一种4H-SiC UMOSFET栅槽的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本发明属于半导体功率器件技术领域，涉及一种4H-SiC UMOSFET栅槽的利记博彩app。
【背景技术】
[0002]碳化硅(SiC)由于其具有大禁带宽度、高临界击穿电场、高热导率和高电子饱和漂移速度的优点，因此SiC在大功率、高温及高频的电力电子领域有着非常广阔的应用前景。另外，SiC的制作技术优于其他宽禁带半导体，已经发展到可以生产大多数半导体器件的水平，外延层生长、原味掺杂和离子注入以及热氧化、刻蚀和欧姆接触，都可以用在SiC上。
[0003]目前在以SiC为半导体衬底的场效应管中，垂直MOSFET的种类较多，应用范围也较为广泛。在设计SiC垂直MOSFET过程中，导通电阻和击穿电压是其关键参数。
[0004]SiC UMOSFET是一种垂直MOSFET，UMOSFET即U型槽栅MOS场效应晶体管(UMOSFET-trench gate M0SFET)。由于UMOSFET没有JFET区，因此该类结构的晶体管能够有效减小导通电阻，并且由于电流垂直流过沟道，可以有效提高沟道迀移率。然而，如图1所示，现有的SiC UMOSFET栅槽存在以下问题:(I)侧壁陡直性低。为避免金属掩膜易引起的微掩膜，现有技术中大多使用S12介质作为掩膜，然而S12掩膜2会带来刻蚀选择比很难提高的问题，因此不易形成非常陡直的侧壁表面形貌。图1中的侧壁3即为斜面，而非陡直表面。如图2所示是理想器件的栅槽结构，其侧壁3为陡直侧壁。(2)底部具体子沟槽。U型槽一般通过干法刻蚀RIE形成，通过RIE形成的U型槽底部通常会在U型槽底部两侧各产生一个呈V型凹陷状的子沟槽4，而理想的器件的栅槽底部为宽而平的形状。当现有器件工作在反向状态时，子沟槽4处出现电场集中，栅介质很容易在此处发生击穿，导致整个器件击穿电压降低。(3)表面粗糙度高。在不同工艺条件下，有时因为去除刻蚀产物的气体占刻蚀气体总量降低，使得表面聚合物的去除速度减慢，这都使得表面聚合物增多，从而导致表面粗糙度增大，阻碍其应用。为了使得SiC UMOSFET器件得到实际应用，必须使SiCUMOSFET栅槽具有非常陡直的侧壁表面形貌、宽而平的底部以及低表面粗糙度。因此，亟需一种能够克服以上缺点的具有良好形貌SiC UMOSFET槽栅的制造方法。
【发明内容】
[0005]本发明所要解决的技术问题是为了克服现有SiC UMOSFET器件中栅槽侧壁陡直性低、底部具有子沟槽及表面粗糙度高的缺点，提供一种4H-SiC UMOSFET栅槽的利记博彩app，该方法制作的UMOSFET栅槽侧壁陡直、底部无子沟槽且底部边角圆滑。
[0006]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种4H-SiC UMOSFET栅槽的利记博彩app，包括以下步骤:
[0007]A.在位于4H_SiC半导体衬底上的半导体外延层表面生长第一介质层，所述半导体外延层的材料为碳化娃，半导体外延层与半导体衬底的掺杂类型相同；
[0008]B.在第一介质层表面生长第二介质层；
[0009]C.在第二介质层上涂覆光刻胶，并对光刻胶进行曝光及显影，以光刻胶为掩膜刻蚀第二介质层，形成栅槽区域窗口 ；
[0010]D.去胶后，以剩下的第二介质层为掩膜刻蚀第一介质层；
[0011]E.清除第二介质层，以第一介质层作为刻蚀栅槽掩膜，利用感应耦合等离子体刻蚀技术对半导体外延层进行刻蚀栅槽，所述刻蚀气体包括SF6、O2以及Ar，SFf^P Ar的气体流量比例为2:1，O2含量的变化范围为45%?50% ;
[0012]F.清除第一介质层形成U型栅槽。
[0013]具体的，所述第一介质层的材质为3;102或SiN，所述第一介质层和半导体外延层的刻蚀选择比高于3。
[0014]进一步的，所述第二介质层的材质为非晶硅。
[0015]进一步的，所述第二介质层和第一介质层的刻蚀选择比高于20。
[0016]具体的，步骤E中的刻蚀条件如下:压强为0.3?0.5Pa，温度为20°C，ICP源功率为700?800W，RF功率为100?200W。
[0017]本发明的有益效果是:本发明得到的栅槽侧壁比较陡直、底部不存在子沟槽且底部边角尽量圆滑、各向异性好，此外该方法对侧壁和底部损伤较小；由于不存在子沟槽，有效改善器件反向击穿特性；由于栅槽表面粗糙度低，因此有效减少SiC/Si02界面的缺陷，提升器件正向开启性能；此外，该方法不会增加工艺难度，且不会增加制作成本。本发明适用于制作SiC UMOSFET栅槽。
【附图说明】
[0018]图1是现有的SiC UMOSFET栅槽的结构示意图；
[0019]图2是理想的SiC UMOSFET栅槽的结构示意图；
[0020]图3是本发明的流程图；
[0021]图4是的在半导体衬底上生长第一介质层和第二介质层的结构示意图；
[0022]图5是的实施例步骤4的结构示意图；
[0023]图6是最终样品的SEM测试图；
[0024]图7是最终样品的AFM测试图；
[0025]图8是刻蚀气体不包括氩气时的一种形貌图；
[0026]图9是刻蚀气体包括氩气时的一种形貌图；
[0027]其中，I为半导体外延层，2为S12掩膜，3为侧壁，4为子沟槽，5是第一介质层，6
是第二介质层。
【具体实施方式】
[0028]下面结合附图及实施例，详细描述本发明的技术方案。
[0029]如图3所示，本发明的4H-SiC UMOSFET栅槽的利记博彩app，首先需要在位于4H_SiC半导体衬底上的半导体外延层表面形成第一介质层，所述半导体外延层的材料为碳化娃，半导体外延层与半导体衬底表面的掺杂类型相同；而后，在第一介质层表面生长第二介质层；接着，在第二介质层上涂覆光刻胶，以光刻胶为掩膜刻蚀第二介质层，形成栅槽区域窗口 ；去胶后，以第二介质层为掩膜刻蚀第一介质层；清除第二介质层，以第一介质层作为刻蚀栅槽掩膜，利用感应耦合等离子体刻蚀技术对半导体外延层进行刻蚀栅槽，使用的刻蚀气体包括SF6、O2以及Ar，其中，SFjPAr的气体流量比例为2:1，O2含量的变化范围为45%?50% ;最后，清除第一介质层形成4H-SiC UMOSFET栅槽。
[0030]4H-SiC UMOSFET作为压控制型功率器件，具有栅极驱动电路简单，开关时间短，功率密度大，转换效率高的优点，在高温、高功率、高频、抗辐照领域具有广阔的应用前景。
[0031]实施例
[0032]本例中，一种4H_SiC UMOSFET栅槽的利记博彩app，具体为:
[0033]1.选取4H_SiC作为半导体衬底，所述半导体衬底上设有半导体外延层，半导体外延层的材料为碳化硅I，半导体衬底与其外延层具有相同导电类型，均为η型或P型。所需