液晶显示面板、阵列基板及其薄膜晶体管的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显不技术领域，具体而目，涉及一种液晶显不面板、阵列基板及两者的薄膜晶体管的制造方法。
【背景技术】
[0002]薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)与像素电极连接，且其栅电极与液晶显示面板的栅极线(gate lines)连接以在接收到栅极驱动信号时开启，其源电极与液晶显示面板的数据线(gate lines)连接以将接收到的灰阶电压传递至像素电极进行画面显示。当前，业界普遍采用铝金属Al和钼金属Mo制造薄膜晶体管，一般为铝金属层的上方设置钼金属层，并且为降低薄膜晶体管的电阻，设计铝金属层的厚度较大，然而由于铝的熔点较低(660°C )，制程中所需的高温环境使得铝原子之间相互挤压，铝金属层极易因挤压变形而产生凸起(hillock)，所产生的凸起在严重时可以导致薄膜晶体管的栅电极、源电极以及漏电极之间发生短路，从而影响液晶显示面板的画面显示质量。
【发明内容】
[0003]鉴于此，本发明实施例提供一种液晶显示面板、阵列基板及其薄膜晶体管的制造方法，能够抑制铝金属层在高温环境下发生变形产生的凸起，确保液晶显示面板的画面显示质量。
[0004]本发明采用的一个技术方案是提供一种薄膜晶体管的制造方法。所述制造方法包括:提供一基体；在基体上形成第一金属层，第一金属层包括依次层叠的铝金属层、氧化铝层及钼金属层；对第一金属层进行图案化以形成薄膜晶体管的栅电极；在栅电极上依序形成栅绝缘层、半导体层及欧姆接触层；在欧姆接触层上形成第二金属层；对第二金属层进行图案化以形成薄膜晶体管的源电极和漏电极。
[0005]其中，在欧姆接触层上形成第一金属层的步骤包括:采用等离子体轰击铝靶材，以将铝溅射于基体上；通入氧气，使得铝在溅射时发生氧化反应形成氧化铝层；在氧化铝层上形成钼金属层。
[0006]其中，第二金属层包括依次层叠的铝金属层、氧化铝层及钼金属层。
[0007]其中，所述制造方法还包括:在源电极和漏电极上形成钝化层；在钝化层上形成接触孔以暴露源电极或漏电极；在钝化层上形成像素电极，且像素电极通过接触孔与源电极和漏电极中的一个电连接。
[0008]其中，通过干法刻蚀的方式形成接触孔。
[0009]其中，基体包括衬底板材以及形成于衬底板材上的氧化层。
[0010]本发明采用的另一个技术方案是提供一种阵列基板。所述阵列基板包括基体以及形成于基体上的薄膜晶体管阵列及像素电极，薄膜晶体管的栅电极包括依次层叠的铝金属层、氧化铝层及钼金属层，像素电极通过接触孔与薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一个电连接。
[0011]其中，薄膜晶体管的源电极和漏电极也包括依次层叠的铝金属层、氧化铝层以及钼金属层。
[0012]其中，所述薄膜晶体管还包括形成于栅电极上的栅绝缘层、形成于栅绝缘层上的半导体层、形成于半导体层上的欧姆接触层，源电极和漏电极形成于欧姆接触层上。
[0013]本发明采用的又一个技术方案是提供一种液晶显示面板。其阵列基板包括基体以及形成于基体上的薄膜晶体管阵列及像素电极，薄膜晶体管的栅电极包括依次层叠的铝金属层、氧化铝层及钼金属层，像素电极通过接触孔与薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一个电连接。
[0014]本发明实施例的液晶显示面板、阵列基板及其薄膜晶体管的制造方法，通过在制造栅电极的铝金属层和钼金属层中增加氧化铝层，由于氧化铝的熔点和硬度均远高于铝，因此可抑制铝金属层在高温环境下发生变形产生的凸起，从而避免薄膜晶体管的栅电极与源电极、漏电极之间发生短路，进而确保画面显示质量。
【附图说明】
[0015]图1是本发明的薄膜晶体管的制造方法一实施例的流程图；
[0016]图2是形成薄膜晶体管的栅电极一实施例的示意图；
[0017]图3是形成薄膜晶体管的源电极和漏电极一实施例的示意图；
[0018]图4是本发明的薄膜晶体管的制造方法另一实施例的流程图。
【具体实施方式】
[0019]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，本发明以下所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是本发明全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明所保护的范围。
[0020]图1是本发明的薄膜晶体管的制造方法一实施例的流程图。如图1所示，所述薄膜晶体管的制造方法包括以下:
[0021]步骤Sll:提供一基体。
[0022]如图2所示，基体11对应用于形成液晶显示面板的阵列基板，所述基体11可为玻璃基体、塑料基体或可挠式基体。
[0023]当然，基体11还可以包括衬底板材及形成于衬底板材上的氧化层。所述氧化层包括氮化硅(SiNx)层、氧化硅(S1x)层以及两者组合，所述氧化层用于防止衬底板材内的杂质在后续工艺中向上扩散而影响之后形成的低温多晶硅薄膜的品质，氮化硅层和氧化硅层可以采用化学气相沉积(Chemical vapor deposit1n，CVD)、等离子化学气相沉积(PlasmaEnhanced Chemical vapor deposit1n,PECVD)形成，还可以采用派射、真空蒸镀或低压化学气相沉积等方法，但不限于此。
[0024]步骤S12:在基体上形成第一金属层，所述第一金属层包括依次层叠的铝金属层、氧化铝层以及钼金属层。
[0025]结合图2所示，在基体11上形成第一金属层12的方式可以为:首先采用等离子体轰击铝靶材，以将铝溅射于基体11 (或者上述氧化层)之上形成铝金属层121 ;然后，在铝溅射将要完成时，通入适量氧气，使得铝在溅射到基板上的同时与氧气发生氧化反应，从而在铝金属层121的表面形成氧化铝层122 ;最后，在氧化铝层122的表面形成钼金属层123。其中，本发明实施例可以采用磁控溅射工艺在基体11 (或者上述氧化层)之上形成铝金属层121及钼金属层123。
[0026]步骤S13:对第一金属层进行图案化以形成薄膜晶体管的栅电极。
[0027]具体可通过对第一金属层12进行刻蚀来形成液晶显示面板的多个栅电极124，其中可利用包含有磷酸、硝酸、醋酸以及去离子水的蚀刻液对第一金属层12进行蚀刻，当然也可以采用干法蚀刻。
[0028]步骤S14:在栅电极上依序形成栅绝缘层、半导体层及欧姆接触层。
[0029]步骤S15:在欧姆接触层上形成第二金属层。
[0030]步骤S16:对第二金属层进行图案化以形成源电极和漏电极。
[0031]在图2所示的栅电极124上形成如图3所示的栅绝缘层125