半导体器件格栅阵列封装的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本申请一般涉及半导体器件封装，并特别地涉及一种半导体器件球栅阵列封装。
【背景技术】
[0002]封装半导体为封装管芯提供了外部电连接和物理保护。在减小半导体管芯尺寸的持续进步以及形成在管芯上的集成电路的增加的功能，增加了这样封装的半导体的外部连接的复杂性。
[0003]封装半导体的一种典型类型是半导体管芯安装到引线框封装形成的四方扁平封装(QFP)。该引线框由金属片形成，其包括管芯贴附垫或旗标以及将该旗标贴附到框的系杆。该引线框的引线电连接到具有接合线的管芯的电极。线接合之后，该半导体管芯和引线被封进诸如塑料材料的化合物(材料)中，仅留引线的一部分暴露。引线的这些暴露部分从引线框的框切开(分离)并弯曲以便于连接到电路板。然而，QFP封装固有的结构导致引线数量的限制并因此限制可被用于特殊封装尺寸的封装外部电连接的数量。进一步的，基于格栅阵列封装的引线框的外部电连接典型地由诸如铜或铝的导体材料的薄的单片制造，并且这些连接不可能足够地支持在密封化合物(材料)中并可变得损耗。
[0004]格栅阵列封装已经发展作为QFP封装的替代。格栅阵列封装在增加外部电连接数量的同时维持或甚者减小了封装尺寸。这样的格栅阵列封装包括针栅阵列(PGA)、球栅阵列(BGA)以及平面栅阵列(LGA)。这样的格栅阵列封装的制造要求在其上安装有半导体管芯的衬底。该衬底具有导电迹线和过孔并且通过其凸焊沉积被安装，典型的为焊球。然而，这样的衬底的固有厚度增加了现有的格栅阵列封装的整体尺寸。鉴于包括半导体管芯格栅阵列封装的电子器件的微型化的趋向，这是不期望的。
【附图说明】
[0005]本发明的目的及其优点一起可通过参考优选实施例的随后说明和附图而更好地理解。
[0006]图1是根据本发明的第一优选实施例的两部分模具的横截面侧视图；
[0007]图2是根据本发明的第一优选实施例的格栅阵列封装的横截面侧视图；
[0008]图3是根据本发明的第一优选实施例的由图2的格栅阵列组件形成的半导体管芯组件的平面图；
[0009]图4是根据本发明的第一优选实施例的由图3的半导体管芯组件形成的半导体管芯格栅阵列封装的横截面侧视图；
[0010]图5是根据本发明的第二优选实施例的两部分模具的横截面侧视图；
[0011]图6是根据本发明的第二优选实施例的格栅阵列组件的横截面侧视图；
[0012]图7是根据本发明的第二优选实施例的由图6的格栅阵列组件形成的半导体管芯组件的平面图；
[0013]图8是根据本发明的第二优选实施例的由图7的半导体管芯组件形成的半导体管芯格栅阵列封装的横截面侧视图；
[0014]图9是根据本发明的第三优选实施例的由图6的格栅阵列组件形成的半导体管芯格栅阵列封装的横截面侧视图；
[0015]图10是根据本发明的第四优选实施例的由图6的格栅阵列组件形成的半导体管芯组件的平面图；
[0016]图11是根据本发明的第四优选实施例的由图10的半导体管芯组件形成的半导体管芯格栅阵列封装的横截面侧视图；
[0017]图12是根据本发明的第五优选实施例的由图6的格栅阵列组件形成的倒装芯片格栅阵列组件的平面图；
[0018]图13是根据本发明的第五优选实施例的由图12的倒装芯片格栅阵列组件形成的半导体管芯组件的平面图；
[0019]图14是根据本发明的第五优选实施例的由图13的半导体管芯组件形成的半导体管芯格栅阵列封装的横截面侧视图；
[0020]图15是示出根据本发明的制造半导体管芯格栅阵列封装的方法的流程图。
【具体实施方式】
