有机发光显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明的实施方式涉及使用封装基板的有机发光显示装置。
【背景技术】
[0002]随着面向信息的社会的进步，注意正集中于用于实现在各种显示装置当中使用本身发射光的有机发光二极管(OLED)的显示装置的技术。和现有技术的液晶显示装置或等离子体显示装置对比，有机发光二极管(OLED)具有诸如更快速的响应速度、更好的发光效率和亮度、更宽的视角等的各种优点。
[0003]在使用有机发光二极管的显示装置(在下文中，被称为“有机发光显示装置”)的情况下，多个像素按照矩阵配置布置，其中各个像素包括有机发光二极管，并且由扫描信号选择的像素中的亮度根据数据的灰度级来控制。特别地，因为有机发光显示装置本身发射光，所以能够实现高的对比度、超薄、通过数微秒(US)的快速响应速度的动态图像以及宽视角。此外，有机发光显示装置即使在低温度下由低电压稳定地驱动，使得能够便于驱动电路的设计和制造工艺。并且，用于制造有机发光显示装置的方法不需要用于注入现有技术的液晶显示装置的液晶的工艺。此外，在有机发光显示装置的情况下，通过有机材料的沉积来制造显示面板，并且封装被用来保护该有机材料不受湿气和氧的影响。
[0004]图1A是例示了现有技术的有机发光显示装置的截面图。如图1A所示，现有技术的有机发光显示装置包括形成在第一基板10与第二基板20之间的有机发光二极管层30，从而现有技术的有机发光显示装置通过向上或向下发射光来显示图像。
[0005]图1B是例示了图1A所示的现有技术的有机发光显示装置的平面图。如图1B所示，多个电力线被形成为向各个像素(P)施加电力，并且该多个电力线被设置为施加各种类型(即，量)的电力。尽管未示出，但是电力线可以延伸到像素的内部，以便施加各个像素所需的电力。例如，高电位电压线(VLl)可以在第一基板11上延伸到各个像素的边缘，以便施加高电压电压，或者高电位电压线(VL3)可以延伸到各个像素的边缘以便施加特定的电压。如图1C所示，当形成在各个像素中的电路被设计为仅当该电路被施加有各种电力时才驱动有机发光二极管层。该电路包括多个晶体管，该多个晶体管包括晶体管Tl、晶体管T2和晶体管T3。晶体管Tl的漏电极连接至电压供应VDD，并且晶体管Tl的源极连接至有机发光二极管(OLED)的阳极和晶体管T3的源极。晶体管Tl的栅极连接至晶体管T2的漏极。晶体管T2的源极连接至Vdata。晶体管T3的漏极连接至基准电压Vref。此外，电容器(Cap)连接在晶体管Tl的栅极与源极之间。
[0006]尽管未不出，但是在形成有机发光材料以在第一基板11上施加低电位电压之后，阴电极层可以被形成为完全覆盖各个像素的上侧，或者可以与第一基板11的侧面处的侧电压线(VL2)接触。
[0007]施加到有机发光显示装置的高电位电压、低电位电压或特定电压必须在没有偏差的情况下被恒定地维持，并且被发送至多个像素。然而，根据大型基板的最近趋势，电压未被恒定地维持，使得在像素的部分区域中发生偏差，即，发生电压降(IR Drop)。
[0008]电压降可能引起有机发光显示装置的面板的显示特性方面的非均匀性。在严重的情况下，使用具有较差的显示特性的有机发光显示装置的产品可能被抛弃。
【发明内容】
[0009]因此，本公开的实施方式致力于一种基本上消除了由于现有技术的局限和缺点而导致的一个或更多个问题的有机发光显示装置。
[0010]本公开的实施方式的方面是提供一种能够防止电压降的有机发光显示装置。
[0011]本公开的实施方式的另一方面是提供一种能够通过在需要不同类型的电力的有机发光显示装置的第二基板上形成多个金属层来防止电压降的有机发光显示装置。
[0012]本公开的实施方式的另一方面是提供一种能够通过形成在第二基板上的金属层与形成在第一基板上的电力线之间的电接触来防止电压降的有机发光显示装置。
[0013]本公开的实施方式的另外的方面是提供一种能够通过在第二基板而不是所述第一基板上形成信号传输线或电力传输线来使第一基板上的非显示区域的尺寸最小化的有机发光显示装置。
[0014]本公开的实施方式的附加优点和特征将部分地在接下来的描述中阐述，并且对于研宄了以下部分的本领域普通技术人员而言将部分地变得显而易见，或者可以从本发明的实施方式的实践中学习。本发明的实施方式的目的和其它优点可以通过在撰写的说明书及其权利要求书以及附图中所特别地指出的结构来实现和达到。
