静电吸盘的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本发明的形态涉及一种静电吸盘。
【背景技术】
[0002]在进行蚀刻(etching)、化学汽相沉积(CVD(Chemical Vapor Deposit1n))、派射(sputtering)、离子注入、灰化、曝光、检查等的基板处理装置中，作为吸附保持半导体晶片或玻璃基板等被吸附物(处理对象物)的单元而使用静电吸盘。
[0003]静电吸盘是在氧化铝等的陶瓷电介体基板之间夹住电极并进行烧成而制作的。静电吸盘是在内置的电极上外加静电吸附用电力，并通过静电力来吸附硅晶片等的基板。
[0004]在这样的基板处理装置中，为了高生产率化，推进等离子流程的高输出化及等离子流程的高温化。为了高生产率化，被吸附物的冷却功能成为要点的I个。另外，实现高生产率化会增加输入到基板处理装置的热量。因而，可使用于静电吸盘的构件的材料限定于高耐热性的材料。
[0005]例如，在高温时陶瓷与金属的接合强度、从陶瓷到金属的热传递性、可对应于因热膨胀差而产生的剪切应力的柔软性及电绝缘性等上，要求接合陶瓷电介体基板与支撑陶瓷电介体基板的金属板的粘接剂具有。存在热传导率比较高的粘接剂或具有比较出色的耐热性及耐等离子性的粘接剂，另一方面，当与陶瓷或金属等进行比较时，等离子流程中的粘接剂的耐等离子性在使用于静电吸盘的构件中最低。因而，粘接剂的寿命成为静电吸盘的寿命O
[0006]当粘接剂在蚀刻等的流程中受损伤时，提高热传导的陶瓷填充物成分或没能气化的弹性体成分有可能成为颗粒(particle)源。另外，当粘接剂受损伤时粘接剂的热传导率下降，有可能无法发挥热传导的功能及将被吸附物的温度均一保持的功能。于是，希望存在能够降低粘接剂所受的损伤的静电吸盘。
[0007]专利文献1:日本国特开2004-31665号公报
专利文献2:日本国实用新型登录第3154629号公报
【发明内容】
[0008]本发明是基于这样的问题的认知而进行的，所要解决的技术问题是提供一种静电吸盘，其不管粘接剂的等离子耐久性如何，都能够降低因等离子而粘接剂所受的损伤，而且即使在粘接剂受损伤时也能够降低颗粒飞散。
[0009]第I发明为一种静电吸盘，其特征为，具备:陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第I主面、所述第I主面相反侧的第2主面、从所述第2主面设置到所述第I主面的穿通孔；金属制基座板，支撑所述陶瓷电介体基板且具有与所述穿通孔连通的气体导入路；及接合层，设置在所述陶瓷电介体基板与所述基座板之间且包含树脂材料，所述接合层具有设置在所述第2主面上的所述穿通孔的开口部与所述气体导入路之间的与所述开口部相比水平方向上更大的空间，所述空间侧的所述接合层的端面与所述第2主面相交的第I区域比不同于所述第I区域的所述端面的另外的第2区域还要从所述开口部后退。
[0010]根据该静电吸盘，不管粘接剂自身的耐久性如何，都能够降低接合层所受的损伤。假设，即使在接合层受损伤时也能够降低颗粒飞散。
[0011]第2发明是一种静电吸盘，其特征为，在第I发明中，在垂直于所述第2主面的法线的方向上观察时的所述第I区域中，由所述第2主面与所述端面所形成的角度当朝向所述第2主面时变大。
[0012]根据该静电吸盘，不管粘接剂自身的耐久性如何，都能够降低接合层所受的损伤。假设，即使在接合层受损伤时也能够降低颗粒飞散。
[0013]第3发明是一种静电吸盘，其特征为，在第2发明中，设置有当从所述第2主面在所述法线的方向上远离时，由所述第2主面与所述端面所形成的角度变小的第3区域。
[0014]根据该静电吸盘，不管粘接剂自身的耐久性如何，都能够降低接合层所受的损伤。假设，即使在接合层受损伤时也能够降低颗粒飞散。
[0015]第4发明是一种静电吸盘，其特征为，在第I发明中，相互彼此相对的所述端面之间的距离当从所述第2主面在所述法线的方向上远离时变短。
[0016]根据该静电吸盘，不管粘接剂自身的耐久性如何，都能够降低接合层所受的损伤。假设，即使在接合层受损伤时也能够降低颗粒飞散。
[0017]第5发明是一种静电吸盘，其特征为，在第I?4的任意I个发明中，在所述第I区域中的所述端面与所述穿通孔的中心之间的距离d及在所述第2区域中的相互彼此相对的所述端面之间的距离D使2d多D的关系式成立。
