微腔oled光提取的利记博彩app
【专利说明】微腔OLED光提取
[0001 ]相夫专利申请
[0002] 本专利申请设及W引用方式并入本文的下述美国专利申请;与本专利申请提交于 同一天的"TRANSPARENT 0LED LIGHT EXTRACTION(透明0LED光提取)"(代理人案卷号 70114US002)。
【背景技术】
[0003] 有机发光二极管(0LED)装置包括电致发光有机材料的薄膜,所述薄膜夹在阴极 和阳极之间,其中该些电极中的一个或两个是透明导体。在跨所述装置来施加电压时,从各 自的电极射出电子和空穴,并且所述电子和空穴通过中间形成放射性激子而在电致发光有 机材料中复合。
[0004] 在0LED装置中,超过70 %的生成光通常由于在装置结构内的工艺而损失。光在 较高折射率的有机和氧化铜锡(IT0)层与较低折射率的基底层之间的界面处的捕集是该 种提取效率较差的一个原因。只有相对少量的发射光可作为"可用的"光穿过透明电极出 现。大部分光经受内部反射,导致光从装置的边缘发射或在装置内被捕集,并在反复穿行之 后最终因吸收到装置内而损失掉。光提取膜使用可降低在装置内的该类波导损耗的内部纳 米结构。
[0005] 有源矩阵0LED (AM0LED)显示器在显示器市场越来越突出。影响AM0LED显示器的 有效市场渗透的多个进展中的一个进展是利用强效光学微腔0LED架构来改善轴向效率并 实现100%的NTSC轴向色域。同时,强效微腔方法具有与AM0LED制造的复杂性并与AM0LED 装置的角亮度和色彩性能相关联的多个限制。众所周知,强效微腔与大多数已知的光提取 技术是不兼容的。
【发明内容】
[0006] 本公开提供一种光发射装置,包括该光发射装置的有源矩阵有机发光二极管 (AM0LED)装置,W及包括该光发射装置的图像显示装置。具体地,该光发射装置包括微腔 有机发光二极管(0LED)、光提取膜,W及设置在该微腔0LED与该光提取膜之间的高折射率 封盖层。在一个方面,本公开提供包括微腔有机发光二极管(0LED)装置的光发射装置,该 0L邸装置具有被配置成发射光的顶部金属电极;紧邻该顶部金属电极设置的具有大于1.8 的折射率的封盖层;W及邻近该封盖层设置的光提取膜。
[0007] 在另一方面,本公开提供一种有源矩阵有机发光二极管(AM0LED)装置,其包括光 发射装置阵列,每个光发射装置具有微腔有机发光二极管(0LED)装置,该0LED装置具有被 配置成发射光的顶部金属电极;紧邻该顶部金属电极设置的具有大于1. 8的折射率的封盖 层;W及光发射装置阵列上方设置的光提取膜,该光提取膜邻近该封盖层。
[000引在另一方面,本公开提供一种图像显示装置,该图像显示装置包括多个光发射装 置,每个光发射装置具有微腔有机发光二极管(0LED)装置,该0LED装置具有被配置成发 射光的顶部金属电极;W及紧邻该顶部金属电极设置的具有大于1.8的折射率的封盖层。 该图像显示装置还包括设置在该多个光发射装置上方的光提取膜,该光提取膜与封盖层相 邻;W及能够激活每个光发射装置的电子电路。
[0009] 上述
【发明内容】
并非旨在描述本发明的每个所公开实施例或每种实施方案。W下附 图和【具体实施方式】更具体地举例说明了示例性实施例。
【附图说明】
[0010] 整个说明书参考附图,在附图中,类似的附图标号表示类似的元件,并且其中:
[0011] 图1示出光发射装置的横截面示意图;
[0012] 图2示出用于对照物和提取器层合装置的效率对亮度;
[0013] 图3示出用于对照物和提取器层合装置的效率对亮度;
[0014] 图4示出用于对照物和提取器层合装置的效率对亮度;W及
[0015] 图5示出用于对照物和提取器层合装置的效率对亮度。
[0016] 附图未必按比例绘制。附图中使用的类似标号是指类似组件。然而,应当理解,使 用标号来指代给定附图中的组件并非旨在限制在另一附图中W相同标号标记的组件。
【具体实施方式】
[0017]本公开描述一种光发射装置,该光发射装置包括微腔有机发光二极管(OLED)、 光提取膜、W及被设置在微腔OL邸与光提取膜之间的高折射率封盖层。本公开的实施 例设及光提取膜和该光提取膜用于OLED装置的使用。光提取膜的示例在美国专利申请 公布2009/0015757和2009/0015142中描述,并且也在共同未决的美国专利申请序列号 13/218610 (代理人案卷编号67921US002)中描述。
