共模滤波器及其制造方法
【专利说明】共模滤波器及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引证
[0002]本申请要求于2014年4月22日在韩国知识产权局提交的申请号为第10-2014-0048305号的韩国专利的优先权，其全部内容通过弓I证结合于此。
技术领域
[0003]本发明涉及一种共模滤波器以及该共模滤波器的制造方法。
【背景技术】
[0004]高速数字接口(诸如USB)需要一种处理噪音的部件。能选择性地移除共模噪音的这种部件中的一个为共模滤波器。
[0005]当阻抗在布线系统中未并联时可产生共模噪音。该共模噪音经常产生为较高频率的。这是因为共模噪音还可例如被传递至地面并被大循环地反弹回来，共模噪音在远处的电子设备中引起各种类型的噪音干扰。
[0006]共模滤波器可允许差模信号绕过(bypass)同时选择性地移除共模噪音。在该共模滤波器中，磁通量通过差模信号被抵消，不引起电感产生并允许差模信号绕过。另一方面，磁通量通过共模噪音而被增大，使得电感增大且允许噪音被移除。
[0007]在公开号为第2011-0129844号的韩国专利(共模噪音滤波器；在2011年12月6日特许公开)中披露了本发明的现有技术。
【发明内容】
[0008]本发明提供一种可减少线圈电极与铅电极之间的高度差的共模滤波器及其制造方法。
[0009]本发明的一个方面提供一种共模滤波器，该共模滤波器包括:磁性基板；第一线圈电极，该第一线圈电极形成在该磁性基板上；第一铅电极，该第一铅电极形成在该磁性基板上以与该第一线圈电极的端部连接；第一介电层，该第一介电层形成在该磁性基板上以覆盖该第一线圈电极的上表面和该第一铅电极的上表面；高度补偿电极，该高度补偿电极形成在该第一铅电极的上表面上，以便补偿该第一介电层与该第一铅电极之间的高度差；第二线圈电极，该第二线圈电极形成在该第一介电层上以与该第一线圈电极电连接；第二铅电极，该第二铅电极形成在该第一介电层上以与该第二线圈电极的端部连接并与该高度补偿电极的上表面接触；第二介电层，该第二介电层形成在该第一介电层上以覆盖该第二线圈电极的上表面和该第二铅电极的上表面；以及外部电极，该外部电极形成在第二介电层上以与该第二铅电极电连接。
[0010]该第一介电层中可形成有凹槽，以允许该第一铅电极暴露，并且该高度补偿电极可形成在该凹槽内。
[0011 ] 该高度补偿电极和该第二铅电极可整体形成。
[0012]该高度补偿电极的截面面积可小于该第一铅电极的截面面积。
[0013]该第二铅电极可定位在比该第一铅电极更内部的位置处。
[0014]该第一铅电极可布置在该磁性基板上的角部附近。
[0015]该共模滤波器可还包括形成在该第二介电层上的磁性层。
[0016]该共模滤波器可还包括介入在该磁性基板与该第一介电层之间的介电涂层。
[0017]本发明的另一个方面提供一种用于制造共模滤波器的方法，该方法包括:在磁性基板上形成第一线圈电极；在该磁性基板上形成第一铅电极，该第一铅电极与该第一线圈电极的端部连接；形成第一介电层，该第一介电层能覆盖该第一线圈电极的上表面和该第一铅电极的上表面；在该第一介电层中形成凹槽，以允许该第一铅电极暴露；在该第一介电层上形成第二线圈电极，该第二线圈电极与该第一线圈电极电连接；在该凹槽中形成高度补偿电极，以便补偿该第一介电层与该第一铅电极之间的高度差；在该第一介电层上形成第二铅电极，该第二铅电极与该第二线圈电极的端部连接并且该第二铅电极与该高度补偿电极的上表面接触；在该第一介电层上形成第二介电层，该第二介电层覆盖该第二线圈电极的上表面和该第二铅电极的上表面；以及在该第二介电层上形成外部电极，该外部电极与该第二铅电极电连接。
[0018]该第二铅电极与该高度补偿电极同时地形成。
[0019]形成该高度补偿电极和该第二铅电极的步骤包括:在该凹槽中并且在该第一介电层上形成抗蚀层；形成开口，该开口构造成使该凹槽的内部暴露并使该第一介电层的与该高度补偿电极和该第二铅电极的位置对应的部分暴露；在该开口中形成导电层；以及移除该抗蚀层。
[0020]该方法可还包括在形成该抗蚀层的步骤之前形成籽晶层，并且在形成该导电层的步骤中，该导电层可通过镀覆该籽晶层而形成。
[0021]该方法可还包括在移除该抗蚀层的步骤之后，移除暴露的该籽晶层。
[0022]该第二铅电极和该高度补偿电极可与该第二线圈电极同时形成。
[0023]在形成该高度补偿电极的步骤中，该高度补偿电极的截面面积可小于该第一铅电极的截面面积。
[0024]在形成该第二铅电极的步骤中，该第二铅电极可形成在比该第一铅电极更内部的位置处。
[0025]在形成该第一铅电极的步骤中，该第一铅电极可形成在该磁性基板上的角部附近。
[0026]该方法可还包括在形成该外部电极的步骤之后，在该第二介电层上形成磁性层。
[0027]形成第一线圈电极的步骤可包括:在该磁性基板上形成介电涂层；以及在该介电涂层上形成该第一线圈电极。
【附图说明】
[0028]图1示出了根据本发明实施例的共模滤波器。
[0029]图2为示出了根据本发明实施例的共模滤波器的制造方法的流程图。
[0030]图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11及图12示出了根据本发明实施例的共模滤波器的制造方法的流程。
【具体实施方式】
[0031]在下文中，将参考附图详细地描述根据本发明的共模滤波器及其制造方法的某些实施例。在参考附图对本发明进行描述中，以相同的参考标号表示任何相同或对应的元件，并将不会对其提供多余的说明。
[0032]术语诸如“第一”和“第二”仅用于区分一个元件与其他相同或对应的元件，但上述元件并不被上述术语限制。
[0033]当一个元件被描述为“耦接”至另一个元件时，其并不是仅指在这些元件之间的物理上的直接接触，而其还应包括在这些元件之间插入又一元件并且这些元件中的每一个均与所述又一元件接触。
[0034]图1示出了根据本发明的实施例的共模滤波器。
[0035]参考图1，根据本发明的实施例的共模滤波器100可包括磁性基板110、第一线圈电极120、第一铅电极121、第一介电层122、高度补偿电极130、第二线圈电极140、第二铅电极141、第二介电层142以及外部电极150，并且该共模滤波器可还包括磁性层160以及介电涂层111。
[0036]磁性基板110为具有磁性的板并且该磁性基板放置在共模滤波器100的最下方的位置处。磁性基板110可包括铁素体。
[0037]磁性基板110可具有形成于其上的介电涂层111。该介电涂层111可通过涂覆介电材料而形成。介电涂层111可使磁性基板110与第一线圈电极120 (或第一铅电极121)绝缘。用于介电涂层111的材料可为高适用性且具有良好电绝缘性能的聚合树脂，诸如环氧树脂或聚酰胺树脂。
[0038]第一线圈电极120用作导体。第一线圈电极120可使用具有高导电性和适用性的导电材料(诸如铜(Cu)或铝(Al))而形成在磁性基板110