有机发光显示设备的制造方法
【专利说明】有机发光显TF设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2014年2月5日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请N0.10-2014-0013315的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入本申请。
技术领域
[0003]本发明的一个或多个实施例涉及有机发光显示设备。
【背景技术】
[0004]通常，有机发光显示设备包括多个有机发光器件，每个有机发光器件包括像素电极、对电极和中间层，中间层被插入在像素电极和对电极之间。中间层包括发射层。在这种有机发光显示设备中，像素电极被布置为相互间隔开，然而对电极相对于多个有机发光器件被形成为单体。此外，对电极与显示区外的电极电源线相接触，并且接收预设的电信号。
[0005]然而，在这种相关技术的有机发光显示设备的制造工艺中，在形成电极电源线之后，并且在用于形成绝缘层(例如，像素限定层)的材料被涂敷在电极电源线上以形成绝缘层时，由于下面的电极电源线，形成绝缘层的材料可能不是被平滑地涂敷。
【发明内容】
[0006]根据本发明的一个或多个实施例的方面针对一种有机发光显不设备，该有机发光显示设备具有能够在绝缘层(例如，像素限定层)的形成期间减少缺陷的结构。
[0007]附加方面将部分地在下面的描述中阐述并且将部分地根据描述显而易见，或者可以通过所提供的实施例的实践来领会。
[0008]根据本发明的一个或多个实施例，一种有机发光显示设备包括:基板，具有显示区和围绕所述显示区的外围区；第一绝缘层，位于所述基板上以及所述显示区和所述外围区上方，所述第一绝缘层包括位于所述外围区的第一开口(例如，第一沟槽或第一孔)；以及第一导电层，位于所述第一绝缘层上并且具有位于所述第一开口中的一个端部，其中所述基板的顶面和所述第一导电层的所述一个端部的顶面之间的距离小于或等于所述基板的顶面和所述第一绝缘层的顶面之间的距离，所述第一导电层的所述一个端部是所述第一导电层的朝向所述基板的边缘的部分。
[0009]所述第一导电层可以具有多层结构，并且构成最上层下面的层的材料的蚀刻速率可以高于构成所述最上层的材料的蚀刻速率。
[0010]所述第一导电层可以包括第一 Ti层、位于所述第一 Ti层上的Al层以及位于所述Al层上的第二 Ti层。
[0011]所述基板的顶面和所述第一导电层的所述一个端部的顶面之间的距离可以与所述基板的顶面和所述第一绝缘层的顶面之间的距离相等。
[0012]所述第一导电层的所述第一个端部的顶面和所述第一绝缘层的顶面可以形成连续表面。在此情况下，所述第一导电层的厚度可以与所述第一绝缘层的厚度相等。
[0013]所述有机发光显示设备可以进一步包括第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述基板和所述第一绝缘层之间并且位于所述显示区和所述外围区上方，所述第二绝缘层具有与所述第一开口相对应的第二开口(例如，第二沟槽或第二孔)，其中所述第一导电层的所述一个端部可以位于所述第一绝缘层的所述第一开口和所述第二绝缘层的所述第二开口中，并且所述基板的顶面和所述第一导电层的所述一个端部的顶面之间的距离可以小于或等于所述基板的顶面和所述第一绝缘层的顶面之间的距离。在此情况下，所述第一绝缘层的厚度和所述第二绝缘层的厚度之和可以大于所述第一导电层的厚度。
[0014]所述有机发光显示设备可以进一步包括停止层，所述停止层位于所述基板和所述第一绝缘层之间并且至少部分地被所述第一绝缘层的所述第一开口暴露，其中所述第一导电层的所述一个端部可以与所述停止层相接触。这里，所述停止层可以是第二导电层。
[0015]所述第一绝缘层的所述第一开口可以具有沿所述基板的边缘侧延伸的形状，并且所述第一导电层可以具有沿所述基板的边缘侧延伸的形状。所述基板可以具有有长边和短边的矩形形状，并且所述基板的所述边缘侧可以是所述长边。
[0016]所述第一绝缘层可以包括在沿所述基板的边缘侧的多个位置处形成的多个第一开口，并且所述第一导电层可以具有沿所述基板的边缘侧延伸的形状。这里，所述基板可以具有有长边和短边的矩形形状，并且所述基板的所述边缘侧可以是所述长边。
[0017]当所述第一绝缘层的第一开口的朝向所述基板的边缘的一个端部被称为第一部分，所述第一绝缘层的第一开口的朝向所述基板的显示区的一个端部被称为第二部分，并且所述第一部分和所述第二部分之间的部分被称为第三部分时，所述第一部分在所述基板的所述边缘侧延伸所沿的方向上的宽度可以大于所述第三部分在所述基板的所述边缘侧延伸所沿的方向上的宽度。此外，所述第三部分在所述基板的所述边缘侧延伸所沿的方向上的宽度可以大于所述第二部分在所述基板的所述边缘侧延伸所沿的方向上的宽度。
