低温多晶硅的制造方法及装置、多晶硅的利记博彩app
【技术领域】
[0001] 本发明设及多晶娃生产领域，特别是设及一种低温多晶娃的制造方法及装置、多 晶娃。
【背景技术】
[0002] 与非晶娃薄膜晶体管（a-SiTFT)相比，低温多晶娃薄膜晶体管（LTPSTFT)技术 具备诸多优点，如迁移率很高，可达lO-lOOcmVVs左右，同时可W在低温条件下制备（低于 600°C)，基底选择灵活，是目前唯一和柔性显示技术相兼容的主动层制备技术。但是此技术 目前采用的是线状激光束扫描，利用扫描过程中相邻扫描线上的温度差来生产多晶娃。该 种方法虽然可W产生较均匀的多晶娃薄膜，但是扫描速度慢，限制了大面积显示器的制备， 同时生产效率较低，增加了生产成本。
【发明内容】
[0003](一）要解决的技术问题
[0004] 本发明的目的是提供一种提高生产效率，降低生产成本，生产出大面积显示器的 低温多晶娃的制造方法，进一步地提供一种多晶娃及低温多晶娃的制造装置。
[000引（二）技术方案
[0006] 为了解决上述技术问题，本发明提供一种低温多晶娃的制造方法，包括W下步 骤：
[0007] S1，在基板上制作出非晶娃层；
[000引 S2,使用激光器发出长条状激光透过具有由交替排列的全透光条纹和部分透光条 纹组成的曝光图形的掩膜版扫描非晶娃层，在非晶娃层形成交替排列的低温烙融区和高温 烙融区；
[0009] S3，低温烙融区向高温烙融区重结晶。
[0010] 优选的，在扫描过程中，长条状激光与全透光条纹相垂直。
[0011] 其中，所述步骤S1包括：
[0012] S11，在基板的上表面形成缓冲层；
[0013]S12,在缓冲层上形成非晶娃层；
[0014]S13,对缓冲层和非晶娃层进行去氨退火处理。
[0015] 其中，所述步骤S11具体包括；在基板的表面上依次形成氮化娃层和氧化娃层。
[0016] 其中，所述氮化娃层和氧化娃层的总厚度为2000贫-3000义；所述非晶娃层的厚 度为 300A-1000A。
[0017] 其中，所述步骤S11和步骤S12中均采用为等离子体增强化学气相沉积法形成缓 冲层和非晶娃层。
[0018] 其中，所述步骤S13中所述的去氨退火处理的具体步骤为在380°C-420°c条件下 进行140-160分钟的去氨退火。
[0019] 其中，所述步骤S2包括：
[0020]S21，在需要重结晶的非晶娃层的上方平行设置所述掩膜版；
[0021]S22,使用激光器发出长条状激光从所述掩膜版的上方透过掩膜版垂直扫描非晶 娃层，在非晶娃层形成低温烙融区和高温烙融区。
[002引其中，所述激光的波长308皿、脉宽10-5化S。
[0023] 其中，所述部分透光条纹的激光通透率为50% -65%。
[0024] -种多晶娃，由上述所述的低温多晶娃的制造方法制成。
[0025] 本发明还提供一种低温多晶娃的制造装置，包括：
[0026] 基台，具有一个承载平台，用于承载基板；
[0027] 支架，所述支架设于所述基台上，设有可在控制指令驱动下移动的移动机构；
[002引激光器，其设于所述移动机构，且在所述移动机构的驱动下移动；所述激光器包括 激光源、光转换装置和激光头，所述光转换装置的输入端与所述激光源连接，其输出端与所 述激光头连接，用于对所述激光源产生的激光进行转换并由所述激光头射出长条状激光， 所述激光头位于所述承载平台的上方，且其出射面与所述承载平台相平行；W及
[0029] 掩膜版架，设于所述承载平台的上方，用于放置掩膜版。。
[0030] 其中，所述激光源为氯化氣激光源。
[0031] (S)有益效果