[0018]在端面的截面构造呈非对称(asymmertric)时，距离d为在第I区域中的端面与穿通孔中心之间的距离当中的最大值的距离。根据该静电吸盘，能够形成可堆积颗粒的凹部。
[0019]第6发明是一种静电吸盘，其特征为，在第5发明中，所述距离d为0.1mm以上、5.0mm以下。
[0020]根据该静电吸盘，能够同时实现粘接剂所受的损伤量的降低与对象物的温度分布的均一化。
[0021]第7发明是一种静电吸盘，其特征为，在第I?6的任意I个发明中，所述接合层具有:接合部，接合所述第2主面与所述基座板；及端部，具有所述端面且形成所述空间，所述接合部的材料与所述端部的材料不同。
[0022]根据该静电吸盘，通过使端部不包含提高热传导率的填充物，从而能够降低颗粒产生。另外，在作为接合部而使用硅酮粘接剂时，能够在端部使用与硅酮粘接剂相比耐等离子性更出色的材料。
[0023]第8发明是一种静电吸盘，其特征为，在第I?6的任意I个发明中，所述接合层具有:接合部，接合所述第2主面与所述基座板；及端部，具有所述端面且形成所述空间，所述接合部的材料与所述端部的材料相同。
[0024]根据该静电吸盘，能够进一步提高接合部与端部的粘接力。
[0025]第9发明是一种静电吸盘，其特征为，在第7或8发明中，使用于所述接合部的粘接剂的热传导率为0.1ff/m.K以上，使用于所述接合部的粘接剂的绝缘破坏强度为lkV/_以上，使用于所述接合部的粘接剂的耐热温度为40°C以上。
[0026]根据该静电吸盘，即使在高温流程中使用静电吸盘，也能够使用在保持良好的热传递的同时可保持绝缘的粘接剂。另外，也可以具有能够缓解陶瓷电介体基板的热膨胀与基座板的热膨胀之差的弹性。
[0027]第10发明是一种静电吸盘，其特征为，在第5或6发明中，还具备设置于所述气体导入路的多孔体，所述距离d及所述多孔体的半径R使d > R的关系式成立。
[0028]根据该静电吸盘，形成可堆积颗粒的凹部，能够在空间内形成使颗粒容易堆积在凹部的传递气体的对流。即，能够在空间内控制有选择地使颗粒堆积在凹部的传递气体的对流。因而，假设，即使在产生颗粒时也能够降低颗粒飞散。另外，由于设置有多孔体，因此在穿通孔及气体导入路中能够具有较高的耐电压性。
[0029]第11发明是一种静电吸盘，其特征为，在5、6及10的任意I个发明中，所述距离d大于所述第I主面侧的所述穿通孔的开口部的半径。
[0030]根据该静电吸盘，不管粘接剂自身的耐久性如何，都能够降低接合层所受的损伤。假设，即使接合层受损伤，也能够降低颗粒飞散。
[0031]第12发明是一种静电吸盘，其特征为，在第I?11的任意I个发明中，所述空间在所述水平方向上的长度大于所述接合层的厚度。
[0032]根据该静电吸盘，不管粘接剂自身的耐久性如何，都能够降低接合层所受的损伤。假设，即使接合层受损伤，也能够降低颗粒飞散。
[0033]第13发明是一种静电吸盘，其特征为，在7或8的发明中，所述端部分别以面与所述第2主面、所述基座板接触，所述端部分别与所述第2主面、所述基座板接触的所述面在所述水平方向上的长度大于所述接合层的厚度。
[0034]根据该静电吸盘，不同于替代端部而设置有O型圈的情况，接合层的端部有助于陶瓷电介体基板与基座板的接合。
[0035]第14发明是一种静电吸盘，其特征为，在13发明中，所述端部的外周部即从所述端部观察的所述空间的相反侧的外周部被所述树脂材料所填充。
[0036]根据该静电吸盘，不同于替代端部而设置有O型圈的情况，能够抑制在接合层中产生空间。接合层的端部能够有助于陶瓷电介体基板与基座板的接合，能够更加牢固地相互粘接陶瓷电介体基板与基座板。
[0037]第15发明是一种静电吸盘，其特征为，在13或14的发明中，所述第2主面的与所述端部接触的面与所述第2主面的被所述接合层所粘接的面位于同一平面上，所述基座板的与所述端部接触的面与所述基座板的被所述接合层所粘接的面位于同一平面上。
[0038]根据该静电吸盘，不同于替代端部而设置有O型圈的情况，接合层的端部能够有助于陶瓷电介体基板与基座板的接合。
[0039]第16发明是一种静电吸盘，其特征为，在第13?15的任意I个发明中，所述第I区域中的所述端面的曲率大于所述第2区域中的所述端面的曲率。
[0040]根据该静电吸盘，不同于替代端部而设置有O型圈的情况，接合层的端部能够有助于陶瓷电介体基板与基座板的接合。
[0041]第17发明是一种静电吸盘，其特征为，在第I?16的任意I个发明中，所述陶瓷电介体基板具