晶片的加工方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及沿着分割预定线来分割晶片的晶片加工方法，该晶片在正面上W格子 状形成多个分割预定线并且在由该多个分割预定线划分的多个区域内形成器件。
【背景技术】
[0002] 在半导体器件制造工艺中，利用在作为大致圆板形状的半导体晶片的正面上W格 子状排列的分割预定线来划分多个区域，在所划分的区域内形成IC、LSI等器件。通过沿着 分割预定线切断运样形成的半导体晶片，来分割已形成器件的区域，制造各个器件忍片。
[0003]通常，利用被称为切割银的切削装置进行对上述半导体晶片的沿着分割预定线的 切断。该切削装置具备：卡盘工作台，其保持半导体晶片或光器件晶片等被加工物；切削单 元，其用于切削在该卡盘工作台上保持的被加工物；W及切削进给单元，其使卡盘工作台与 切削单元相对地进行移动。切削单元包含主轴单元，该主轴单元具备旋转主轴、在该主轴上 安装的切削刀片W及旋转驱动旋转主轴的驱动机构。切削刀片由圆盘状的基台和在该基 台的侧面外周部上安装的环状的切割刃构成，切割刃利用电铸在基台上固定例如粒径3ym 左右的金刚石磨粒并形成为厚度为20ym左右。
[0004]然而，因为切削刀片具有20ym左右的厚度，所W作为划分器件的分割预定线需 要50ym左右的宽度，从而具有分割预定线相对于晶片面积所占的面积比率变大、生产性 变差运样的问题。
[0005]另一方面，近年来作为分割半导体晶片等晶片的方法，如W下运样的被称为内部 加工的激光加工方法也已实用化，该内部加工是采用对晶片具有透过性的波长的脉冲激光 光线，在应该分割的区域的内部定位会聚点后照射脉冲激光光线。采用被称为该内部加工 的激光加工方法的分割方法是W下运样的技术，从晶片的一个面侧向内部对准会聚点并照 射对晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线连续地形成改 性层，通过形成该改性层来沿着强度降低的分割预定线施加外力，由此使晶片断裂进行分 割（例如，参照专利文献1)。
[0006]作为如上所述地对沿着分割预定线形成有改性层的晶片，沿着分割预定线施加外 力来将晶片分割为各个器件的方法，在下述的专利文献2中公开了W下运样的技术，在安 装于环状框架的切割带上粘贴沿着分割预定线形成改性层的晶片，通过扩张切割带来对晶 片赋予拉伸力，沿着形成改性层并降低强度的分割预定线将晶片分割为各个器件忍片。
[0007]另外，在下述的专利文献3中公开了W下运样的技术，在沿着分割预定线连续形 成改性层的晶片的正面上粘贴保护带，在卡盘工作台上保持保护带侧，然后对晶片的背面 一边供给磨削水一边进行磨削来形成为规定的厚度，并且将晶片分割为各个器件忍片。
[0008] 现有技术文献 [000引专利文献
[0010] 专利文献1 :日本特开2004-160493号公报
[0011] 专利文献2 :日本特开2005-223282号公报
[0012] 专利文献3:日本特开2013-165229号公报
【发明内容】
[0013] 发明所要解决的课题
[0014] 然而，当在沿着分割预定线连续形成改性层的晶片的正面上粘贴保护带、在卡盘 工作台上保持保护带侧并通过对晶片的背面一边供给磨削水一边进行磨削来形成为规定 的厚度并且将晶片分割为各个器件忍片时，存在如下运样的问题：磨削水从已分割为各个 器件忍片的间隙侵入，使器件忍片的侧面W及正面受到污染，器件忍片的品质降低。
[0015] 另外，当在已分割为各个器件忍片的晶片的背面安装粘结膜并且粘贴切割带并通 过扩张该切割带来使粘结膜沿着各个器件忍片进行断裂时，存在如下运样的问题：因为粘 结膜形成为比晶片稍大，所W粘结膜的外周部破碎后飞散，附着在器件忍片的正面上而导 致器件忍片的品质降低。
[0016] 本发明是鉴于上述情况而作出的，其主要的技术课题是提供如下的晶片的加工方 法：在沿着分割预定线形成改性层的晶片的正面上粘贴保护带、在卡盘工作台上保持保护 带侧并对晶片的背面一边供给磨削水一边进行磨削来形成为规定的厚度并且将晶片分割 为各个器件忍片时，无需污染器件忍片的侧面W及正面就能够实施。
[0017] 解决问题的手段
