一种抗pid光伏组件的利记博彩app
【技术领域】
[0001] 本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种抗PID光伏组件。
【背景技术】
[0002] 太阳能作为一种可再生的绿色能源已逐渐在全球范围内得到迅速的发展。太阳能 光伏发电是利用半导体界面的光生伏特效应而将光直接转变为电能的技术，太阳能电池经 过串联后使用玻璃、封装材料和背板将电池片保护起来，最后打入硅胶，使用铝边框对其进 行封装，形成大面积的光伏组件。
[0003] PID(potentialInducedDegradation，潜在电势诱导衰减），是光伏组件的一种 特性，指在高温多湿环境下，高电压流经太阳能电池单元便会导致输出下降的现象。光伏 组件效应是影响光伏组件发电效率的重要因素之一，目前普遍认为影响组件PID衰减的主 要外部因素有环境温度、环境湿度，以及系统电压在合金框、玻璃和内部电路之间的变压电 场。在相对潮湿的环境中，水汽通过封装缝隙进入组件内部，一方面可促使电池片和铝边框 间形成漏电流；另一方面EVA受潮释放出可自由移动的醋酸，使玻璃释解出Na离子，外电场 作用下穿过EVA，迀移到电池片表面诱发PID现象；实际经验表明靠近边框位置的电池片较 易产生PID效应。
[0004] 然而，有技术中光伏组件密封效果差，铝合金边框处、接线盒处易进水，导致PID 效应严重。
【发明内容】
[0005] 本发明的目的在于，提供一种密封性能好，有效降低PID效应且高效稳定的抗PID 光伏组件，以解决现有技术中光伏组件密封效果差，铝合金边框处、接线盒处易进水，导致 PID效应严重，从而降低太阳能转化率低的问题。
[0006] 本发明实施例提供一种抗PID光伏组件，包括超白玻璃层、第一EVA胶膜层、太阳 能电池片层、第二EVA胶膜层及背板层，所述抗PID光伏组件还包括第一抗PID封装层、第 二抗PID封装层以及第三抗PID封装层，所述第一抗PID封装层与所述第二抗PID封装层 均为方框状结构，所述第一EVA胶膜层与所述第一抗PID封装层均叠放在所述超白玻璃层 上，所述第一EVA胶膜层位于所述第一抗PID封装层内且所述第一抗PID封装层封装所述 第一EVA胶膜层的四周；所述太阳能电池片层叠放在所述第一EVA胶膜层上；所述第二抗 PID封装层与所述第二EVA胶膜层均叠放在所述太阳能电池片层上，所述第二EVA胶膜层位 于所述第二抗PID封装层内且所述第二抗PID封装层封装所述第二EVA胶膜层的四周；所 述第三抗PID封装层叠放在所述第二EVA胶膜层上，且所述第三抗PID封装层铺设在所述 背板层的引出线位置处；所述背板层叠放在所述第三抗PID封装层上。
[0007] 进一步地，所述第三抗PID封装层为平板状结构。
[0008] 进一步地，所述第一EVA胶膜层的透光率大于所述第二EVA胶膜层的透光率。
[0009] 进一步地，所述第一EVA胶膜层由高透EVA胶膜制成，所述第二EVA胶膜层由普通 型EVA胶膜制成。
[0010] 进一步地，所述第一EVA胶膜层和所述第二EVA胶膜层的形状与尺寸与所述太阳 能电池片层的形状与尺寸相匹配。
[0011] 进一步地，所述太阳能电池片层为P型电池串模组。
[0012] 进一步地，所述背板层为TPT背板层，所述TPT背板层包括自上而下依次层叠的 PVF层、PET层及PVF层。
[0013] 进一步地，所述第一抗PID封装层、所述第二抗PID封装层及所述第三抗PID封装 层均由抗PID的EVA封装材料制成，所述抗PID的EVA封装材料由按照重量份计算的以下 原料制备而成：乙烯-醋酸乙烯酯共聚物100份，疏水剂〇. 05-0. 2份，交联剂0. 1-1. 2份， 抗氧剂〇. 02-0. 3份，紫外光吸收剂0. 03-0. 2份，光稳定剂0. 05-0. 2份，偶联剂0. 2-1. 2份 及金属离子捕捉剂〇. 05-0. 5份。
[0014] 进一步地，所述乙烯-醋酸乙烯酯共聚物中的VA按摩尔含量计算为29 %~ 31. 5%〇
[0015] 进一步地，所述疏水剂为十三氟辛烷基三乙氧基硅烷和正硅酸乙酯按质量比 I: 1复配的水溶液；所述交联剂为2,5_二甲基_2,5二叔丁基过氧化己烷、二亚乙基三 胺中的一种或两种的复配；所述的抗氧剂为三（4-壬基酚）亚磷酸酯、亚磷酸三（2,4_二 叔丁基苯基）酯的一种或两种的复配物；所述紫外光吸收剂为二苯甲酮类紫外线吸收剂 UV-531、UV-9,苯并三唑类紫外线吸收剂UV-P、UV-326、UV-327、UV-328、UV-329 中的一种 或多种复配；所述光稳定剂为Tinuvin622，chimassorbll9，Chimassorb2020，IV-628 中的 一种或多种的复配物；所述偶联剂为硅烷类偶联剂KH-550、KH-570或KH-560中的一种或 多种复配物；所述金属离子捕捉剂为聚乙烯-甲基丙烯酸钠、聚乙烯-甲基丙烯酸锌、聚乙 烯-甲基丙烯酸钙、聚苯乙烯磺酸钠、聚苯乙烯磺酸钾、聚苯乙烯磺酸锌、聚苯乙烯磺酸钙 中的1种或2种以上的混合物。
