二子电极的数量与配置方式也可以是其他各种方式，本发明不以此为限。
[0122]图14示出的为本发明的另一实施例的一种发光装置的剖面示意图。请参照图14，本实施例的发光装置10n与图1B之发光装置10a类似，而两者的差异如下所述。在本实施例中，发光装置10n还包括一反射层140η，至少配置于封装体130a的上表面132a上。在本实施例中，至少部分反射层140η配置于第一电极126a与封装体130a的上表面132a之间，且配置于第二电极128a与封装体130a的上表面132a之间。具体而言，反射层140η可配置于第一电极延伸部126a2与封装体130a的上表面132a之间，且配置于第二电极延伸部128a2与封装体130a的上表面132a之间。反射层140η例如为金、招、银、镍、钛、布拉格反射镜(Distributed Bragg Reflector,简称DBR)、掺有具高反射率的反射粒子的树脂层(例如硅胶层或环氧树脂层)或其组合。反射层140η可将发光单元120a所发出的光往透光层110的方向反射，以使光较有效率地从透光层110侧出光。当反射层140η是由绝缘材料形成时，反射层140η可连成一片而覆盖整个封装体130a的上表面132a。然而，当反射层140η为导电材质或金属材质时，反射层140η配置于第一电极延伸部126a2下的部分要与反射层140η配置于第二电极延伸部128a2下的部分分开，以避免短路。
[0123]图15A不出的为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视不意图，而图15B不出的为沿图15A的线M-M的发光装置的剖面示意图。请参照图15A与图15B，本实施例的发光装置10p与图6A及图6B的发光装置10f类似，而两者的差异如下所述。在本实施例的发光装置10p中，第一电极126p与第二电极128p由磊晶结构层124上向上延伸而凸出于封装体130a的上表面132a。在本实施例中，第一电极126p与第二电极128p皆不覆盖封装体130a的上表面132a。
[0124]具体而言，第一电极126p的第一电极延伸部126p2位于第一电极部126al上且凸出于封装体130a的上表面132a，第二电极128p的第二电极延伸部128p2位于第二电极部128al上且凸出于封装体130a的上表面132a。在本实施例中，第一电极延伸部126p2与第二电极延伸部128p2皆不覆盖封装体130a的上表面132a，且两者实质上共平面。在其他实施例中，第一电极126p与第二电极128p也可以是由磊晶结构层124上向上延伸而不凸出于封装体130a的上表面132a。举例而言，第一电极延伸部126p2的上表面(即背对磊晶结构层124的表面)、第二电极延伸部128p2的上表面(即背对磊晶结构层124的表面)与封装体130a的上表面132a可以实质上共平面。
[0125]在本实施例中，通过第一电极延伸部126p2与第二电极延伸部128p2使第一电极126p与第二电极128p增高，将有助于固晶接合工序的进行。
[0126]图16A不出的为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视不意图，而图16B不出的为沿图16A的线N-N的发光装置的剖面示意图。本实施例的发光装置10q类似于发光装置ΙΟΟρ，而两者的差异如下所述。在本实施例的发光装置10q中，向上延伸的第一电极延伸部包括多个彼此分离的第一子电极126q2，且向上延伸的第二电极延伸部包括多个彼此分离的第二子电极128q2。
[0127]图17A示出的为本发明的另一实施例的一种发光装置的俯视示意图，而图17B示出的为沿图17A的线P-P的发光装置的剖面示意图。请参照图17A与图17B，本实施例的发光装置10r类似于发光装置100q，而两者的差异在于:发光装置10q的第一子电极126q2与第二子电极128q2为层状电极，而本实施例的发光装置10r的第一子电极126r2与第二子电极128r2为球状电极，其可利用植球技术来形成。
[0128]图18A示出的为图1B的发光装置以覆晶方式接合至电路板剖面示意图，而图18B示出的为图18A中区域Ml的局部放大图。请参照图18A与图18B，发光装置10a可通过覆晶接合的方式接合于电路板50。举例而言，第一电极延伸部126a2与第二电极延伸部128a2分别通过两个固化后的锡膏60接合至电路板50上的两个电极垫52。
[0129]在本实施例中，第一电极延伸部126a2与第二电极延伸部128a2各包括一接着层LI及一配置于接着层LI与封装体130a之间的阻障层L2。接着层的材质包括金、锡、铝、银、铜、铟、铋、铂、金锡合金、锡银合金、锡银铜合金(SAC alloy)或其组合，且阻障层的材质包括镍、钛、鎢、金或其组合的合金。接着层LI有利于与锡膏60接合，而阻障层L2可有效避免锡膏60的材料在接合工序中侵入封装体130a而污染了发光装置100a。
[0130]在本实施例中，第一电极延伸部126a2与第二电极延伸部128a2各还包括一反射层L3，至少配置于阻障层L2与封装体130a之间。反射层L3可反射来自磊晶结构层124的光，以提升光利用率。在本实施例中，反射层L3的材质包括金、铝、银、镍、钛或其组合之合金。
[0131]综上所述，由于本发明的发光单元的第一电极与第二电极是从磊晶结构层上向外延伸并覆盖于封装体上，也就是说，本发明的发光装置可具有较大的电极面积，且当后续欲组装至一外部电路上时，也可有效提高组装时的对位精准度。由于本发明的一实施例的发光单元的第一电极与第二电极是从磊晶结构层上向上延伸而凸出于封装体，因此有利于后续的固晶接合工序。
[0132]最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
【主权项】
