基板处理装置、基板装置的运用方法以及存储介质的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本发明涉及在对利用输送容器输入的基板进行处理的装置中或者在使用多个该装置的情况下对输送容器的异常进行检测的技术领域。
【背景技术】
[0002]在半导体制造工厂中，将半导体基板收纳在输送容器内，并利用自动输送机器人(AGV)、顶部输送装置(OHT)将输送容器向半导体制造装置输送。半导体制造装置包括:输入输出部，其用于将输送容器的半导体输入到装置内、自装置内输出；以及处理组件，其用于对半导体基板进行处理。作为输送容器，主流是在前表面具有盖体的密闭型的输送容器，在为12英寸半导体晶圆的情况下，使用被简称做FOUP的输送容器。FOUP在由树脂制成的输送容器(容器主体)的前表面上设有盖体，并具有形成于盖体的外表面的两个键孔。
[0003]所述输入输出部通常被称作装载部，该输入输出部具有:载物台，将FOUP自外部载置到载物台上；以及拆卸盖体的机构。作为半导体制造装置而使用与半导体制造工序的各工艺相对应的装置、例如成膜装置、用于形成掩模图案的装置、蚀刻装置、以及清洗装置等，利用输送容器在这些装置之间依次输送半导体基板。
[0004]输送容器例如FOUP是由多个厂商按照SEMI标准提供的，但也存在偏离SEMI标准的情况。若在半导体制造工厂内使用这样的FOUP，则在将基板自FOUP取出时会存在引起产生划痕等不良的情况。在专利文献I中，示出了用于确认所述FOUP内的作为半导体基板的晶圆的收纳状况的结构，但该结构并不能解决所述问题。
[0005]专利文件1:日本特开平4 - 321253号公报
【发明内容】
[0006]本发明是考虑到这样的情况而做出的，其目的在于，提供一种能够对用于收纳基板并将该基板输入到基板处理装置中的输送容器的异常进行检测以避免因该异常而引起的故障的技术。
[0007]本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置用于自输送容器取出基板并对基板进行处理，该输送容器的容器主体的前表面的基板取出口能被盖体气密地封堵，该输送容器用于将多个基板以呈搁板状收纳的方式输送，其特征在于，该基板处理装置包括:装载部，向该装载部输入所述输送容器；检测部，其用于对输入到所述装载部的、盖体被拆卸后的输送容器内的基板的收纳状况进行检测；处理部，其用于对自输入到所述装载部的输送容器取出的基板进行处理；以及控制部，其用于执行第I步骤、第2步骤以及第3步骤，在该第I步骤中，在将基板自输入到所述装载部的输送容器向所述处理部交付之前对输送容器内的基板的收纳状况进行检测，在该第2步骤中，在使经所述处理部处理过的基板返回到原来的输送容器之后且在将盖体关闭之前，对该输送容器内的基板的收纳状况进行检测，在该第3步骤中，根据所述第I步骤和第2步骤来对输送容器是否异常进行判断。
[0008]其他发明提供一种基板处理装置的运用方法，其是运用以下基板处理装置的方法:该基板处理装置用于自输送容器取出基板并对基板进行处理，该输送容器的容器主体的前表面的基板取出口能被盖体气密地封堵，该输送容器用于将多个基板以呈搁板状收纳的方式输送，其特征在于，该基板处理装置的运用方法包括以下工序:将所述输送容器输入到装载部并将盖体拆卸的工序；接着、在将基板交付到处理部之前对输送容器内的基板的收纳状况进行检测的第I检测工序；然后、在将基板自所述输送容器取出并利用处理部对该基板进行处理之后将该基板收纳在该输送容器内的工序；之后、在将输送容器的盖体关闭之前对该输送容器内的基板的收纳状况进行检测的第2检测工序；以及根据所述第I检测工序和第2检测工序来判断输送容器是否异常的判断工序。
[0009]又一其他发明提供一种基板处理装置的运用方法，其是运用以下基板处理装置的方法:该基板处理装置用于自输送容器取出基板并对基板进行处理，该输送容器的容器主体的前表面的基板取出口能被盖体气密地封堵，该输送容器用于将多个基板以呈搁板状收纳的方式输送，其特征在于，该基板处理装置的运用方法包括以下工序:使经一个基板处理装置处理过的基板返回到置于装载部的输送容器中的工序；之后、在将输送容器的盖体关闭之前对该输送容器内的基板的收纳状况进行检测的输出时检测工序；接着、将所述输送容器的盖体关闭并将该输送容器输入到另一个基板处理装置的装载部的工序；然后、将所述输送容器的盖体拆卸的工序；接着、将基板交付到处理部之前对输送容器内的基板的收纳状况进行检测的输入时检测工序；以及根据所述输出时检测工序和所述输入时检测工序来判断所述输送容器是否异常的判断工序。
