发光二极管的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种发光装置，特别是涉及一种发光二极管。
【背景技术】
[0002]紫外光依据波长不同大致分成UVA、UVB、UVC，及UVD。而紫外光发光二极管(以下简称UV LED因为波长的关系，人眼无法直视，因此无法直接用在一般照明市场，而是应用在一些特殊的市场，例如验钞机、UV胶体的黏着固化、生化检测、高密度光储存、无线传输等用途；然而，UV LED虽然无法做为直接照明的光源，但是却可与荧光粉进行混光而开发照明用的白光LED，故UV LED可以说是具有高发展潜力与商业利益的产品。
[0003]参阅图1，图1是现有的UV LED结构，具有一个用于磊晶的磊晶基板11，一层形成于该嘉晶基板11其中一表面的发光层12、一个形成于该发光层12部分表面的底电极13,及一个形成于该发光层12顶面，与该发光层12呈欧姆接触的透明导电层14与顶电极15，当利用该底、顶电极13、15配合提供电能至该发光层12时，该发光层12可在接收电能后对外发出UV波长的光。其中，该磊晶基板11多是蓝宝石，该发光层12则是具有AlGaN/GaN量子阱的多膜层结构，而为了减少该透明导电层14对出光面的遮覆，因此，该透明导电层14一般会选自具有低接触电阻与高穿透率的透明导电材料所构成。
[0004]由前述的结构可知:UV LED与现有的蓝光LED结构极为类似，也因此，UV LED与蓝光LED都面临了磊晶技术、散热，以及电流分布不均等相同的问题。特别是在电流分布不均的问题上，电流扩散能力差，相对的就会降低LED的发光效率与亮度。而由于UV LED比蓝光LED的发光波长更短，因此，此问题的难度与造成发光效率减低的程度在UV LED就更为严重。
[0005]为了解决UV LED电流扩散不均的问题，有业者将应用在蓝光二极管的电流扩散层应用在UV LED，预期可利用该电流扩散层令该顶电极15的电流可均匀分布至该发光层12。然而，现有常用于蓝光二极管的透明导电材料，例如ITO或ΑΖ0，因为会吸收波长小于350nm的光，因此并无法做为波长小于350nm的UV LED电流扩散层的材料；而不会吸收波长小于350nm的透明导电材料，例如，Ga203: Zn (ZGO)，却又因为功函数小于ρ_Α1ΙηΝ(常用于波长小于350nm的UV LED发光层材料)，与发光层12间并无法形成良好的欧姆接触，因此，并无法如预期般有效的提升UV-LED的电流分布均匀性。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于提供一种电流扩散能力佳，可用以提升发光效率的发光二极管。
[0007]本发明的发光二极管包含:
[0008]—个嘉晶基材、一层发光层、一层电子穿隧层、一层电流扩散层，及一个电极单兀。
[0009]该发光层形成于该磊晶基材表面，选自铝铟氮或是铝铟镓氮系列的发光材料，于接收电能时可发出波长小于400nm的光。
[0010]该电子穿隧层形成于该发光层远离该磊晶基材的表面，厚度不大于20nm，且是由AlxIn1^xN,0<χ<1,系半导体材料构成。
[0011]该电流扩散层形成于该电子穿隧层表面，并与该电子穿隧层彼此为欧姆接触，该电流扩散层选自ZGO (Ga2O3: Zn)。
[0012]该电极单元用以配合提供电能至该发光层。
[0013]本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
[0014]较佳地，所述的发光二极管，其中，该发光层具有自该磊晶基材表面依序形成的一第一型半导体膜、多重量子阱膜，及一第二型半导体膜，该电极单元具有一顶电极及一底电极，该顶电极形成于该电流扩散层表面，该底电极形成于该第一型半导体膜表面。