[0015]为了实现这些和其它优点并且根据本公开的实施方式的目的，如本文具体实现和广义描述的，提供了一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置可以包括:第一基板；至少一个像素，该至少一个像素形成在所述第一基板上；第一电力线，该第一电力线形成在所述第一基板上，该第一电力线向所述像素供应第一电压；第二电力线，该第二电力线形成在所述第一基板上，该第二电力线向所述像素供应第二电压，该第二电压不同于所述第一电压；以及第二基板，该第二基板形成在所述第一基板上方，该第二基板包括第一金属层、第二金属层和形成在该第一金属层与该第二金属层之间的绝缘层，该绝缘层使所述第一金属层和所述第二金属层彼此绝缘，其中，所述第一金属层与所述第一电力线电连接，并且所述第二金属层电连接至所述第二电力线。
[0016]这时，第一金属层通过第一导电介质电连接至所述第一电力线，并且所述第二金属层通过第二导电介质电连接至所述第二电力线。
[0017]并且，所述第一导电介质的尺寸不同于所述第二导电介质的尺寸。
[0018]并且，所述第二金属层与所述第一基板之间的距离大于所述第一金属层与所述第一基板之间的距离，并且其中，所述第二金属层的沿着第一方向的长度比所述第一金属层的沿着第一方向的长度长。
[0019]并且，所述第一金属层或所述第二金属层中的至少一个的一部分包括朝向所述第一基板突出的金属突起，或者所述第一电力线或所述第二电力线中的至少一个的一部分包括分别朝向所述第一金属层或所述第二金属层突出的突起。
[0020]此外，所述第一金属层或所述第二金属层的金属突起和所述第一电力线或第二电力线的突起分别直接接触，以将所述第一金属层和所述第一电力线电连接在一起或者将所述第二金属层和所述第二电力线电连接在一起。
[0021]并且，所述第一金属层或所述第二金属层的金属突起分别与所述第一电力线或所述第二电力线直接接触，以分别将所述第一金属层和所述第一电力线电连接在一起或者将所述第二金属层和所述第二电力线电连接在一起。
[0022]并且，所述第一金属层包括通过去除所述第一金属层的预定部分形成的至少一个开口区域，并且所述第二金属层通过所述至少一个开口区域与所述第一基板的所述第二电力线电连接。
[0023]所述开口区域从有机发光显示装置的平面图来看是不可见的。
[0024]并且，所述第一金属层的沿着第一方向的长度比所述第二金属层的沿着第一方向的长度长。
[0025]并且，所述第一金属层与所述第一基板的所述第一电力线之间的接触区域形成在所述第一金属层的长度的方向上。
[0026]并且，有机发光显示装置还包括形成在所述第一基板与所述第二基板之间的密封层，该密封层覆盖所述第一导电介质和所述第二导电介质。
[0027]在一个实施方式中，一种有机发光显示装置包括:第一基板；至少一个像素，该至少一个像素形成在所述第一基板上；电力线，该电力线形成在所述第一基板上，该电力线向所述像素供应电压；以及第二基板，该第二基板形成在所述第一基板上方，该第二基板包括形成在所述第二基板上的金属层和电力传输线，该电力传输线连接至所述金属层；其中，包括在所述第二基板中的所述金属层连接至包括在所述第一基板中的所述电力线，以将所述电力传输线和所述电力线电连接在一起。
[0028]应当理解，本发明的以上总体描述和以下详细描述这二者是示例性的和说明性的，并且旨在提供对要求保护的本发明的实施方式的进一步说明。
【附图说明】
[0029]附图被包括以提供对本发明的实施方式的进一步理解，并且被并入本申请并构成本申请的一部分，附图例示了本发明的实施方式，并且与本说明书一起用来说明本发明的实施方式的原理。附图中:
[0030]图1A是例示了现有技术的有机发光显示装置的截面图；
[0031]图1B是例示了现有技术的有机发光显示装置的平面图；
[0032]图1C是现有技术的有机发光显示装置中的像素的电路图；
[0033]图2A例示了根据一个实施方式的有机发光显示装置；
[0034]图2B例示了根据另一实施方式的具有侧密封的有机发光显示装置；
[0035]图2C是根据另一实施方式的有机发光显示装置的截面图，并且图2D是根据另一实施方式的有机发光显示装置的截面图。
[0036]图3A至图3C例示了根据一个实施方式的有机发光显示装置的导电介质的各个部分;
[0037]图4例示了根据一个实施方式的有机发光显示装置中的前密封；
[0038]图5A是例示了根据另一实施方式的有机发光显示装置的截面图；并且图5B是例示了根据另一实施方式的有机发光显示装置的截面图；
[0039]图6A是例示了根据另一实施方式的有机发光显示装置的平面图；
[0040]图6B是沿着根据一个实施方式的图6A的B-B’的截面图；
[0041]图7A是例示了根据另一实施方式的有机发光显示装置的平面图，并且图7B是例示