1.一种发光装置，其特征在于，包括: 发光单元，包括 基板； 磊晶结构层，配置于所述基板上；以及 第一电极与第二电极，分别配置于所述磊晶结构层的同一侧上； 透光层，所述发光单元配置于所述透光层上且至少曝露所述第一电极及所述第二电极；以及 封装体，封装所述发光单元并至少曝露部分所述第一电极及部分所述第二电极，所述第一电极与所述第二电极分别由所述磊晶结构层上向外延伸且分别覆盖至少所述封装体的部分上表面。2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一电极包括连接所述磊晶结构层的第一电极部以及连接所述第一电极部的第一电极延伸部，而所述第二电极包括连接所述磊晶结构层的第二电极部以及连接所述第二电极部的第二电极延伸部，所述第一电极延伸部与所述第二电极延伸部分别向外延伸于至少部分所述封装体的上表面。3.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述第一电极延伸部与所述第二电极延伸部切齐于或内缩于所述封装体的上表面的边缘。4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，还包括一或多个平坦的表面，每一平坦的表面包括所述透光层及所述封装体。5.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述第一电极延伸部包括多个第一栅状电极，而所述第二电极延伸部包括多个第二栅状电极，该些第一栅状电极分布在所述第一电极部与所述封装体的部分上表面上，该些第二栅状电极分布在所述第二电极部与所述封装体的部分上表面上。6.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，至少部分所述第一电极延伸部由第一电极部的边缘往远离所述第二电极部的方向延伸，且至少部分所述第二电极延伸部由所述第二电极部的边缘往远离所述第一电极部的方向延伸。7.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述第一电极延伸部与所述第二电极延伸部分别包括多个彼此分离的子电极。8.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述第一电极延伸部的该些子电极位于所述封装体的上表面上远离所述第二电极的至少一角落，且所述第二电极延伸部的该些第二子电极位于所述封装体的上表面上远离所述第一电极的至少一角落。9.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述第一电极延伸部与所述第二电极延伸部分别包括接着层及配置于所述接着层与所述封装体之间的阻障层。10.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于，所述接着层的材质包括金、锡、铝、银、铜、铟、铋、铂、金锡合金、锡银合金、锡银铜合金或其组合，且所述阻障层的材质包括镍、钛、鎢、金或其组合的合金。11.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述第一电极与所述第二电极分别还包括反射层，分别配置于该些电极延伸部与所述封装体之间。12.根据权利要求11所述的发光装置，其特征在于，所述反射层的材质包括金、铝、银、镍、钛或其组合的合金。13.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，还包括反射层，配置于所述封装体的表面上。14.根据权利要求13所述的发光装置，其特征在于，至少部分所述反射层位于该些电极与所述封装体之间。15.根据权利要求13所述的发光装置，其特征在于，所述反射层的材质包括金、铝、银、镍、钛、布拉格反射镜DBR、掺有具高反射率的反射粒子的树脂层或其组合。16.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，还包括波长转换材料，包覆所述发光单元并至少曝露部分所述第一电极及部分所述第二电极。17.根据权利要求16所述的发光装置，其特征在于，所述波长转换材料包括荧光材料或量子点材料。18.根据权利要求16所述的发光装置，其特征在于，所述波长转换材料是形成在所述发光单元的表面、形成在所述封装体的表面或混合在所述封装体中。19.一种发光装置，其特征在于，包括: 发光单元，包括 基板； 磊晶结构层，配置于所述基板上；以及 第一电极与第二电极，分别配置于所述磊晶结构层而相反于所述基板的同一侧上； 透光层，配置于所述发光单元上且位于所述基板的一侧相反于该磊晶结构层、所述第一电极及所述第二电极；以及 封装体，位于所述发光单元与所述透光层之间，所述封装体封装所述发光单元并至少曝露部分所述第一电极及部分所述第二电极，所述第一电极与所述第二电极分别由所述磊晶结构层上向外延伸且分别覆盖至少该封装体的部分上表面。20.根据权利要求19所述的发光装置，其特征在于，所述第一电极包括连接所述磊晶结构层的第一电极部以及连接所述第一电极部的第一电极延伸部，而所述第二电极包括连接所述磊晶结构层的第二电极部以及连接所述第二电极部的第二电极延伸部，所述第一电极延伸部与所述第二电极延伸部分别向外延伸于至少部分所述封装体的上表面。21.根据权利要求20所述的发光装置，其特征在于，所述第一电极延伸部与所述第二电极延伸部切齐于或内缩于所述封装体的上表面的边缘。22.根据权利要求19所述的发光装置，其特征在于，还包括一或多个平坦的表面，每一平坦的表面包括所述透光层及所述封装体。23.根据权利要求20所述的发光装置，其特征在于，所述第一电极延伸部包括多个第一栅状电极，而所述第二电极延伸部包括多个第二栅状电极，该些第一栅状电极分布在所述第一电极部与所述封装体的部分上表面上，该些第二栅状电极分布在所述第二电极部与所述封装体的部分上表面上。24.根据权利要求20所述的发光装置，其特征在于，至少部分所述第一电极延伸部由第一电极部的边缘往远离所述第二电极部的方向延伸，且至少部分所述第二电极延伸部由所述第二电极部的边缘往远离所述第一电极部的方向延伸。25.根据权利要求20所述的发光装置，其特征在于，所述第一电极延伸部与所述第二电极延伸部分别包括多个彼