Led芯片的制造方法

文档序号:8545319阅读:460来源:国知局
Led芯片的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种LED芯片的制造方法。
【背景技术】
[0002] 近年来,LED作为新一代绿色光源,广泛应用于照明、背光、显示、指示等领域。随着 市场的竞争,各个LED企业以提高芯片光效,降低生产成本为目标,逐步提高生产竞争力。
[0003] 目前,LED生产工艺一般包括以下工艺:
[0004] 步骤一、平台刻蚀;
[0005] 步骤二、电流阻挡层制作;
[0006] 步骤三、透明导电层制作;
[0007] 步骤四、电极制作;以及
[0008] 步骤五、钝化层制作。
[0009] 上述五个步骤中,每一步都涉及到光刻过程,而在目前的工艺过程中,每增加一道 光刻工艺,都会增加制造成本。而且上述每个步骤都是不可或缺,举例而言,例如对于钝化 层,主要起保护侧壁作用,如果单纯的去掉钝化层,虽然能够简化制作工艺,但是芯片的反 向漏电以及开启电压可能会收到影响。因此,如何能够缩减所需的光刻过程的数量,又能够 确保芯片的质量,将大大简化制造过程,降低成本。
[0010] 此外,现有制程条件下,钝化层一般采用si〇2作为绝缘材料平铺于芯片整个面,后 续封装用硅胶混合荧光粉,在折射率方面考虑,310 2折射率为1.42-1. 48,封装硅胶目前多 采用高折射率硅胶,折射率1. 48-1. 52,显然光线从光疏介质进入光密介质,不利于光提取 率。因此,如何改善芯片的出光效率,也是一个亟待解决的问题。

【发明内容】

[0011] 本发明的主要目的在于,提供一种LED芯片的制造方法,简化制造过程,同时确保 LED芯片的质量。
[0012] 为解决上述技术问题,本发明提供一种LED芯片的制造方法,包括:
[0013] 提供衬底,所述衬底具有衬底侧壁;
[0014] 刻蚀所述衬底形成台阶,所述台阶具有台阶侧壁;
[0015] 在所述衬底上形成电流阻挡层,同时在所述衬底侧壁及台阶侧壁上形成钝化层;
[0016] 在所述衬底上形成透明导电层,所述透明导电层覆盖所述电流阻挡层;
[0017] 在所述透明导电层上和台阶上分别形成电极。
[0018] 可选的,对于所述的LED芯片的制造方法,所述衬底具有正面,所述台阶具有台阶 面,在所述衬底上形成电流阻挡层,同时在所述衬底侧壁及台阶侧壁上形成钝化层包括如 下步骤:
[0019] 沉积第一材料层,所述第一材料层覆盖所述正面、衬底侧壁、台阶面以及台阶侧 壁;
[0020] 刻蚀第一材料层,在所述衬底上形成电流阻挡层,还保留第一材料层在衬底侧壁 及台阶侧壁的部分,作为所述钝化层。
[0021] 可选的,对于所述的LED芯片的制造方法,所述第一材料层的材料包括氧化硅、氮 化硅、氧化铝中的多种,采用PECVD工艺蒸镀形成。
[0022] 可选的,对于所述的LED芯片的制造方法,所述第一材料层的厚度为 500-5000A。
[0023] 可选的,对于所述的LED芯片的制造方法,采用感应耦合等离子体刻蚀工艺形成 所述台阶。
[0024] 可选的,对于所述的LED芯片的制造方法,所述透明导电层的材料为氧化铟锡或 氧化锌。
[0025] 可选的,对于所述的LED芯片的制造方法,所述透明导电层的厚度为500-2000A。
[0026] 可选的,对于所述的LED芯片的制造方法,所述电极的材料包括采用金、铝、铬、 镍、铂、钛中的至少一种。
[0027] 本发明提供的LED芯片的制造方法中,电流阻挡层和钝化层同时形成。相比现有 技术,省去了一道光刻工艺,同时并未缺少所需要的膜层,因此也确保了LED芯片的质量。 此外,形成电流阻挡层和钝化层的第一材料层的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铝中的多 种,增大了钝化层的折射率,从而利于提高出光效率。
【附图说明】
[0028] 图1为本发明中的LED芯片的制造方法的流程图;
[0029] 图2-图7b为本发明实施例中LED芯片的制造方法的过程中器件结构的示意图。
【具体实施方式】
[0030] 下面将结合示意图对本发明的LED芯片的制造方法进行更详细的描述,其中表示 了本发明的优选实施例,应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明,而仍然实 现本发明的有利效果。因此,下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道,而并 不作为对本发明的限制。
[0031] 为了清楚,不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中,不详细描述公知的功能 和结构,因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开 发中,必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标,例如按照有关系统或有关商业的 限制,由一个实施例改变为另一个实施例。另外,应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费 时间的,但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
[0032] 在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要 求书,本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非 精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
[0033] 本发明的核心思想在于,提供一种LED芯片的制造方法,在衬底上进行台阶刻蚀 后,同时形成电流阻挡层和钝化层,从而节省了一道光刻工艺,也就简化了制造过程,降低 了成本。
[0034] 以下列举所述LED芯片的制造方法的较优实施例,以清楚说明本发明的内容,应 当明确的是,本发明的内容并不限制于以下实施例,其他通过本领域普通技术人员的常规 技术手段的改进亦在本发明的思想范围之内。
[0035] 请参考图1,并结合图2-图7b,其中图1为本发明中LED芯片的制造方法的流程 图;图2~图7b为本发明实施例中LED芯片的制造方法的过程中器件结构的示意图。
[0036] 如图1所示,所述LED芯片的制造方法包括:
[0037] 首先,请参考图2,执行步骤S101,提供衬底10,所述衬底10具有衬底侧壁,以及正 面,所述正面即为紧接着的后续步骤S102中进行工艺过程的面。具体的,所述衬底10可以 是蓝宝石衬底,并且可以包括例如N型氮
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