低温多晶硅tft基板结构的利记博彩app及低温多晶硅tft基板结构的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种低温多晶硅TFT基板结构的利记博彩app及低温多晶硅TFT基板结构。
【背景技术】
[0002]低温多晶石圭(LowTemperature Poly-silicon, LTPS)薄膜晶体管(Thin FilmTransistor, TFT)在高分辨率有源液晶显不(Active MatrixLiquid Crystal Display,AMLCD)以及有机发光二极管(Active-Matrix Organic Light Emitting D1de,AM0LED)显示器领域有很大的应用价值和潜力。
[0003]与非晶硅(a-Si)技术相比,LTPS TFT的迀移率高,器件稳定性好。LTPS TFT的迀移率可达几十至几百cm2/Vs,可以满足高分辨率AMIXD及AMOLED显示器的要求。因此,低温多晶硅显示器的反应速度较快,且有高亮度、高解析度与低耗电量等优点。除了作为像素开关,LTPS TFT还可以构建周边驱动电路,实现片上集成系统。
[0004]准分子激光退火处理(Excimer Laser Annealing,ELA)是利用激光的瞬间脉冲照射到非晶硅表面,使其溶化并重新结晶的技术。因为AMOLED驱动需要开关TFT和驱动TFT,其中,驱动TFT应具有较一致的电性从而具有一致的驱动能力,以防止在显示过程中导致颜色不均等问题。这就需要驱动TFT区域的多晶硅的晶粒具有较好的一致性,并且晶粒的尺寸较大。
[0005]然而目前的ELA结晶技术对于晶粒的一致性和晶粒的大小不能做到有效控制,所以结晶状况在整个基板的分布上很不均匀,导致驱动TFT区域多晶硅晶粒的一致性较差,且晶粒相对较小,使得驱动TFT的电性一致性和电性稳定性较差,容易导致画质不良等现象的产生。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于提供一种低温多晶硅TFT基板结构的利记博彩app,可以使驱动TFT区域的多晶硅的晶粒具有较好的一致性,且晶粒相对较大,可保证驱动TFT的电性一致性。
[0007]本发明的目的还在于提供一种低温多晶硅TFT基板结构,驱动TFT区域的多晶硅的晶粒一致性较好,且晶粒相对较大,驱动TFT的电性一致性较好。
[0008]为实现上述目的,本发明提供一种低温多晶硅TFT基板结构的利记博彩app,包括如下步骤:
[0009]步骤1、提供基板,所述基板包括开关TFT区域与驱动TFT区域,在所述基板上沉积导热绝缘薄膜,并对所述导热绝缘薄膜进行图案化处理,得到位于所述驱动TFT区域的导热绝缘层;
[0010]步骤2、在所述基板上沉积缓冲层,所述缓冲层覆盖所述导热绝缘层;
[0011]步骤3、在所述缓冲层上沉积非晶硅层,并对所述非晶硅层进行图案化处理,得到位于所述开关TFT区域的第一非晶硅段、及位于所述驱动TFT区域的第二非晶硅段;
[0012]步骤4、对所述第一非晶硅段、第二非晶硅段进行准分子激光退火处理,使所述第一非晶硅段、第二非晶硅段结晶,分别转变为第一多晶硅段、第二多晶硅段;
[0013]步骤5、在所述缓冲层上沉积层间绝缘层,所述层间绝缘层覆盖所述第一多晶硅段、第二多晶硅段;
[0014]步骤6、在所述层间绝缘层上沉积金属层,并对所述金属层进行图案化处理,分别对应所述第一多晶硅段、第二多晶硅段的上方形成第一栅极与第二栅极。
[0015]所述基板为玻璃基板或硅基板。
[0016]所述导热绝缘层的材料为氧化镁或氧化铝。
[0017]所述导热绝缘层的图案为均匀分布且大小一致的圆形、或方形。
[0018]所述步骤2采用化学气相沉积法制得所述缓冲层。
[0019]所述缓冲层的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合。
[0020]所述步骤3采用气相沉积法制得所述非晶硅层。
[0021]所述步骤4采用炉管、准分子激光退火处理设备、或化学气相沉积加热室对所述第一非晶硅段、第二非晶硅段进行准分子激光退火处理。
[0022]本发明还提供一种低温多晶硅TFT基板结构,包括开关TFT区域和驱动TFT区域;
