一种有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及电子器件相关领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光器件（0LED)具有主动发光、发光效率高、功耗低、轻、薄、无视角限制 等优点，被业内人士认为是最有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一 代器件。作为一项崭新的照明和显示技术，0LED技术在过去的十多年里发展迅猛，取得了 巨大的成就。由于全球越来越多的照明和显示厂家纷纷投入研发，大大的推动了 0LED的产 业化进程，使得0LED产业的成长速度惊人，目前已经到达了大规模量产的前夜。
[0003] 柔性产品是有机电致发光器件的发展趋势，但是柔性0LED发光装置也存在一些 问题，典型的问题是其使用寿命较短，其原因在于，使用柔性基板的0LED发光装置，基板的 水氧渗透率过高，导致水氧容易渗入器件中，影响使用。并且由于封装薄膜采用无机材料制 备，其韧性较差，在多次挠曲下，容易发生裂纹和针孔，从而形成水氧渗入的通道，因而影响 使用寿命。
【发明内容】
[0004] 为克服上述现有技术的缺陷，本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方 法。该有机电致发光器件中的阻挡功能层可有效地减少水汽、氧对有机电致发光器件的侵 蚀，保护有机电致发光器件的有机功能材料和电极免遭破坏，封装层同时包括第二无机阻 挡层和第二有机消气剂层，能减少裂纹和针孔的产生，提高有机电致发光器件的挠曲性能， 对0LED器件的寿命有显著的提高。
[0005] -方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基板、阳极、空穴 传输层、发光层、电子传输层、阴极层和封装层，在所述基板与阳极之间层叠有阻挡功能层， 所述阻挡功能层包括m层第一无机阻挡层和m-1层第一有机消气剂层，所述m为3~8的 整数，相邻两个第一无机阻挡层之间设置一个第一有机消气剂层，且所述第一无机阻挡层 层叠在所述基板上；所述封装层包括n层第二无机阻挡层和n-1层第二有机消气剂层，所述 n为3~8的整数，相邻两个第二无机阻挡层之间设置一个第二有机消气剂层，所述第一无 机阻挡层和第二无机阻挡层的材质均为二氧化硅（Si02)或氧化铝（A1203)，所述第一有机消 气剂层和第二有机消气剂层的材质均为二（3-甲基丁基）铍。
[0006] 所述二（3-甲基丁基）铍的化学式为
[0007] 优选地，所述m为3或4。
[0008] 优选地，所述第一无机阻挡层的厚度为100~300nm，所述第一有机消气剂层的厚 度为50~100nm。
[0009] 优选地，所述阻挡功能层的厚度为〇? 4~1. 5iim。
[0010] 优选地，所述n为3或4。
[0011] 优选地，所述第二无机阻挡层的厚度为100~300nm，所述第二有机消气剂层的厚 度为100~200nm。
[0012] 优选地，所述封装层的厚度为0. 5~1. 5iim。
[0013] 在所述基板表面设置阻挡功能层，所述阻挡功能层包括m层第一无机阻挡层和 m-1层第一有机消气剂层，第一无机阻挡层吸水性较强，第一有机消气剂层的材质为二 (3-甲基丁基)铍，二（3-甲基丁基)铍比较活泼，可以和渗入器件内部的气体特别是氧气进 行化学反应，从而避免了氧气对0LED中的有机材料尤其是发光材料的破坏，所述阻挡功能 层可以避免水氧通过基板渗透到有机电致发光器件的发光层，提高可有机电致发光器件的 寿命。同时，所述阻挡功能层在相邻两个第一无机阻挡层之间设置一个第一有机消气剂层， 第一有机消气剂层可以有效缓解第一无机阻挡层在进行挠曲操作时产生的内应力，减少了 裂纹和孔隙的产生，因而可以提高有机电致发光器件的挠曲性能。