[0021]下面陈述的与附图相关的详细说明书意欲作为本发明的目前优选实施例的说明书，并不是意欲表示本发明可被实践的仅有形式。应当理解相同或等同的功能可由意欲包含在本发明的精神和范围内的不同实施例完成。在附图中，相同的数字自始至终被用于表示相同的元件。而且，术语“包括”、“包含”或其任意其他变型意欲涵盖非排他性的包容，以使得模块、电路、器件部件、结构以及包括一系列的元素或步骤的方法步骤，该一系列的元素或步骤不是仅包括那些元素而是可包括没有明确列出或这些模块、电路、器件部件或步骤固有的其它元素或步骤。除非特别限制，由“包括一个”继续描述的元素或步骤并不排除构成该元素或步骤的附加的相同元素或步骤的存在。
[0022]在一个实施例中，本发明提供了装配半导体管芯格栅阵列封装的方法。该方法包括提供由其中嵌入有焊料沉积物的电绝缘材料形成的格栅阵列组件。每个焊料沉积物的第一部分暴露在该绝缘材料的第一表面上并且每个焊料沉积物的第二部分暴露在该绝缘材料的相对表面上。半导体管芯安装到该绝缘材料的第一表面。该半导体管芯的电极进而电连接到该焊料沉积物。该管芯和该绝缘材料的第一表面进而覆盖有密封材料。
[0023]在另一个实施例中，本发明提供了半导体管芯格栅阵列封装。该格栅阵列封装包括由其中嵌入有焊料沉积物的电绝缘材料形成的格栅阵列组件。每个焊料沉积物的第一部分暴露在该绝缘材料的第一表面上并且每个焊料沉积物的第二部分暴露在该绝缘材料的相对第二表面上。半导体管芯安装到该绝缘材料的第一表面。该半导体管芯具有电连接到该焊料沉积物的电极。密封材料覆盖该半导体管芯和该绝缘材料的第一表面。
[0024]在又另一个实施例中，本发明提供了由其中嵌入有焊料沉积物的电绝缘材料形成的格栅阵列组件。每个焊料沉积物的第一部分暴露在该绝缘材料的第一表面上，并且每个焊料沉积物的第二部分暴露在该绝缘材料的相对表面上。第一和第二部分中的一个或两个可从该绝缘材料凸出并还可具有变形的表面。
[0025]现在参考图1，根据本发明的第一优选实施例的两部分模具100的横截面侧视图被示出。模具100具有彼此邻接以形成模穴115的上体105和下体110。该模穴115的上表面120具有由上部凹槽125形成的上部焊料沉积物定位阵列，上部凹槽125对准于在该模穴115的下表面135上的下部凹槽130。
[0026]如所示出的，焊球140形式的焊料沉积物放置在凹槽125、130中。在这个特定实施例中，该焊球140首先沉积在下部凹槽130中。当该上体105和下体110共同进入邻接啮合时，进而形成该模穴115，凹槽125、130的形状使焊球140变形，如示出的。
[0027]图2是根据本发明的第一优选实施例的格栅阵列组件200的横截面侧视图。在模制化合物围绕焊球140模制之后，格栅阵列组件200形成，其中模制化合物是电绝缘材料205。更特别地，格栅阵列组件200在以热流态的电绝缘材料205被移入或注入该模穴115并进而冷却之后形成，如对本领域技术人员来说显而易见的。
[0028]正如所示出的，焊球140嵌入电绝缘材料205中。还有，每个焊球140的第一部分210暴露在该绝缘材料205的第一表面215上。类似地，每个焊球140的第二部分220暴露在该绝缘材料205的相对第二表面225上。
[0029]图3是根据本发明的第一优选实施例的由格栅阵列组件200形成的半导体管芯组件300的平面图。该半导体管芯组件300包括安装到该电绝缘材料205的第一表面215上的半导体管芯305。该半导体管芯305具有通过接合线315选择性地电连接到焊球140的多个电极310。
[0030]图4是根据本发明的第一优选实施例的由