[0010]在本发明中，在将输送容器输入到了基板处理装置的装载部时和使经基板处理装置处理后的基板返回到了输送容器时这两个时刻对该输送容器内的基板的收纳状况进行检测。然后，根据两个检测结果来对输送容器是否异常进行判断，因此能够发现异常的输送容器，由此，能够预防因输送容器的异常而导致基板产生划痕等故障。
【附图说明】
[0011]图1是表示本发明被应用的作为基板处理装置的涂敷显影装置的立体图。
[0012]图2是所述涂敷显影装置的承载组件的侧视图。
[0013]图3是所述涂敷显影装置的承载组件的侧视图。
[0014]图4是所述承载组件的开闭门和承载件的立体图。
[0015]图5是所述承载组件和承载件的横剖俯视图。
[0016]图6是所述承载件的纵剖主视图。
[0017]图7是所述承载件的纵剖主视图。
[0018]图8是所述承载件的纵剖侧视图。
[0019]图9是所述承载件的纵剖侧视图。
[0020]图10是表示装置控制器的结构的框图。
[0021]图11是表示在所述承载组件与所述承载件之间交接晶圆的说明图。
[0022]图12是表示在所述承载组件与所述承载件之间交接晶圆的说明图。
[0023]图13是表示在所述承载组件与所述承载件之间交接晶圆的说明图。
[0024]图14是表示在所述承载组件与所述承载件之间交接晶圆的说明图。
[0025]图15是表示在所述承载组件与所述承载件之间交接晶圆的说明图。
[0026]图16是表示在所述承载组件与所述承载件之间交接晶圆的说明图。
[0027]图17是表示在所述承载组件与所述承载件之间交接晶圆的说明图。
[0028]图18是表示在所述承载组件与所述承载件之间交接晶圆的说明图。
[0029]图19是表示在所述承载组件与所述承载件之间交接晶圆的说明图。
[0030]图20是表示在所述承载组件与所述承载件之间交接晶圆的说明图。
[0031]图21是表示在所述承载组件与所述承载件之间交接晶圆的说明图。
[0032]图22是包括所述涂敷显影装置的基板处理系统的结构图。
[0033]图23是另一承载件的纵剖侧视图。
[0034]图24是所述承载件的纵剖侧视图。
【具体实施方式】
[0035]第I实施方式
[0036]参照图1说明作为本发明的第I实施方式的基板处理装置的一个例子的涂敷显影装置I。图1是所述涂敷显影装置I的立体图。涂敷显影装置设置在半导体制造工厂内的洁净室内，是通过将承载组件El、处理组件E2、以及转接组件E3呈直线状连接而构成的。转接组件E3在与处理组件E2相反的一侧连接有曝光装置E4。涂敷显影装置I的外侧是收纳有多个作为基板的晶圆W的承载件C的输送区域11。后述的承载件输送机构12在该输送区域11中输送承载件。承载件C是例如被称作FOUP的输送容器。
[0037]先简单地说明各组件的作用。承载组件El是用于在与承载件输送机构12之间交接承载件C的组件。另外，承载组件El用于在输送到该承载组件El上的承载件C与处理组件E2之间交接晶圆W。在后面详细叙述承载组件E1。
[0038]处理组件E2是用于对晶圆W进行抗蚀剂涂敷处理、显影处理等各种液处理、加热处理的组件。曝光装置E4用于将利用处理组件E2形成于晶圆W的抗蚀膜曝光。转接组件E3用于在处理组件E2与曝光装置E4之间交接晶圆W。自承载件C输出后的晶圆W在处理组件E2中依次受到抗蚀剂涂敷处理、加热处理之后，被在曝光装置E4中曝光，并在处理组件E2中依次受到加热处理、显影处理之后返回到所述承载件C。
[0039]在例如承载组件El的侧面设有用于对涂敷显影装置I的各部分的动作进行控制的装置控制器2。装置控制器2是计算机，其对涂敷显影装置I的各部分发送控制信号。承载组件El接收到该控制信号而被控制，以进行后述的向该承载组件El输入晶圆W的输入动作和将晶圆W自承载组件El输出的输出动作。另外，各组件El?E3接收到该控制信号，由此被控制，以如上所述那样在各组件之间输送晶圆W并对晶圆W进行处理。
[0040]涂敷显影装置I的装置控制器2与主计算机20 (在第I实施方式中省略了图示)相连接。在后面详细叙述所述装置控制器2。所述主计算机20用于向承载件输送机构12发送控制信号而对洁净室内的承载件C的输送进行控制。另外，向被在洁净室内输送的多个各承载件C分配作为识别符号的ID编号，并将该ID编号发送给装置控制器2。
[0041 ] 在该洁净室内，按照由主计算机20设定好的顺序将各承载件C在包括涂敷显影装置I在内的多个装置之间输送。说明图1所示的承载件输送机构12，该承载