[0018] 为了解决上述主要的技术课题，根据本发明提供W下运样的晶片的加工方法，将 晶片沿着分割预定线分割为各个器件忍片，该该晶片的正面上W格子状形成了多个分割预 定线，并且在利用该多个分割预定线划分的各区域内形成器件，该晶片的加工方法的特征 是具备W下的工序：保护膜形成工序，在晶片的正面上覆盖液状树脂来形成保护膜；保护 带粘贴工序，在该保护膜的正面上粘贴保护带；改性层形成工序，使会聚点定位于晶片内部 而沿着分割预定线照射对晶片具有透过性的波长的激光光线，在晶片的内部沿着分割预定 线形成改性层；W及背面磨削工序，在实施该保护膜形成工序、该保护带粘贴工序W及该改 性层形成工序之后，一边供给磨削水一边磨削晶片的背面来薄化至规定的厚度，并且W改 性层为断裂起点，将晶片沿着分割预定线分割为各个器件忍片。
[0019] 在实施上述背面磨削工序之后，实施粘结膜断裂工序和保护膜去除工序，该粘结 膜断裂工序在分割为各个器件的晶片的背面安装粘结膜并且粘贴切割带来剥离保护带，并 通过扩张该切割带使粘结膜沿着各个器件断裂，该保护膜去除工序对实施了该粘结膜断裂 工序的各个器件的正面供给清洗液来去除保护膜。
[0020] 发明效果
[0021] 本发明的晶片的加工方法包含W下的工序：改性层形成工序，使会聚点定位于晶 片内部而沿着分割预定线照射对晶片具有透过性的波长的激光光线，在晶片的内部沿着分 割预定线形成改性层；W及背面磨削工序，对于实施该改性层形成工序之后的晶片的背面， 一边供给磨削水一边进行磨削来形成为规定的厚度，并且W改性层为断裂起点，将晶片沿 着分割预定线分割为各个器件忍片，在实施背面磨削工序之前，实施W下的工序：保护膜形 成工序，在晶片的正面上覆盖液状树脂来形成保护膜；保护带粘贴工序，在该保护膜的正面 上粘贴保护带，因此虽然在背面磨削工序中从分割为各个器件忍片的间隙里侵入已混入磨 削屑的磨削水，但因为在半导体晶片的正面上形成有保护膜，所W没有到达器件的正面。因 此，消除了已混入磨削屑的磨削水污染器件而导致品质降低运样的问题。此外，在磨削中， 即使将半导体晶片分割为各个器件，也能够利用比较稳固地覆盖于晶片的正面上的保护膜 来抑制间隙的扩大，因此能够阻止磨削水的侵入并减少器件的侧面污染。
【附图说明】
[0022] 图1是半导体晶片的立体图。
[0023] 图2是示出保护膜形成工序的说明图。
[0024] 图3是示出保护带粘贴工序的说明图。
[00巧]图4是用于实施改性层形成工序的激光加工装置的主要部位立体图。
[0026] 图5是示出改性层形成工序的说明图。
[0027] 图6是示出背面磨削工序的说明图。
[0028] 图7是示出晶片支承工序的第1实施方式的说明图。
[0029] 图8是示出晶片支承工序的第2实施方式的说明图。
[0030] 图9是根据本发明构成的带扩张装置的立体图。
[0031] 图10是示出粘结膜断裂工序的说明图。
[0032] 图11是示出保护膜去除工序的说明图。
[003引标号说明
[0034] 2:半导体晶片
[00对 21:分割预定线
[0036] 22 :器件（器件忍片）
[0037] 23:改性层
[0038] 3:保护膜形成装置
[003引31:旋转工作台
[0040] 32:树脂液供给喷嘴
[00川300:保护膜
[004引4:保护带
[0043]5:激光加工装置
[0044]51:激光加工装置的卡盘工作台
[0045]52:激光光线照射单元
[004引 522 :聚光器
[0047]6 :磨削装置
[0048]61:磨削装置的卡盘工作台
[004引 62 :磨削单元
[0050]634:磨削轮
[0051]7:粘结膜
[005引 8 :带扩张装置
[0053]81 :框架保持单元
[0054]82:带扩张单元 [00巧]9 :清洗水供给喷嘴
[005引F:环状的框架[0057]T:切割带
【具体实施方式】
[005引W下，参照附图来详细说明本发明的晶片的加工方法W及分割装置的优选实施方 式。
[0059] 在图1中示出根据本发明加工的半导体晶片2的立体图。图1所示的半导体晶片 2由厚度为例如500ym的娃晶片构成，在正面2a上W格子状形成多个分割预定线21，并且 在利用该多个分割预定线21划分的多个区域内形成IC、LSI等器件22。W下，说明将该半 导体晶片（W下，有时仅简称为晶片）2沿着分割预定线21分割为各个器件（器件忍片）22 的晶片的加工方法。
[0060] 首先，实施在半导体晶片2的正面2a上覆盖液状树脂来形成保护