[0015]较佳地，所述的发光二极管，其中，该第一型半导体膜选自AlyInzGa1^N系半导体材料，0〈y〈l，0 ^ z〈l，且 0〈y+z 刍 I。
[0016]较佳地，所述的发光二极管，其中，该多重量子阱膜选自AlyInzGa^N系半导体材料，0〈y〈l、0 ^ z〈l，且 0〈y+z 刍 I。
[0017]较佳地，所述的发光二极管，其中，该第二型半导体膜选自AlyInzGa1^N系半导体材料，且 0〈y〈l、0 ^ z〈l，且 0〈y+z ^ I。
[0018]较佳地，所述的发光二极管，其中，该电极单元具有一顶电极及一底电极，该顶电极形成于该电流扩散层表面，该底电极形成于该磊晶基板底面，该发光层具有自该磊晶基板表面依序形成的一第一型半导体膜、多重量子阱膜，及一第二型半导体膜。
[0019]较佳地，所述的发光二极管，其中，该第一型半导体膜选自AlyInzGa1^N系半导体材料，0〈y〈l，0 ^ z〈l，且 0〈y+z 刍 I。
[0020]较佳地，所述的发光二极管，其中，该多重量子阱膜选自AlyInzGa^N系半导体材料，0〈y〈l，0 ^ z〈l，且 0〈y+z 刍 I。
[0021]较佳地，所述的发光二极管，其中，该第二型半导体膜选自AlyInzGa1^N系半导体材料，0〈y〈l，0 ^ z〈l，且 0〈y+z 刍 I。
[0022]本发明的有益的效果在于:利用在该发光层与该电流扩散层之间设置一层由AlxIrvxN, 0〈χ〈1为材料构成,且厚度不大于20nm的电子穿隧层,令电子可通过穿隧效应，自该电流扩散层传递至该电子穿隧层，使得自该电流扩散层的电流可经由该电子穿隧层均匀且有效率的注入至该发光层，而可提升该发光二极管的发光效率。
【附图说明】
[0023]图1 一示意图，说明现有的UV LED结构；
[0024]图2是一示意图，说明本发明较佳实施例的水平导通式UV LED结构；
[0025]图3是一示意图，说明本发明较佳实施例呈垂直导通式UV LED结构；
[0026]图4是一穿透度量测图，说明ZGO的穿透度量测结果；
[0027]图5是一输出功率量测图，说明该较佳实施例之UV-LED的输出功率量测结果。
【具体实施方式】
[0028]下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明。
[0029]参阅图2,图2为本发明发光二极管之一较佳实施例,该较佳实施例为紫外光发光二极管(以下简称UV LED)，且是以一般所称之水平导通式发光二极管为例做说明。
[0030]该UV LED具有一个嘉晶基材21、一层发光层22、一层电子穿隧层23、一层电流扩散层24,及一个电极单兀25。
[0031]该磊晶基材21用以供后续形成之该发光层22磊晶成长，具有一供磊晶成长的表面211及反向于该表面211的底面212，可选自蓝宝石、硅、氮化镓，及碳化硅等为构成材料；而为了不让该磊晶基材21吸收自该发光层22发出之短波长的光，并增加与该发光层22之间的晶格匹配性，较佳地，该磊晶基材21选自蓝宝石或氮化铝为构成材料。
[0032]该发光层22形成于该磊晶基材21的表面211，选自铝铟氮(AlInN)或铝铟镓氮(AlInGaN)系列的发光材料,于接收电能时可发出波长小于400nm的光。详细的说,该发光层22具有自该嘉晶基材21表面211依序形成的一第一型半导体膜221、一形成于该第一型半导体膜221的部份表面的多重量子阱膜222，及一第二型半导体膜223，其中，该第一、二型半导体膜221、223指的是经离子掺杂后电性相反的半导体材料，亦即，当该第一型为P型掺杂，则该第二型则为η型掺杂；当该第一型为η型掺杂，则该第二型则为P型掺杂。于本较佳实施例中，该