[0023]所述开关TFT区域包括基板、设于所述基板上的缓冲层、设于所述缓冲层上的第一多晶硅段、设于所述缓冲层上覆盖所述第一多晶硅段的层间绝缘层、及对应所述第一多晶硅段上方设于所述层间绝缘层上的第一栅极;
[0024]所述驱动TFT区域包括基板、设于所述基板上的导热绝缘层、设于所述基板上覆盖所述导热绝缘层的缓冲层、设于所述缓冲层上的第二多晶硅段、设于所述缓冲层上覆盖所述第二多晶硅段的层间绝缘层、及对应所述第二多晶硅段上方设于所述层间绝缘层上的第二栅极。
[0025]所述基板为玻璃基板或硅基板;所述导热绝缘层的材料为氧化镁或氧化铝;所述导热绝缘层的图案为均匀分布的圆形、或方形;所述缓冲层的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合。
[0026]本发明的有益效果:本发明的低温多晶硅TFT基板结构的利记博彩app,通过在驱动TFT区域的缓冲层下方设置有规律且大小一致的导热绝缘层图案,在进行后续准分子激光退火处理使非晶硅层结晶的过程中,导热绝缘层会吸收热量,从而使非晶硅的冷却速度加快,形成晶核,并在退火过程逐渐生
[0027]长,由于导热绝缘层具有有规律且大小一致的图案,从而使驱动TFT区域形成的多晶硅层的晶粒具有较好的一致性,且晶粒相对较大,保证了驱动TFT的电性一致性,提升了驱动TFT的电性稳定性,避免了画质不良等现象的产生。本发明的低温多晶硅TFT基板结构,驱动TFT区域的缓冲层下方设置有有规律且大小一致的导热绝缘层图案,驱动TFT区域的多晶硅层的晶粒一致性较好,且晶粒相对较大,驱动TFT的电性一致性较好,电性稳定性较好。
【附图说明】
[0028]为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,然而附图仅提供参考与说明用,并非用来对本发明加以限制。
[0029]附图中,
[0030]图1为本发明的低温多晶硅TFT基板结构的利记博彩app的流程图;
[0031]图2为本发明的低温多晶硅TFT基板结构的利记博彩app的步骤I的示意图;
[0032]图3为本发明的低温多晶硅TFT基板结构的利记博彩app的步骤2的示意图;
[0033]图4为本发明的低温多晶硅TFT基板结构的利记博彩app的步骤3的示意图;
[0034]图5为本发明的低温多晶硅TFT基板结构的利记博彩app的步骤4的示意图;
[0035]图6为本发明的低温多晶硅TFT基板结构的利记博彩app的步骤5的示意图;
[0036]图7为本发明的低温多晶硅TFT基板结构的利记博彩app的步骤6的示意图暨本发明的低温多晶硅TFT基板结构的剖面示意图。
【具体实施方式】
[0037]为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果,以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
[0038]请参阅图1,本发明首先提供一种低温多晶硅TFT基板结构的利记博彩app,包括如下步骤:
[0039]步骤1、如图2所示,提供基板I,所述基板I包括开关TFT区域与驱动TFT区域,在所述基板I上沉积导热绝缘薄膜,并对所述导热绝缘薄膜进行图案化处理,得到位于所述驱动TFT区域的导热绝缘层10。
[0040]具体的,所述基板I可以是玻璃基板或硅基板。
[0041]具体的,所述导热绝缘层10的材料为氧化镁或氧化铝。
[0042]具体的,通过一道光罩对所述导热绝缘薄膜进行图案化处理,于所述驱动TFT区域得到呈均匀分布且大小一致的圆形、方形等图案的导热绝缘层10。
[0043]步骤2、如图3所示,在所述基板I上沉积缓冲层2,所述缓冲层2覆盖所述导热绝缘层10。
[0044]具体的,采用化学气相沉积(CVD)法制得所述缓冲层2。
[0045]具体的,所述缓冲层2的材料可以是氧化硅、氮化硅、或二者的组合。
[0046]步骤3、如图4所示,在所述缓冲层2上沉积非晶硅层,并对所述非晶硅层进行图案化处理,得到位于所述开关TFT区域的第一非晶硅段31、及位于所述驱动TFT区域的第二非晶娃段32。
[0047]具体的,采用气相沉积法制得所述非晶硅层。
[0048]步骤4、如图5所示,对所述第一非晶硅段31、第二非晶硅段32进行准分子激光退火处理(Excimer Laser Annealer, ELA)使所述第一非晶娃段3