[0018] 在W下说明中参考附图,附图形成说明的一部分并且通过举例说明的方式示出。 应当理解,在不脱离本发明的范围或实质的情况下,设想并可做出其它实施例。因此,W下 的【具体实施方式】不具有限制性意义。
[0019] 除非另外指明,否则本说明书和权利要求中使用的表示特征尺寸、数量和物理特 性的所有数字均应该理解为在所有情况下均是由术语"约"来修饰的。因此,除非有相反的 说明,否则上述说明书和所附权利要求书中列出的数值参数均是近似值。根据本领域的技 术人员利用本文所公开的教导内容寻求获得的所需特性,该些近似值可W变化。
[0020] 除非本文内容另外清楚指明,否则本说明书和所附权利要求中使用的单数形式 "一种"、"一个"、"该"、"所述"涵盖了具有多个指代物的实施例。如本说明书W及附加的权 利要求中所使用,术语"或"一般W包括"和/或"的意思使用,除非内容另外清楚指明。
[0021] 空间相关的术语包括但不限于"下面"、"上面"、"在...下面"、"在...之下"、 "在...之上"和"在顶部",如果在本文中使用,则用于便于描述一个元件相对于另一个元 件的空间关系。此类空间相关术语涵盖除示于附图中并且描述于本文中的特定取向之外的 装置在使用或运行中的不同取向。例如,如果图中所描绘的物体翻过来或翻转过来,那么先 前描述的在其它元件之下或下面的部分就在该些其它元件之上了。
[0022] 如本文所用,例如当元件、组件或层描述为与另一元件、组件或层形成"一致界 面",或在另一元件、组件或层"上"、"连接到"、"禪合到"或"接触"另一元件、组件或层时, 其可W直接在所述兀件、组件或层之上,直接连接到,直接禪合到,直接接触所述特定兀件、 组件或层,或者居间的元件、组件或层可能在所述特定元件、组件或层之上,或连接到、禪合 到或接触所述特定元件、组件或层。例如,当元件、部件或层被称为"直接在另一元件上"、 "直接连接到另一元件"、"直接禪接到另一元件"或"直接接触另一元件"时,则没有居间的 元件、部件或层。
[0023]OL邸外部效率是为在高分辨率显示器和照明之间范围内的所有OLED应用考虑的 参数,该是由于其影响诸如功耗、亮度和使用寿命的重要装置特性。已经展示,OL邸外部效 率可受限于OLED叠堆自身内的光损耗(例如,在高折射率有机层与氧化铜锡内的波导模 式)、在中间折射率基底内的光损耗,并由于在电极(阴极或阳极)金属表面等离子体激元 的电子空穴对的泽灭而受限制。在具有最大可能内部效率的装置中,该效率的约75-80%可 由于上述的损耗而在内部被消散。另外,在显示器应用中,超过50 %的光会被损失在圆形偏 光器中,该圆形偏光器用于改善例如有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)环境对比度。改善 在当前AMOL邸显示器中实现的光提取的主要方法包括强效光学微腔,其启用一些(通常约 1. 5幻轴向增益和总增益,然而可引起显著亮度和色角度问题。
[0024] 倍数1. 5-2. 2X的OLED亮度增强已用例如在美国专利申请公布2009/0015757和 2009/0015142中的纳米结构化即亚微米的OLm)光提取器展示;然而,具有强效微腔性能的 用于0L邸的纳米结构化提取器先前还没有被展示。
[0025] 微腔0L邸已在例如美国专利7, 800, 295和7, 719, 499中描述;另外还在化urnal ofDisplayTechnology(显示技术期刊)第1卷第2期248-266页(2005年12月)中, 由Wu等人发表的"AdvancedOrganicLight-EmittingDevicesforEnhancingDisplay Per化rmances(用于增强显示性能的先进有机光发射装置)"中,虽然光学微腔相对很好理 解,但是仍然缺乏对微腔与用于0L邸的其他光学外禪合方法的差兼容性的理解,并缺乏可 与强效微腔协同工作的实践方法。光学建模和实验结果表明,虽然捕集光学模式分布受强 效微腔的存在的影响,但是该捕集模式的显著部分保持不被捕获;即,捕集在该微腔内。
[0026] 本公开描述光发射装置诸如基于强效微腔0L邸的AM0L邸显示器,在该强效微腔 0L邸中的层合纳米结构化光提取膜产生另外的光轴增益和集成增益。该装置还表现出改善 的角亮度和色彩。由纳米结构化膜执行的另外光提取通过在微腔0L邸装置的顶部金属电 极的顶部上采用高折射率封盖或封装叠堆被启用。
[0027] 强效光学微腔设计是用于移动应用的AM0L