一种焊盘结构的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体领域，具体地，本发明涉及一种焊盘结构。
【背景技术】
[0002]随着半导体技术的不断发展，集成电路性能的提高主要是通过不断缩小集成电路器件的尺寸以提高它的速度来实现的。目前，由于在追求高器件密度、高性能和低成本中半导体工业已经进步到纳米技术工艺节点，给制造和设计等诸多方面带来很大挑战。
[0003]焊接线接合技术是一种广泛使用的方法，用于将具有电路的半导体管芯连接到原件封装上的引脚。由于半导体制造技术的进步，半导体的几何尺寸不断缩小，因此线接合焊盘的尺寸变得较小。在实现同集成电路的物理线接合连接时，较小的接合焊盘区域导致了针对接合焊盘结构应力的增加，接合焊盘结构包括金属接合焊盘自身和下面的金属互联层和介电层的叠层。
[0004]为了减小芯片面积，减小焊盘下方的器件或者焊盘下方的电路的尺寸成为芯片设计的首要选择，由于电路位于接合焊盘的下方，焊盘结构需能够很好地释放接合应力，因此焊盘不能有很多金属层组成。
[0005]而现有技术中的焊盘结构如图1a-1b所示，在如图1a所述的焊盘结构中，所述焊盘结构由多层金属层构成，例如M1、M2、M3和M4四层或者更多金属层构成，其中在所述结构中具有多个金属层，顶部多个金属层需要和接合焊盘形成电接触，焊盘选用固体，因此在焊盘下方需要形成多个金属层用来作为有源电路，该结构比较耐压，但是要占用多层金属，影响下方电路绕线，有可能会增加制作成本。
[0006]另外一种实施方式如图1b所示，在所述结构中所述焊盘PAD仅包括一层金属层，在所述金属层下方形成有多个通孔以及不连续的金属层，所述焊盘结构中由于仅含有一个金属层，因此所述焊盘结构的接合能力较差，特别是在和金属铜进行接合的过程中，而且不利于释放应力，容易被压碎。
[0007]因此，现有技术中不管是选用多个金属层还是一个金属层作为接合焊盘都存在一定的弊端，需要对现有技术中的焊盘结构做进一步的改进，以便消除上述问题。
【发明内容】
[0008]在
【发明内容】
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在【具体实施方式】部分中进一步详细说明。本发明的
【发明内容】
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
[0009]本发明为了克服目前存在的问题，提供了一种焊盘结构，包括:
[0010]焊盘；
[0011]第二顶部金属层，位于所述焊盘接合部位的下方，并与所述焊盘直接连接；
[0012]第一顶部金属层，位于所述第二顶部金属层的下方，包括若干间隔设置的部分，其中部分所述第一顶部金属层通过顶部通孔与所述第二顶部金属层相连接，以在所述焊盘接合部位的下方形成焊盘支柱，共同构成所述焊盘结构。
[0013]可选地，所述焊盘结构还进一步包括若干金属层，所述若干金属层上下间隔设置，位于所述第一顶部金属层的下方，每一层所述金属层包括若干间隔设置的部分，其中部分所述金属层通过通孔与位于上方、下方对应的金属层连接形成堆栈，所述堆栈与所述焊盘支柱相连接。
[0014]可选地，所述焊盘接合部位的下方并列、间隔设置有若干个所述堆栈。
[0015]可选地，所述堆栈通过所述第一顶部金属层下方的通孔和所述第一顶部金属层连接。
[0016]可选地，所述金属层为方形或者不规则图形。
[0017]可选地，所述焊盘结构还进一步包括钝化层，所述钝化层位于所述第二顶部金属层的上方并包围所述焊盘，所述钝化层中形成有开口，以露出所述焊盘接合部位。
[0018]可选地，所述钝化层包括第一钝化层，所述第一钝化层位于所述第二顶部金属层的上方，所述第一钝化层的高度小于所述焊盘的高度。
[0019]可选地，所述钝化层还进一步包括第二钝化层，位于所述第一钝化层的上方，高度大于所述焊盘的高度。
[0020]可选地，所述焊盘支柱位于所述开口的下方。
[0021]可选地，所述第一顶部金属层中有一半通过所述顶部通孔与所述第二顶部金属层相连接，以形成所述焊盘支柱。
[0022]可选地，所述焊盘支柱的数目至少为I个。
[0023]可选地，所述焊盘选用金属Al焊盘；
[0024]其中，所述第二顶部金属层选用金属铜。
[0025]本发明中为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种新的焊盘结构，所述焊盘结构中包括焊盘用于实现封装接合，所述焊盘结构仅使用第二顶部金属层一层作为顶部金属层，所述第二顶部金属层直接和所述焊盘连接，所述焊盘结构还进一步包括第一顶部金属层，其中所述第一顶部金属层和所述第二顶部金属层不同，其分为不连续的若干部分，其中部分第一顶部金属层通过通孔和所述第二顶部金属层相连，形成焊盘支柱，通过所述结构不仅能够使焊盘结构具有更强的接合能力，而且还能将接合过程中形成的应力得到很好的释放，起到保护的作用。
【附图说明】
[0026]本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的装置及原理。在附图中，
[0027]图1a-1b为现有技术中焊盘结构的剖视图；
[0028]图2a_2d为本发明的【具体实施方式】中焊盘结构的剖视图。
【具体实施方式】
[0029]在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
[0030]应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
[0031]应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
[0032]空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
[0033]在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
[0034]这里参考作为本发明的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述发明的实施例。这样，可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的从所示形状的变化。因此，本发明的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造导致的形状偏差。例如，显示为矩形的注入区在其边缘通常具有圆的或弯曲特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区到非注入区的二元改变。同样，通过注入形成的埋藏区可导致该埋藏区和注入进行时所经过的表面之间的区中的一些注入。因此，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不意图显示器件的区的实际形状且并不意图限定本发明的范围。
[0035]为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本发明提出的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述