。除了使用不同溶 剂，还可W使用表面活性剂W及其它添加剂W改进娃电池上涂层的质量、浸润和保形性。
[0106] 任选地，引发剂或催化剂化合物在合成后被添加至硅氧烷组合物。引发剂可W与 在聚合化过程中添加的引发剂相似，其被用于生成可W在UV固化过程中引发"活性"官能 团聚合的族。因此，对于环氧基，可W使用阳离子或阴离子引发剂。对于具有双键作为"活 性"官能团的基团合成的物料，可W使用福射引发剂。热引发剂（根据福射、阳离子或阴离 子机理工作）也可W用于促进"活性"官能团的交联。对于合适的光引发剂组合的选择还 取决于所使用的曝光光源（波长）。光生酸剂和热生酸剂也可W被用W促进薄膜固化的改 进。
[0107] 根据硅氧烷聚合物质量计算，组合物中光或热活性化合物的浓度通常为大约0. 1 至10%，优选大约0.5至5%，
[0108] 薄膜后度的范围可W为例如从Inm至500nm。制备薄膜的各种方法在美国专利 US7094709中公开，本文通过引用并入其内容。
[0109] 根据本发明制备的膜，通常在波长663nm处的折光率在从1. 2至2. 4的范围内。
[0110] 如前文描述的组合物可W包括固体纳米颗粒，其含量在组合物的1至50wt%之 间。特别地，该纳米颗粒可W选自光散射颜料、无机巧光粉或类似物。
[0111] 借助本发明，可W提供适用于在娃电池上制备薄膜和图案化的结构。对热敏感和 /或福射敏感的物料组合物的图案化可W通过直接的平版印刷图案、激光图案化和曝光、传 统平板图案屏蔽和刻蚀工序、印刻、喷墨、丝网印刷和压纹进行，但并不局限于该些。
[0112] 组合物可W被用于制备在相对较低的加工温度下固化的层，例如最高的375°C或 甚至100。W及此界限之间的范围内的温度。
[0113] 然而，由物料组合物形成的涂层还可W在更高的温度下固化，例如在375°CW上， 高至900°C，或甚至高至llOOC的温度下。其使得物料膜可W在高温下固化，例如可W与后 续的高温沉降和烧制步骤结合。
[0114] 下文中，介绍了一些非限制性的工作实施例，其给出了上文中所讨论的，适用于在 光伏设备中的娃基板上形成纯化和氨释放层的硅氧烷聚合物、混合硅氧烷金属氧化物聚合 物和碳硅氧烷涂料组合物的制备中的进一步的细节。该些物料可W根据前文的讨论连同附 图而被应用。
[011引实施例1 ;
[0116] 原娃酸四己醋（28.OOg)和S己氧基硅烷（42.OOg)W及溶剂（己醇）被称重并加 入1L烧瓶中，揽拌30分钟。加入0.01M肥1(2当量）。物料回流1小时。将溶剂交换为丙 二醇丙基離（PnP)。在催化剂己胺）的存在下进行进一步的缩聚反应。此后加入S甲 基甲氧基硅烷化02g)并进一步将溶剂交换为丙二醇丙基離（PnP)。物料被稀释为工艺配 方并使用0. 1ym过滤器过滤W得到工艺预备溶液。
[0117] 实施例2;
[0118] 原娃酸四己醋（14.OOg)和S己氧基硅烷化0.OOg)W及溶剂（2-丙醇）被称重并 加入1L烧瓶中，揽拌30分钟。加入0.01M肥1(0. 6当量）。物料回流1小时。将溶剂交换 为丙二醇单了離（PNB)。在催化剂己胺）的存在下进行进一步的缩聚反应。此后加入 S甲基甲氧基硅烷（0. 021g)并进一步将溶剂交换为丙二醇丙基離（PnP)。物料被稀释为工 艺配方并使用0. 1ym过滤器过滤W得到工艺预备溶液。
[011引实施例3;
[0120]甲基二甲氧基硅烷（15.OOg)，3-缩水甘油氧基丙基二甲氧基硅烷化OOg)和二己 氧基硅烷（75.OOg)W及溶剂（2-丙醇）被称重并加入1L烧瓶中，揽拌30分钟。加入0. 01M HC1 (1当量）。物料回流1小时。将溶剂交换为丙二醇丙基離（PnP)。在催化剂（S己胺） 的存在下进行进一步的缩聚反应。此后加入=甲基己氧基硅烷（〇.〇25g)并进一步将溶剂 交换为丙二醇丙基離（PnP)。物料被稀释为工艺配方并使用0. 1ym过滤器过滤W得到工艺 预备溶液。
[0121] 实施例4;
[012引原娃酸四己醋（5.OOg)和S己氧基硅烷巧2.OOg)W及溶剂（2-丙醇）被称重并 加入1L烧瓶中，揽拌30分钟。加入0.01M肥1(1当量）。物料回流1小时。将溶剂交换为 丙二醇丙基離（PnP)。在催化剂己胺）的存在下进行进一步的缩聚反应。此后加入S 甲基己氧基硅烷（0. 025g)并进一步将溶剂交换为丙二醇丙基離（PnP)。物料被稀释为工艺 配方并使用0. 1ym过滤器过滤W得到工艺预备溶液。