[0032] 本发明提供的低温多晶娃的制造方法及装置，采用掩膜版和激光器产生长条状激 光扫描非晶娃层，非晶娃层将被完全烙化，但是由于掩膜版的作用，高温烙融区和低温烙融 区的非晶娃具有温度差异，当激光脉冲结束后，低温烙融区的非晶娃首先结晶，继而向高温 烙融区生长，该样就可W形成大小可控的、均匀的多晶娃层，本方法可W极大地提高生产效 率，使得扫描时间从秒级提高到纳秒级，降低生产成本，而且可W生产出大面积显示器的低 温多晶娃。
【附图说明】
[0033] 图1为本发明低温多晶娃的制造方法实施例的示意图；
[0034] 图2为本发明低温多晶娃的制造方法实施例的掩膜版；
[0035] 图3为本发明低温多晶娃的制造装置实施例的结构图。
[0036] 图中，1;基板；2;缓冲层；21;氮化娃层；22;氧化娃层；3;非晶娃层；31 ;低温烙 融区；32 ;高温烙融区；4;掩膜版；41 ;部分透光条纹；42 ;全透光条纹；5 ;激光器；51 ;激光 源；52 ;光转换装置；53 ;激光头；6 ;机架；7 ;基台；71 ;承载平台巧；掩膜版架；9 ;移动机 构。
【具体实施方式】
[0037] 下面结合附图和实施例，对本发明的【具体实施方式】作进一步详细描述。W下实例 用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[003引参照图1所示，本发明的低温多晶娃的制造方法，包括W下步骤：
[0039] S1，在基板1上制作出非晶娃层3。具体的，步骤S1包括；
[0040] Sll，在基板1的上表面形成缓冲层2。缓冲层2包括氮化娃（Si化）层21和氧化 娃（SiOx)层22,氮化娃层21和氧化娃层22的总厚度为2000A-3000A。本实施例中，提 供一个基板1，基板1为玻璃板或者印制电路板。先在基板1的表面上使用等离子体增强化 学气相沉积法形成氮化娃层21，氮化娃层21的厚度优选为loooA、1200A:和1500A, 在氮化娃层21的上表面使用等离子体增强化学气相沉积法形成氧化娃层22,氧化娃层22 的厚度优选为lOOOA、1200A:和1500A。
[0041] S12,在缓冲层2上形成非晶娃层3。具体的，在氧化娃层22上使用等离子 体增强化学气相沉积法形成非晶娃层3,非晶娃层3的厚度为300A-1000貧，优选 300A、500A、700A巧 1000A。
[0042]S13,对缓冲层2和非晶娃层3进行去氨退火处理。具体的，去氨退火处理的具体 步骤为在380°C-420°C条件下进行140-160分钟的去氨退火。本实施例优选在400°C条件 下退火150分钟，也可W在380°C条件下退火160分钟或者在420°C条件下退火140分钟。
[0043] S2,使用激光器发出长条状激光通过具有由交替排列的部分透光条纹41和全透 光条纹42组成的曝光图形的掩膜版4扫描非晶娃层3,在非晶娃层3形成交替排列的低温 烙融区31和高温烙融区32。具体的，步骤S2包括：
[0044]S21，在需要重结晶的非晶娃层3的上方平行设置掩膜版4。掩膜版4的整体为由 透明材料制成透明薄板，并在透明薄板上形成曝光图形，曝光图形由多条全透光条纹42和 多条部分透光条纹41交替排布面成，本实施例中部分透光条纹41为如图2所示的间隔排 列的多条灰色半透明的条纹，部分透光条纹41采用染色剂在透明的薄板上涂布形成，部分 透光条纹41之外的区域形成全透光条纹，本发明可W通过改变掩膜版的部分透光条纹41 来控制晶粒大小和排列方式。优选的部分透光条纹41的激光通透率为50% -65%，即能够 通过50% -65 %照射在其上的激光。
[0045]S22,使用激光器5发出长条状激光从掩膜版4的上方透