[0016] 本发明的有益效果是：
[0017] 本发明的抗PID光伏组件采用了第一抗PID封装层封装在第一EVA胶膜层的四 周，第二抗PID封装层封装在第二EVA胶膜层的四周，背板引出线位置铺设有第三抗PID封 装层，能有效的隔绝空气及水分子与第一EVA胶膜层、第二EVA胶膜层及太阳能电池片层的 接触，避免了光伏组件PID现象的产生，从而使得光伏组件的抗PID性能大幅度提高。
【附图说明】
[0018] 图1是本发明的抗PID光伏组件的封装立体图。
[0019] 图2是本发明的抗PID光伏组件的封装截面图。
【具体实施方式】
[0020] 为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方 式作进一步地描述。
[0021] 请同时参照图1与图2,本发明实施例提供了一种抗PID光伏组件，包括自下而上 依次层叠的超白玻璃层1、第一抗PID封装层3、第一EVA胶膜层2、太阳能电池片层4、第二 抗PID封装层6、第二EVA胶膜层5、第三抗PID封装层7及背板层8。其中，第一抗PID封 装层3与第二抗PID封装层6均为方框状结构，第一EVA胶膜层2与第一抗PID封装层3均 叠放在超白玻璃层1上，第一EVA胶膜层2位于第一抗PID封装层3内且第一抗PID封装 层3封装在第一EVA胶膜层2的四周；太阳能电池片层4叠放在第一EVA胶膜层2上，第二 抗PID封装层6与第二EVA胶膜层5均叠放在太阳能电池片层4上，第二EVA胶膜层5位 于第二抗PID封装层6内且第二抗PID封装层6封装在第二EVA胶膜层5的四周；第三抗 PID封装层7叠放在第二EVA胶膜层5上，背板层8叠放在第三抗PID封装层7上，并且第 三抗PID封装层7铺设在背板层8的引出线位置处，具体为背板层8的背部汇流带的引出 线位置处也即光伏接线盒的引出线位置处。可以理解的是，上述各个元件经过层压后形成 的层叠结构的四周端边通过涂上光伏硅胶的铝边框进行边缘封装，最终形成抗PID光伏组 件，并且组件内部光伏电路采用串联连接输出。
[0022] 在本实施例中，第三抗PID封装层7为平板状结构，以到达密封光伏接线盒的导线 引出处，有效隔绝空气及水分子从光伏接线盒的导线引出处进入光伏组件内部与胶膜、电 池串模组的接触，避免了组件PID现象的产生。
[0023] 在本实施例中，为了达到增加光电转换效率的同时达到节约成本的目的，第一EVA 胶膜层2的透光率大于第二EVA胶膜层5的透光率。具体地，第一EVA胶膜层2由高透EVA 胶膜制成，高透EVA胶膜的透光率> 93 %，第一EVA胶膜层2的厚度在0. 38mm-0. 60mm之 间，优选地，高透EVA胶膜的透光率为93. 3 %，第一EVA胶膜层2的厚度为0. 5mm;第二EVA 胶膜层5由普通型EVA胶膜制成。
[0024] 在本实施例中，第一EVA胶膜层2和第二EVA胶膜层5的形状与尺寸与太阳能电 池片层4的形状与尺寸相匹配，以便于第一EVA胶膜层2和第二EVA胶膜层5能够与太阳 能电池片层4充分接触，以达到增加光电转换效率的同时达到节约成本的目的。
[0025] 在本实施例中，太阳能电池片层4为P型电池串模组，该P型电池串模组包括多个 156型多晶硅电池片，电池片矩阵式排列，每片电池片的片间距为2~5mm，电池片折射率在 2. 08~2. 10之间优选为2. 09,电池片的效率为17. 2%。
[0026] 在本实施例中，背板层8为TPT背板层，TPT背板层包括自上而下依次层叠的PVF 层（聚氟乙烯薄膜）、PET层（聚脂薄膜）及PVF层（聚氟乙烯薄膜），TPT背板层具有橡胶 的高弹性，高强度，高回弹性。
[0027] 在本实施例中，第一抗PID封装层3、第二抗PID封装层5及第三抗PID封装层7 均由抗PID的EVA封装材料制成，抗PID的EVA封装材料由按照重量份计算的以下原料制 备而成：乙烯-醋酸乙烯酯共聚物（EVA) 100份，疏水剂0. 05-0. 2份，交联剂0. 1-1. 2份，抗 氧剂0. 02-0. 3份，紫外光吸收剂0. 03-0. 2份，光稳定剂0. 05-0. 2份，偶联剂0. 2-1. 2份及 金属离子捕捉剂〇. 05-0. 5份。
[0028] 在本实施例