[0123] 实施例5;
[0124] S己氧基硅烷巧8.OOg)和溶剂（2-丙醇））被称重并加入1L烧瓶中，揽拌30分 钟。加入0. 01M肥1(0. 6当量）。物料回流1小时。将溶剂交换为丙二醇丙基離（PnP)。在 催化剂己胺）的存在下进行进一步的缩聚反应。此后加入S甲基氯硅烷化02g)并进 一步将溶剂交换为丙二醇丙基離（PnP)。物料被稀释为工艺配方并使用0. 1ym过滤器过滤 W得到工艺预备溶液。
[0125] 实施例6;
[0126] 九水合硝酸侣（180g)的水溶液与异丙醇侣（80g)混合。随后加入S己氧基硅烷 (15g)。溶液回流4小时。加入1-丙醇作为加工溶液并使用O.lym过滤器过滤W得到工 艺预备溶液。
[0127] 实施例7;
[012引九水合硝酸侣（180g)的水溶液与异丙醇侣（40g)混合。随后加入S己氧基硅烷 (15g)。溶液回流4小时。将溶剂交换为1-丙醇。使用0.04ym过滤器过滤W得到工艺预 备溶液。
[0129] 实施例8;
[0130] 九水合硝酸侣（180g)的水溶液与异丙醇侣（20g)和异丙醇铁（25g)混合。随后 加入S己氧基硅烷（15g)。溶液回流4小时。将溶剂交换为1-丙醇。使用0. 04ym过滤器 过滤W得到工艺预备溶液。
[013。 实施例9;
[0132] 九水合硝酸侣（180g)的水溶液与异丙醇铁（IV) (38g)混合。随后加入S己氧基 硅烷（15g)。溶液回流4小时。将溶剂交换为1-丙醇。使用0.04ym过滤器过滤W得到工 艺预备溶液。
[0133] 实施例10 ;
[0134] 九水合硝酸侣（180g)的水溶液与异丙醇侣（20g)和己醇粗（22g)混合。随后加 入S己氧基硅烷（15g)。溶液回流4小时。将溶剂交换为1-丙醇。使用0.1ym过滤器过 滤W得到工艺预备溶液。
[0135] 实施例11 ;
[0136] 九水合硝酸侣（180g)的水溶液与异丙醇侣（35g)混合。此后加入原娃酸四己醋 巧g)和S己氧基硅烷（14g)。溶液回流4小时。将溶剂交换为1-丙醇。使用0. 04ym过 滤器过滤W得到工艺预备溶液。
[0137] 实施例12 ;
[0138] 将20g仲了醇侣与200gPGEE混合30分钟。加入15. 58g己酷己酸己醋，随后加 入S己氧基硅烷（llg)并混合。加入&0和PGEE(8g和40g)的混合物。使用0.lym过滤 器过滤W得到工艺预备溶液。
[0139] 实施例13 ;
[0140] 将20gAlCl3溶解在化0H(200g)中，将TiCl4(10g)+Ti(i0Pr)4(14g)溶解在 200g 化0H中。合并溶解后的溶液。在室温下揽拌溶液60分钟。加入S己氧基硅烷（15g)，且溶 液在室温下揽拌60分钟。使用隔膜累蒸馈出化0H。加入220g2-异丙氧基己醇至物料烧 瓶中。冷却并过滤溶液。溶液被调配为最终工艺溶剂1-了醇，并被使用0.1ym过滤器过 滤W得到工艺预备溶液。
[0141] 实施例14;
[0142] 将Mg巧g)填入反应烧瓶，并将气氛由空气变为馬。向Mg加入干燥THF(175ml)， 并在室温下加入ClsSiC&Cl(35血）。溶液回流4小时。使用干燥THF洗漆反应混合物，并 加入LiAlH4(4.Og)。溶液回流2小时。将溶剂变为戊烧并萃取（300-400mL)。过滤溶液并 将溶剂交换为丙二醇丙基離（PnP)。物料被稀释为工艺配方并使用0. 1ym过滤器过滤W得 到工艺预备溶液。
[0143] 实施例15 ;
[0144] 将Mg(12g)填入反应烧瓶，并将气氛由空气变为馬。向Mg加入干燥THF，并在室温 下加入ClsSiC&ClOS血）。向反应混合物加入化CN。溶液回流4小时。使用干燥THF洗漆 反应混合物，并加入LiAl& (4.Og)。溶液回流2小时。将溶剂变为戊烧并萃取（300-400mL)。 过滤溶液并将溶剂交换为丙二醇丙基離（PnP)。物料被稀释为工艺配方并使用0. 1ym过滤 器过滤W得到工艺预备溶液。
[0145] 实施例16 ;
[0146] 基础配方：将704g异丙醇铁（IV)置于反应烧瓶。将470g四氯化铁加入反应器。 将5760ml甲醇加入反