[0018]所述第一绝缘层可以包括第三开口(例如，第三沟槽或第三孔)，所述第三开口位于所述第一开口和所述基板的边缘之间，所述第三开口相对于所述基板的正投影图可以具有多边形形状，并且所述第三开口的正投影图在朝向所述显示区的方向上的末端可以是尖的。在此情况下，所述有机发光显示设备可以进一步包括:面向所述基板的对基板，其中所述第一绝缘层和所述第一导电层可以位于所述对基板和所述基板之间；以及密封单元，所述密封单元用于将所述基板粘合至所述对基板，其中所述密封单元可以填充所述第三开□。
【附图说明】
[0019]根据以下结合附图对实施例的描述，这些和/或其它方面将变得明显且更易于理解，其中:
[0020]图1是根据本发明实施例的有机发光显示设备的一部分的示意性剖视图；
[0021]图2和图3是根据对比实施例的有机发光显示设备的一部分的示意性剖视图；
[0022]图4是根据本发明另一实施例的有机发光显示设备的一部分的示意性剖视图；
[0023]图5是根据本发明另一实施例的有机发光显示设备的一部分的示意性剖视图；
[0024]图6是示出根据本发明另一实施例的有机发光显示设备的制造期间的操作的示意性俯视图；
[0025]图7是示出根据本发明另一实施例的有机发光显示设备的制造期间的操作的示意性俯视图；
[0026]图8是示出根据本发明另一实施例的有机发光显示设备的制造期间的操作的示意性俯视图；
[0027]图9是示出根据本发明另一实施例的有机发光显示设备的制造期间的操作的示意性俯视图；
[0028]图10是根据本发明另一实施例的有机发光显示设备的示意性剖视图；以及
[0029]图11是示出图10的有机发光显示设备的制造期间的操作的示意性俯视图。
【具体实施方式】
[0030]现在将详细参考实施例，实施例的例子示于附图中，其中相同的附图标记始终指代相同的元件。就这一点而言，本实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于这里所阐明的描述。因此，以下仅仅通过参考附图来描述实施例，以解释本描述的各个方面。这里所使用的词语“和/或”包括所列出的相关联项目中的一个或多个的任意组合和所有组合。另外，在描述本发明的实施例时，“可以”的使用涉及“本发明的一个或多个实施例”。
[0031]可以理解的是，在层、区域或部件被称为“形成在另一层、区域或部件之上”时，其可以被直接或间接地形成在其他层、区域或部件之上。也就是说，例如，可以存在中间层、区域或部件。为了便于解释，附图中元件的大小可能被放大。换句话说，因为为了便于解释附图中部件的大小和厚度是任意示出的，所以其后的实施例并不限于此。另外，在第一元件被描述为“联接”或“连接”至第二元件时，第一元件可以直接联接或连接至第二元件；或者第一元件可以间接联接或连接至第二元件，其中一个或多个中间元件插入第一元件和第二元件之间。
[0032]在下面的示例中，X轴、y轴和z轴并不限于直角坐标系中的三个轴，而是可以以更广泛的意义来解释。例如，X轴、y轴和Z轴可以互相垂直，或者可以表示互相不垂直的不同方向。
[0033]图1是根据本发明实施例的有机发光显示设备的一部分的示意性剖视图。
[0034]根据本发明实施例的有机发光显示设备包括基板110，其包括显示区DA和外围区PA，外围区PA是显示区DA外部的非显示区。基板110可以由各种适合的材料中的任何任意材料形成，诸如玻璃材料、金属或塑料材料。多个薄膜晶体管TFTl被布置在基板110的显示区DA，电联接(例如，连接)至多个薄膜晶体管TFTl的有机发光器件(200，参见图10)可以被布置在显示区DA中。有机发光器件200至多个薄膜晶体管TFTl的电联接或连接可以被理解为多个像素电极210至多个薄膜晶体管TFTl的电联接或连接。如果需要的话，薄膜晶体管TFT2可以被布置在基板110的外围区PA。薄膜晶体管TFT2可以是对施加到显示区DA中的电信号进行控制的电路单元的一部分。
[0035]薄膜晶体管TFTl或薄膜晶体管TFT2可以包括:半导体层130、栅电极150和源电极/漏电极170，半导体层130包括非晶硅、多晶硅或有机半导体材料。由氧化硅或氮化硅形成、用于平坦化基板110的顶面和/或用于减少或防止杂质渗入半导体层130中的缓冲层120位于基板110上。半导体层130可以位于缓冲层120上。
[0036]栅电极150位于半导体层130上，在半导体层130处，源电极/漏电极170根据施加至栅电极150的信号而互相电通信。考虑到相对于邻近层的粘合性、其上堆叠有栅电极150的表面的表面平整度以及可加工性，栅电极150可以被形成为单层或多层，包含从例如铝(Al)、钼(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(