粘合层之间的脱模剂。可以在粘合层中或在粘合层上提供电迹线的图案。
[0042]脱模剂可以是在室温下是固体的，且具有附着性以与背胶层粘合。膜124可以置于基板和控制器裸芯上(从图13所示的位置翻转)，使得电迹线120被适当放置以便在相应的接触垫和键合垫108、118之间延伸。膜124可以在压力下被加热，此时，脱模剂融化，将粘合层和导电迹线120从背胶层分离。粘合层可以被固化以将电迹线附着在基板102和控制器裸芯114上的合适位置，如图14所示。在申请人共同未决的国际专利申请N0.PCT/CN2011/084137中公开了该膜124的成分和应用的其他细节，该申请整体被引用并于此。
[0043]图15和16中示出了在垫108和118之间通过“无线环”引线键合体形成电迹线120的另一方法。在该实施例中，可以使用引线键合劈刀(未示出)来将球键合体130(其中两个球键合体在图15中被标出)沉积在控制器裸芯114的裸芯键合垫118上。然后，该劈刀可以通过在接触垫108上沉积球132(图16)并将该引线键合从该球132延伸到该球键合体130来形成反向引线键合体。该引线键合体可以被称为“无线环”，因为该引线可以在该球132和该球键合体130之间被拉紧。要理解，在其他实施例中该球键合体130和球132的各自的位置可以交换。还要理解，在其他实施例中，可以使用其他低高度引线键合方法来将接触垫108与裸芯键合垫118电耦合。
[0044]现在返回参考图3的流程图，在步骤209中将控制器裸芯114安装在腔体112中之后，可以在自动检查工艺(步骤210)中和在最终视觉检查(步骤212)中检查和测试基板102，以查验电操作以及污染物、划痕和变色。要理解，自动检查和/或视觉检查也可以作为步骤209中将控制器裸芯114安装在腔体112中的一部分来进行。
[0045]接下来，在步骤214中，可以将无源组件134附着到基板，例如附着在焊接掩膜110层中的开口 136中。一个或多个无源组件134可以包括例如一个或多个电容器、电阻器和/或电感器，尽管还可设想其他组件。示出的无源组件134仅是示例，且在其他实施例中，数量、类型和位置可以改变。
[0046]接下来，在步骤220中，如图17-19所示，可以将一个或多个存储器裸芯150安装到基板102。存储器裸芯150可以例如是NAND闪存裸芯，但在其他实施例中在步骤220中可以将其他类型的裸芯150安装到基板。图17-19示出安装2个裸芯150的实施例，但在其他实施例中可以有更多或更少的存储器裸芯130。根据本技术的各方面，存储器裸芯150可以在存储器裸芯114上方，平躺抵靠焊接掩膜层110的上表面。
[0047]在各实施例中，在每个裸芯150被置于基板102上之后在步骤224中使用引线键合体152将每个裸芯150引线键合到基板102，如图18的侧视图中所示。在其他实施例中，所有裸芯可以置于基板上，且然后，所有裸芯可以被引线键合到基板。
[0048]在安装裸芯堆叠和引线键合之后，在步骤226中且如图19所示，裸芯堆叠、引线键合体和基板的至少一部分可以被包封在模塑化合物160中。模塑化合物160可以包括例如固态环氧树脂、酚醛树脂、熔融石英、结晶石英、碳黑和/或金属羟化物。这种模塑化合物可从例如在日本都有总部的Sumitomo公司和Nitto-Denko公司得到。可设想来自其他制造商的其他模塑化合物。可以根据各种已知工艺来施加模塑化合物，所述工艺包括通过转移模塑或注射模塑技术。在其他实施例中，可以通过FFT(薄自由流动(Flow Free Thin))压缩模塑来进行包封工艺。这种FFT压缩模塑工艺是已知的，且在例如日本、东京的Towa公司的 Matsutani, H.的 2009 年的 Microelectronics and Packaging Conference 杂志的题为“Compress1n Molding Solut1ns For Var1us High End Package And Cost SavingsFor Standard Package Applicat1ns”的公开物中描述，该公开物整体被引用并于此。
[0049]在各实施例中，可以将成品半导体器件110用作球栅阵列(BGA)封装体，其被永久地焊接到主机设备的印刷电路板。对于这种实施例，在图19所示的步骤中，焊料球162可以被焊接到基板102的下表面。在其他实施例中，成品半导体器件100可以是焊盘栅阵列(LGA)封装体，其包括在主机设备内可移除地耦合成品器件100的触指的。在这种实施例中，可以跳过步骤226，且下表面可以包括触指，而不是接收焊料球的接触垫。
[0050]在步骤230中可以从面板上单片化各个封装体，以形成图18所示的成品半导体器件100。通过各种切割方法的任一种来单片化每个半导体器件100，所述切割方法包括锯害J、水流切割、激光切割、水引导激光切割、干介质切割和金刚石涂覆线切割。虽然直线切割将通常限定矩形或正方形的半导体器件100，但是要理解，在本发明的其他实施例中，半导体器件100可以具有与矩形和正方形不同的形状。
[0051]一旦切割为封装体100，可以在步骤232中测试这些封装体，以确定这些封装体是否适当地运作。如在现有技术中已知，这种测试可以包括电测试、写入(burn in)和其他测试。可选地，在步骤234中，在例如半导体器件是LGA封装体的情况下，成品半导体器件可以被包裹在盖帽(未示出)内。
[0052]成品半导体封装体100可以例如是存储卡，诸如例如MMC卡、SD卡、多用途卡、微SD卡、存储棒、紧凑SD卡、ID卡、PCMCIA卡、SSD卡、芯片卡、智能卡、USB卡、MCP类嵌入式卡存储器等。
[0053]总之，在一个例子中，本技术涉及一种半导体器件，包括:基板，包括介电层和在所述介电层上的导电层，所述导电层包括导电图案，所述导电图案包括电迹线和接触垫；在所述导电层上方形成的焊接掩膜层；在所述基板中形成的腔体，其向下到所述腔体的底部处的所述介电层；在所述腔体中安装的第一半导体裸芯，其在所述介电层上电隔离，所述第一半导体裸芯包括裸芯键合垫；在所述基板的接触垫和所述第一半导体裸芯的裸芯键合垫之间形成的电迹线，以将所述第一半导体裸芯电连接到所述基板；以及在所述基板上安装的第二半导体裸芯，至少覆盖所述腔体中的包括所述第一半导体裸芯的一部分。
[0054]在另一个例子中，本技术涉及一种半导体器件，包括:包括接触垫的基板；在所述基板中形成的腔体；在所述腔体中安装的第一半导体裸芯，所述第一半导体裸芯包括裸芯键合垫；在所述基板的接触垫和所述第一半导体裸芯的裸芯键合垫之间形成的印刷电迹线，以将所述第一半导体裸芯电连接到所述基板；以及在所述基板上安装的第二半导体裸芯，至少覆盖所述腔体中的包括所述第一半导体裸芯的一部分。
[0055]在另一个例子中，本技术涉及一种半导体器件，包括:包括接触垫的基板；在所述基板中形成的腔体；在所述腔体中安装的第一半导体裸芯，所述第一半导体裸芯包括裸芯键合垫；电迹线和来自柔性膜的粘合剂，所述电迹线被施加在所述基板的接触垫和所述第一