可饱和吸收体中的缺陷检测的利记博彩app
【专利说明】可饱和吸收体中的缺陷检测
【背景技术】
[0001 ] 除非在本文中另外表明，否则本部分中所述的材料对于本申请中的权利要求来说 不是现有技术并且不由于包括在本部分中而被承认是现有技术。
[0002] 单层和多层石墨烯膜目前在电路、显示器和其它领域中受到很大关注。许多应用， 诸如电子器件，可以受益于例如石墨烯的具有可预测电导率的连续部分。化学气相沉积 (CVD)，一种常见的制备石墨烯的方法，可包括在过渡金属基板上生长石墨烯膜、接着转印 到第二基板。这样的生长和转印处理可能生成宏观裂缝和空隙缺陷，而这些缺陷在没有专 业的实验室工具（诸如拉曼光谱仪）的情况下可能难以检测到。识别这样的缺陷对于可包 括石墨烯的系统的过程控制和质量保证是有利害关系的。然而，诸如拉曼光谱仪的专业工 具对于扫描大面积的石墨烯可能会令人不快地缓慢，特别是在生产规模环境下。
[0003] 本公开意识到快速地识别石墨烯膜中的裂缝和空隙可能是复杂的事情。
[0004] 概述
[0005] 以下概要仅仅是说明性的，而并不意图以任何方式是限制性的。除了说明性的方 面，上述实施例和特征、另外的方面、实施例和特征将通过参考附图和下面的详细描述而变 得显而易见。
[0006] 本公开总体地描述用于使可饱和吸收体（例如，石墨烯）中的一个或多个缺陷成 像的方法、装置和计算机程序产品。
[0007] -些示例实施例可包括使可饱和吸收体中的一个或多个缺陷成像的各种方法。示 例方法可包括：获取可饱和吸收体在第一入射强度的明视场电磁辐射下的关于该可饱和吸 收体上的位置的第一反射强度，并获取该可饱和吸收体在第二入射强度的明视场电磁辐射 下的关于该位置的第二反射强度。第二入射强度可大于第一入射强度足以至少部分使可饱 和吸收体的吸收率值饱和的量。示例方法还可包括：确定对应于第二入射强度除以第一入 射强度的入射强度比；确定关于所述位置的、对应于第二反射强度除以第一反射强度的反 射强度比；通过确定关于可饱和吸收体上的多个位置的反射强度比来产生关于可饱和吸收 体的反射强度比图；并将反射强度比与入射强度比进行比较以识别所述多个位置中的一个 或多个处的一个或多个缺陷。
[0008] 另外的示例实施例可包括具有存储于其上的用于检测可饱和吸收体中的缺陷的 机器可执行指令的计算机可读存储介质。该计算机可读存储介质可包括控制照射源选择性 地将第一入射强度的明视场电磁辐射导向样品台处的可饱和吸收体上的位置的机器可执 行指令。可包括控制成像设备获取可饱和吸收体在第一入射强度的明视场电磁辐射下的关 于所述位置的第一反射强度的指令。还可包括控制照射源选择性地将第二入射强度的明视 场电磁辐射导向可饱和吸收体上的所述位置的指令。第二入射强度可大于第一入射强度足 以至少部分使可饱和吸收体的吸收率值饱和的量。可包括控制成像设备获取可饱和吸收体 在第二入射强度的明视场电磁辐射下的关于所述位置的第二反射强度的指令。还可包括确 定对应于第二入射强度除以第一入射强度的入射强度比的指令。还可包括确定关于所述位 置的、对应于第二反射强度除以第一反射强度的反射强度比的指令。还可包括通过确定关 于可饱和吸收体上的多个位置的反射强度比来产生关于可饱和吸收体的反射强度比图的 指令。反射强度比图可以是可饱和吸收体中的一个或多个缺陷的图像。还可包括将反射强 度比与入射强度比进行比较以识别所述多个位置中的一个或多个处的一个或多个缺陷的 指令。还可包括识别在可饱和吸收体上的反射强度比可大于入射强度比的位置处不存在缺 陷的指令。