[0014] 所述封装层包括n层第二无机阻挡层和n-1层第二有机消气剂层，相邻两个第二 无机阻挡层之间设置一个第二有机消气剂层，这样设置一方面可以有效缓解第二无机阻挡 层产生的内应力，防止第二无机阻挡层出现龟裂等现象，减小对封装效果的影响，另一方 面，延长了水、氧渗透路径，可以达到优良的封装效果，有效减少外部水、氧等活性物质对有 机电致发光器件的侵蚀，延长器件寿命。
[0015] 优选地，所述基板为聚合物透明薄膜。
[0016] 更优选地，所述基板为PET薄膜(聚乙烯对苯二酸酯)、PES(聚醚砜）薄膜、PC(聚 碳酸酯）薄膜或PI(聚酰亚胺）薄膜，所述基板厚度为〇. 1~〇. 5mm。
[0017] 优选地，所述阳极为氧化铟锡（IT0)。
[0018] 优选地，所述空穴传输层材质为N，N'_二苯基-N，N'_二（1-萘基）-1，1'-联 苯-4, 4' -二胺（NPB)或4, 4'，4 "-三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)， 厚度为20~60nm。
[0019] 优选地，所述电子传输层的材质为8-羟基喹啉铝（Alq3)或4, 7-二苯基-邻菲咯 琳（Bphen)，厚度为20~40nm。
[0020] 优选地，所述发光层的材质为5, 6, 11，12-四苯基萘并萘（Rubrene)或4, 4'-二 (2, 2-二苯乙烯基）-1，1' -联苯（DPVBi)，发光层厚度为5~30nm。
[0021] 本发明有机电致发光器件中还可以设置空穴注入层、电子注入层、空穴阻挡层或 电子阻挡层等。
[0022] 优选地，所述阴极层材质为银或错，厚度为70~200nm。
[0023] 另一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
[0024] (1)在洁净的基板表面制备阻挡功能层，包括：
[0025]在所述基板表面采用电子束蒸发的方法制备第一无机阻挡层，蒸发速度为0. 2~ lnm/s;接着在所述第一无机阻挡层表面采用真空蒸镀的方法制备第一有机消气剂层，蒸发 速度为〇. 1~〇. 5nm/s;随后在所述第一有机消气剂层表面采用电子束蒸发的方法制备第 一无机阻挡层，蒸发速度为〇. 2~lnm/s;按上述方法重复制备第一有机消气剂层和第一无 机阻挡层，在洁净的基板表面制得阻挡功能层，所述阻挡功能层包括m层第一无机阻挡层 和m-1层第一有机消气剂层，所述m为3~8的整数，相邻两个第一无机阻挡层之间设置一 个第一有机消气剂层；
[0026] (2)在所述阻挡功能层表面依次制备阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴 极层；
[0027] (3)在所述阴极层表面制备封装层，包括：
[0028] 在所述阴极层表面采用电子束蒸发的方法制备第二无机阻挡层，蒸发速度为 0. 2~lnm/s;接着在所述第二无机阻挡层表面采用真空蒸镀的方法制备第二有机消气剂 层，蒸发速度为〇. 1~〇.5nm/s;随后在所述第二有机消气剂层表面采用电子束蒸发的方法 制备第二无机阻挡层，蒸发速度为〇. 2~lnm/s;按上述方法重复制备第二有机消气剂层和 第二无机阻挡层，在所述阴极层表面制备封装层，所述阻挡功能层包括n层第二无机阻挡 层和n-1层第二有机消气剂层，所述n为3~8的整数，相邻两个第二无机阻挡层之间设置 一个第二有机消气剂层；
[0029] 所述第一无机阻挡层和第二无机阻挡层的材质均为氧化硅或氧化铝，所述第一有 机消气剂层和第二有机消气剂层的材质均为二（3-甲基丁基）铍。
[0030] 优选地，所述m为3或4。
[0031] 优选地，所述第一无机阻挡层的厚度为100~300nm，所述第一有机消气剂层的厚 度为50~100nm。
[0032] 优选地，所述阻挡功能层的厚度为〇? 4~1. 5iim。
[0033] 优选地，所述n为3或4。
[0034] 优选地，所述第二无机阻挡层的厚度为100~300nm，所述第二