光器件的利记博彩app
【技术领域】
[0001] 本发明设及在基板的正面形成有发光层的光器件。
【背景技术】
[0002] 在激光二极管（LD)或发光二极管（LED)等光器件的制造工艺中，例如通过外延生 长在由藍宝石或SiC等构成的晶体生长用基板的上表面层叠发光层（外延层），由此制造出 用于形成多个光器件的光器件晶片。LD、L邸等光器件在光器件晶片的正面上形成于由成 格子状的分割预定线划分出的各区域中，通过沿着所述分割预定线对光器件晶片进行分割 使其单片化，从而制造出一个个光器件。
[0003] W往，作为沿着分割预定线分割光器件晶片的方法，已知专利文献1和2所述的方 法。在专利文献1的分割方法中，首先，沿着分割预定线照射对晶片具有吸收性的波长的脉 冲激光束来形成激光加工槽。然后，通过对晶片施加外力，由此W激光加工槽为分割起点来 割断光器件晶片。
[0004] 在专利文献2的分割方法中，为了提高光器件的亮度，将对于光器件晶片具有透 射性的波长的脉冲激光束的聚光点对准晶片的内部照射，在晶片的内部形成沿着分割预定 线的变质层。然后，对由于变质层而导致强度降低的分割预定线施加外力，由此分割光器件 晶片。
[0005] 专利文献1 ;日本特开平10-305420号公报
[0006] 专利文献2 ;日本特开2008-006492号公报
[0007] 在专利文献1、2的光器件晶片的分割方法中，使激光束相对于光器件晶片的表面 大致垂直地入射，W激光加工槽或变质层为分割起点将光器件晶片分割成一个个光器件。 所述光器件的侧面与形成于正面的发光层大致垂直，光器件形成为长方体形状。因此，在从 光器件的发光层射出的光中，相对于侧面的入射角变得比临界角度大的光的比例升高。因 此，在侧面进行全反射的光的比例升高，在反复进行全反射的过程中，最终在光器件的内部 发生消光的比例也升高。其结果是，存在该样的问题；光器件中的光的导出效率降低，并且 亮度也降低。
【发明内容】
[0008] 本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种能够提高光的导出效率的 光器件。
[0009] 本发明的光器件包括基板和在基板的正面上形成的发光层，其特征在于，基板具 有：四边形的正面；与正面平行且为四边形的背面；W及连结正面和背面的4个侧面，在各 个侧面上沿着正面的边的延伸方向并排地形成有向外侧突起的多个凸部，在各凸部处沿着 基板的厚度方向交替地形成有凹凸。
[0010] 根据该结构，由于在基板的各个侧面上形成有多个凸部，且在凸部处沿基板的厚 度方向交替地形成有凹凸，因此能够使入射至侧面的光中的、W临界角度W下的角度入射 至侧面的光的比例增多。由此，能够将发生全反射并返回发光层的光的比例抑制得较低，能 够增大从侧面射出的光的比例，从而能够实现光的导出效率的提高。
[0011] 根据本发明，能够提高光的导出效率。
【附图说明】
[0012] 图1是示意性地示出本实施方式的光器件的结构例的立体图。
[001引图2A是图1的A-A截面的示意图，图2B是示意性地示出光器件的主视图。
[0014] 图3是示出本实施方式的光器件中的光射出的样子的示意性的剖视图。
[0015] 图4是示出比较结构的光器件中的光射出的样子的示意性的剖视图。
[0016] 图5A是本实施方式的激光加工装置的立体图，图5B是激光加工装置中的激光光 线照射的说明图。
[0017] 图6是粘贴工序的说明图。
[0018] 图7是改性层形成工序的说明图，图7A是改性层形成前的说明图，图7B是激光光 线的聚光点的说明图，图7C是从上方观察形成有改性层的分割预定线的说明图，图7D是改 性层形成后的说明图。
[0019] 图8A是光器件晶片的概要立体图，图8B和图8C是图8A的B-B截面的示意图。
[0020] 图9是用于说明改性层形成工序的立体图。
[0021] 图10是分割工序的说明图。
[00过标号说明
[0023] 1 ;光器件；
[0024] 21 ;基板；
[00巧]21a;正面；
[0026] 21b;背面；
[0027] 21c;侧面；
[0028] 22 ;发光层；
[002引 26;凸部；
[0030]ST;分隔预定线；
[0031]W;光器件晶片；
[0032]W1 ;基板；
[003引 W2;发光层。
【具体实施方式】
[0034] W下，参照附图，对本实施方式的光器件进行说明。图1是示意性地示出本实施方 式的光器件的结构例的立体图。图2A是图1的A-A截面的示意图，图2B是示意性地示 出光器件的主视图。图3是用于说明光器件的光的射出状态的剖视示意图。
[00巧]如图1及图2所示，光器件1构成为包括基板21和在基板21的正面21a上形成的 发光层22。优选的是，基板21透明。基板21作为晶体生长用基板，可W举例示出使用藍宝 石基板（AI2O3基板）、氮化嫁基板（GaN基板）、碳化娃基板（SiC基板）、氧化嫁基板（Ga2化 基板）形成的基板。如图3所示，光器件1被引线接合封装或倒装巧片封装于基座11上。
[0036] 发光层22通过在基板21的正面21a上依次外延生长有电子成为多子的n型半导 体层（例如n型GaN层）、半导体层（例如InGaN层）、空穴成为多子的P型半导体层（例 如P型GaN层）而形成的。并且，在n型半导体层和P型半导体层上分别形成有外部引出 用的2个电极（未图示），通过从外部电源对2个电极施加电压，由此从发光层22射出光。
[0037] 回到图1和图2,基板21的正面21a和背面2化在俯视观察时形成为大致相同的 四边形状，且形成为相互平行。基板21具备将正面21a及背面2化各自的四条边连结起来 4个侧面21c。
[0038] 在各侧面21c上，沿着正面21a的四条边的延伸方向并排地形成有向外侧突起的 多个凸部26。由此，如图2A所示，利用与正面21a平行的面（图1中的A-A截面）将基 板21切断进行观察的情况下的各侧面21c的截面形状形成为波浪形状。如图1和图2B所 示，在形成于侧面21c的各凸部26中，构成为沿基板21的厚度方向（上下方向）交替形成 有凹凸的形状。因此，从正面观察基板21的情况下的位于左右两侧的凸部26的形状因交 替形成的凹凸而形成为波浪形状。在本实施方式中，与沿上下方向形成的凹凸的间距相比， 在凸部26的排列方向（正面21a的四条边的延伸方向）上的凹凸的间距形成得较小，但也 可W形成得相等，或形成得较大。另外，上述各个波浪形状不限于如图所示那样平缓地弯曲 的形状。例如，凸部26、形成于凸部26的凹凸的凸部分的截面形状可W呈梯形形状（等腰 梯形形状）隆起，或呈S角形状突出。
[0039] 接下来，参照图3及图4,对本实施方式的光器件1的亮度改善效果进行说明。图 4是示出从用于与实施方式进行比较的比较结构的光器件射出光的样子的剖视示意图。相 对于实施方式的光器件1，比较结构的光器件3除了基板的侧面的形状发生改变该一点外， 具备相同的结构。目P，比较结构的光器件3由下述部分构成；正面31a和背面3化形成为大 致相同的四边形状的基板31 ;和形成于基板31的正面31a的发光层32,该光器件3安装于 基座33上。并且，基板31的4个侧面31c形成为与正面31a和背面3化垂直的