[0009] 又一示例实施例可包括用于检测可饱和吸收体中的缺陷的系统。示例系统可包 括：样品台，其被构造为固定样品；照射源，其被构造为选择性地在可选强度的直接明视场 电磁辐射和暗视场电磁辐射下照射样品台；成像设备，其被构造为选择性地获取样品的明 视场反射强度和暗视场反射强度；以及微处理器，其耦接到样品台、照射源和成像设备。微 处理器可经由机器可执行指令进行配置。可包括控制照射源选择性地将第一入射强度的明 视场电磁辐射导向样品台处的所述可饱和吸收体上的位置的指令。可包括控制成像设备获 取可饱和吸收体在第一入射强度的明视场电磁辐射下的关于所述位置的第一反射强度的 指令。还可包括控制照射源选择性地将第二入射强度的明视场电磁辐射导向可饱和吸收体 上的所述位置的指令。第二入射强度可大于第一入射强度足以至少部分使可饱和吸收体的 吸收率值饱和的量。可包括控制成像设备获取可饱和吸收体在第二入射强度的明视场电磁 辐射下的关于所述位置的第二反射强度的指令。还可包括确定对应于第二入射强度除以第 一入射强度的入射强度比的指令。可包括确定关于所述位置的、对应于第二反射强度除以 第一反射强度的反射强度比的指令。还可包括通过确定关于可饱和吸收体上的多个位置的 反射强度比来产生关于可饱和吸收体的反射强度比图的指令。反射强度比图可以是可饱和 吸收体中的一个或多个缺陷的图像。还可包括将反射强度比与入射强度比进行比较以识别 所述多个位置中的一个或多个处的一个或多个缺陷的指令。可包括识别在可饱和吸收体上 的反射强度比可大于入射强度比的位置处不存在缺陷的指令。
【附图说明】
[0010] 通过结合附图进行的以下描述和所附权利要求，本公开的前述和其它特征将变得 更充分地显而易见。理解，这些附图仅仅描绘了根据本公开布置的几个实施例，因此，不应 被认为是限制其范围，将通过使用附图来更具体地、更详细地描述本公开，在附图中：
[0011] 图1是被包覆单层CVD石墨烯的硅晶圆的代表性的平铺的显微照片，该显微照片 示出石墨烯中的各种缺陷；
[0012] 图2是可饱和吸收体中的百分率透射对泵峰值强度的代表性绘图；
[0013] 图3A示出关于基板上所支撑的石墨烯片材的代表性的第一反射强度图像和相应 的绘图；
[0014] 图3B示出关于基板上所支撑的石墨烯片材的代表性的第二反射强度图像和相应 的绘图；
[0015] 图3C示出关于基板上所支撑的石墨烯片材的代表性的处理强度图像和相应的绘 图，这些从代表性的第一反射强度图像和第二反射强度图像计算；
[0016] 图3D示出代表性的强调表面碎片的暗视场图像以及处理的图像中的碎片的移 除；
[0017] 图3E说明用于检测可饱和吸收体中的一个或多个缺陷的替代示例操作；
[0018] 图4A是表示可用于使可饱和吸收体成像的各种共焦成像装置的概念图；
[0019] 图4B是表示可用于使可饱和吸收体成像的各种扫描装置的概念图的顶视图；
[0020] 图4C是图4B中所示的扫描装置的侧视图；
[0021] 图5是表示可用于实现所述的检测可饱和吸收体中的缺陷的方法的各种自动化 机器的框图；
[0022] 图6是示出可用于实现所述的检测可饱和吸收体中的缺陷的方法的示例方框的 示例流程图；
[0023] 图7说明可用于控制图5的自动化机器或类似装备实现所述的检测可饱和吸收体 中的缺陷的方法的示例通用计算设备；以及
[0024] 图8说明可用于控制图5或7的自动化机器或类似装置实现所述的检测可饱和吸 收体中的缺陷的方法的示例计算机程序产品的代表性框图；
[0025] 所有附图都是依照本文所述的至少一些实施例来安排的。
【具体实施方式】
[0026] 在以下详细描述中，对附图进行参考，所述附图形成详细描述的一部分。除非上下 文另外指示，否则在附图中，相似的符号通常标识相似的部件。在详细描述、附图和权利要 求中描述的说明性实施例并不意味着是限制性的。在不脱离本文所提供的主题的精神或范 围的情况下，可以利用其它实施例，以及可以进行其它改变。将易于理解的是，如在本文中 一般地描述的和在图中示出的那样，本公开的各方面可以以广泛多样的不同配置被布置、 替代、组合、分割和设计，所有这些在本文中都被明确地构想。
[0027] 本公开尤其是针对与检测可饱和吸收体中的缺陷相关的合成物、方法、装置、系 统、设备和/或计算机程序产品进行一般性的描写的。
[0028] 简要地说，可通过随着光强度提高而吸光率降低的可饱和特性来识别可饱和吸收 体（诸如石墨烯）中的缺陷。例如，可在两个完全不同的入射强度下使包覆石墨烯的