
【背景技术】
[0003]公知的是:电子器件配设有壳体，该壳体实现多个不同的功能。已知的壳体例如能够提供与电子器件所包含的半导体芯片的连接和通向电路载体的界面。已知的壳体也能够用于热量管理和用于防止由于静电放电引起损坏。在光电器件、如发光二极管、传感器或光伏会聚器中，壳体也能够实现其他的功能，如光耦合和脱耦、影响空间光分布或光波长转换。
[0004]从DE 10 2009 036 621 Al中已知用于制造光电子半导体器件的方法，其中光电子半导体芯片布置在载体的上侧处。光电半导体芯片利用成形体来改型，该成形体覆盖了光电子半导体芯片的全部侧面。光电子半导体芯片的上侧和下侧优选地保持暴露。在移除载体之后，光电子半导体器件能够被分割。在每个半导体芯片的上侧和/或下侧处能够设置接触部位。成形体例如能够由基于环氧化物的制模材料构造。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于，提供一种用于制造光电子器件的方法。该目的通过具有权利要求I的特征的方法来实现。优选的改进方案在从属权利要求中给出。
[0006]用于制造光电子器件的方法包括:提供具有前侧和后侧的光电子半导体芯片的步骤；将牺牲层施加在后侧上的步骤；用于构造成形体的步骤，其中光电子半导体芯片至少部分地嵌入到成形体中；和移除牺牲层的步骤。有利地，通过该方法在成形体中放置腔室，该腔室自调节地以高精度对准嵌入到成形体中的光电子半导体芯片。
[0007]在本方法的实施方式中，在移除牺牲层之前执行部分地移除成形体的步骤，以便使牺牲层能够被触及。有利地，在该方法中，在部分移除成形体期间通过牺牲层来保护半导体芯片的后侧，从而在部分地移除成形体期间防止损坏半导体芯片的后侧。
[0008]在本方法的一个实施方式中，光电子半导体芯片如下地嵌入到成形体中，使得光电子半导体芯片的前侧与成形体的下侧齐平。有利地，由此在将光电子半导体芯片嵌入到成形体中之后，光电子半导体芯片的前侧露出。由此，光电子半导体芯片的前侧能够有利地用作光电器件的辐射穿过面。
[0009]在本方法的一个实施方式中，在构造成形体之前，执行将光电子半导体芯片布置在载体上的另一步骤，其中光电子半导体芯片的前侧朝向载体的表面。有利地，光电子半导体芯片的前侧在将光电子半导体芯片嵌入到成形体中期间被保护，由此使光电子半导体芯片的前侧随后不由成形体覆盖。
[0010]在本方法的一个实施方式中，载体的表面的第一侧向部段相对于载体的表面的第二侧向部段突起。有利地，载体的表面的侧向结构化在构造成形体期间作为负模(Negative)传递到成形体的下侧上。这有利地实现了，产生具有侧向结构化的下侧的成形体。成形体的下侧的侧向结构化随后能够有利地用于自调节地布置光电器件的附加组件。例如，成形体的侧向结构能够用作光学反射器，以用于容纳波长转换材料或用于固定光学透镜。
[0011 ] 在本方法的一个实施方式中，执行将成形体从载体剥离的另外步骤。有利地，载体随后能够被再次使用。
[0012]在本方法的一个实施方式中，光电子半导体芯片的前侧设置用于使电磁辐射穿过。有利地，光电子半导体芯片此时例如能够是LED芯片或光伏芯片。
[0013]在本方法的一个实施方式中，提供具有布置在后侧上的金属化部的光电子半导体芯片。有利地，布置在后侧上的金属化部在部分地移除成形体期间通过布置在光电子半导体芯片的后侧上的牺牲层来保护，并且由此在部分地移除成形体期间不被损坏。这允许了，在光电子半导体芯片还与另外的光电子半导体芯片位于晶片阵列中期间，金属化部已经布置在光电子半导体芯片的后侧上。这有利地是简单且成本低廉地可行的。在此，不必在将光电子半导体芯片嵌入到成形体中之后才将金属化部布置在光电子半导体芯片的后侧上，由此有利地能够省略光刻工艺步骤。
[0014]在本方法的一个实施方式中，在移除牺牲层之后，执行用于将金属无电流地沉积在光电子半导体芯片的后侧处的另外步骤。有利地，布置在半导体芯片的后侧处的金属化部能够通过无电流地沉积金属而以简单且成本低廉的方式加厚。在此有利地充分利用了以下，即通过之前移除牺牲层在光电子半导体芯片的后侧的区域中布置了在成形体中的腔室，该腔室用作用于金属沉积的自调节的掩模。
[0015]在本方法的一个实施方式中，执行对沉积在光电子半导体芯片的后侧处的金属和成形体进行平面磨削的另外步骤。有利地，由此获得具有特别平坦的表面的成形体。
[0016]在本方法的一个实施方式中，在施加牺牲层和构造成形体之间从晶片阵列中分离出光电子半导体芯片。这有利地实现了，在光电子半导体芯片还与另外的光电子半导体芯片位于晶片阵列中期间，牺牲层已经施加到光电子半导体芯片的后侧上。由此能够简单地且成本尤其低廉地施加牺牲层。
[0017]在本方法的一个实施方式中，导电的传导元件与布置在传导元件上的传导元件牺牲层连同光电子半导体芯片一起嵌入到成形体中。随后。传导元件牺牲层连同牺牲层一起移除。有利地，传导元件能够用作穿过光电器件的成形体的敷镀通孔。
[0018]在本方法的一个实施方式中，多个光电子半导体芯片共同地嵌入到成形体中。在此，随后分解该成形体，以获得多个光电器件。有利地，该方法由此允许在一个共同的工序中并行地制造多个光电器件。由此，能够急剧降低每个光电器件的制造成本。
【附图说明】
[0019]本发明的上述属性、特征和优点以及如何实现这些的方式和方法结合下面对实施例的联系附图更详细阐述的说明而更清晰易懂。在此分别以极示意性的视图示出:
[0020]图1是载体的剖面图；
[0021]图2是具有布置在其上的增附层的载体的视图；
[0022]图3是具有布置在增附层上的光电子半导体芯片的载体的视图；
[0023]图4是具有构造在其上的成形体的载体的剖面图；
[0024]图5是在部分移除其上侧之后的成形体的剖面图；
[0025]图6是在移除牺牲层之后的成形体；
[0026]图7是在沉积了金属之后的成形体；
[0027]图8是从载体剥离之后的成形体；
[0028]图9是在分割成各个光电器件之后的成形体；
[0029]图10是根据第二实施方式的结构化的载体的剖面图；
[0030]图11是具有布置在表面上的增附层和布置在其上的光电子半导体芯片的结构化的载体；
[0031]图12是根据第二实施方式的成形体的剖面图；和
[0032]图13是成形体的从另外的观察方向的其他视图。
【具体实施方式】
[0033]图1示出了载体300的示意剖面图。载体300例如能够以晶圆的形式构造为薄片。载体300例如能够具有硅。然而载体300也能够具有金属或其他的材料。载体300具有基本上平坦的表面301。
[0034]图2示出了载体300的示意剖面图，该载体处于时间上在图1的视图之后的方法状态中。在载体300的表面301上施加了增附层310。增附层310例如能够作为薄膜来构造，该薄膜在一侧具有可热分离的粘结层并且在另一侧上具有常规