一种实现局部互连的结构及方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体器件结构及其制造技术领域，尤其涉及一种利用控制栅实现局部互连的结构及方法。
【背景技术】
[0002]现代的电子电路是由一个个分离的器件通过特定的电学通路连接起来的，因此在集成电路制造中必须能够把半导体器件隔离开来，这些器件随后还要能够互连以形成所需要的特定的电路结构。目前半导体器件之间的互连线一般为金属等，随着集成电路的发展，集成电路的规模越来越大，也就是说越来越多的器件需要进行互连，因此在集成电路的制造中需要越来越多的层次来实现互连，这样就会使集成电路的面积越来越大。
[0003]因此如何找到一种实现局部互连的结构及方法，以减小各部分连接所用到的层次，进而减小电路的面积成为本领域技术人员致力于研宄的方向。
【发明内容】
[0004]针对上述存在的问题，本发明公开了一种实现局部互连的结构，包括:
[0005]衬底，具有浅沟槽隔离结构和有源区；
[0006]隔离层，位于所述浅沟槽隔离结构的上表面，且不与所述有源区形成接触；
[0007]控制栅，位于所述隔离层的上表面，且通过所述隔离层与所述浅沟槽隔离结构相互隔离；
[0008]连接线，与所述控制栅电连接以将所述控制栅引出，进而实现局部互连。
[0009]上述的实现局部互连的结构，其中，所述连接线嵌入设置于所述控制栅上部或位于所述控制栅的两侧。
[0010]上述的实现局部互连的结构，其中，所述结构还包括:
[0011 ] 互连层，与所述连接线电连接以将所述控制栅引出，进而实现局部互连。
[0012]上述的实现局部互连的结构，其中，所述互连层为金属或多晶硅栅。
[0013]上述的实现局部互连的结构，其中，所述隔离层为硅的氧化物-硅的氮化物-硅的氧化物构成的三明治结构。
[0014]本发明还公开了一种实现局部互连的方法，其中，包括如下步骤:
[0015]提供一具有浅沟槽隔离结构和有源区的衬底；
[0016]于所述浅沟槽隔离结构的上方形成隔离层后，制备一控制栅覆盖所述隔离层的上表面；
[0017]继续形成与所述控制栅电连接的连接线，通过所述连接线将所述控制栅引出以实现局部互连。
[0018]上述的实现局部互连的方法，其中，形成与所述控制栅电连接的连接线，具体为:
[0019]采用CMOS接触孔工艺，部分刻蚀所述控制栅形成接触孔；
[0020]于所述接触孔中填充导电材料形成所述连接线。
[0021]上述的实现局部互连的方法，其中，形成与所述控制栅电连接的连接线，具体为:
[0022]采用CMOS接触孔工艺，于所述控制栅两侧分别形成所述连接线。
[0023]上述的实现局部互连的方法，其中，所述方法还包括:
[0024]形成与所述控制栅电连接的所述连接线后，继续形成与所述连接线电连接的互连层O
[0025]上述的实现局部互连的方法，其中，所述隔离层为硅的氧化物-硅的氮化物-硅的氧化物构成的三明治结构。
[0026]本发明公开的一种实现局部互连的结构及方法，通过将Flash结构中控制栅设置在浅沟道隔离结构的上方，利用该Flash结构中的控制栅做器件之间的局部互连，通过这些局部的互连线可以减小器件所用的层次，从而减小器件的面积，且不会造成器件串扰。
[0027]具体
【附图说明】
[0028]通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明及其特征、夕卜形和优点将会变得更加明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未可以按照比例绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。
[0029]图1是常用1-T Flash的基本单元结构示意图；
[0030]图2是常用Flash的基本单元结构示意图；
[0031]图3是本发明实施例中实现局部互连的Flash的基本单元结构示意图；
[0032]图4是本发明一实施例中利用控制栅实现局部互连的结构示意图；
[0033]图5是本发明另一实施例中利用控制栅实现局部互连的结构示意图；
[0034]图6是本发明实施例中6管SRAM的电路图；
[0035]图7是用金属进行互连的6管SRAM的版图；
[0036]图8是用控制栅进行互连的6管SRAM的版图；
[0037]其中，I是衬底；2是控制栅；3是浮栅；4是氧化层；5是逻辑栅；6是浅沟槽隔离结构；7是隔离层；8(10)是连接线；9是互连层；11是金属互连线；12为第一金属；13为第二金属；14为栅极；15为有源区；16为控制栅互连线。
【具体实施方式】
[0038]下面结合附图和具体的实施例对本发明作进一步的说明，但是不作为本发明的限定。
[0039]如图1所示，位于氧化层4上方的浮栅3由于浅沟道隔离结构6的限制不能移动，而在目前的Flash制作工艺中，控制栅2与外围逻辑电路的栅极为同一层次。美国SST公司提出的新型的Flash结构如图2所示，控制栅2、浮栅3和逻辑栅5分别为不同的多晶硅层次，而且控制栅2的制作工艺要在逻辑栅5的制作工艺之前，在这种结构中控制栅2不能被单独存在于存储阵列外。
[0040]基于上述图1和图2中Flash结构，本发明公开了一种实现局部互连的结构及方法，利用Flash结构中的控制栅作为局部的互连，从而可以让控制栅独立的存在于电路中，用于局部的互连，当控制栅做局部互连线时，不能在有源区的上方，因为控制栅如果在有源区的上方，而且控制栅和有源区距离太近的话，控制栅和有源区就会形成MOS管，这样控制栅不仅起不到局部互连的作用，还会破坏原来的电路结构，因此这里将控制栅作为局部互连线时，控制栅的位置要位于浅沟道隔离层的上面。
[0041]如图3-5所示，本实施例涉及一种实现局部互连的结构，该结构可基于Flash结构，具体的，该结构包括:具有浅沟槽隔离结构6和有源区的衬底1，以及位于浅沟槽隔离结构6上表面的隔离层7，且该隔离层7不与有源区形成接触；以及位于隔离层上表面的控制栅2，该控制栅2通过隔离层7与浅沟槽隔离结构6相互隔离；该结构还包括连接线8 (对应图5中的连接线10)，连接线8(10)与控制栅2电连接以将控制栅2引出，进而实现局部互连。
[0042]在本发明一个优选的实施例中，连接线8嵌入设置于控制栅2上部，且连接线8的上表面与控制栅2的上表面齐平，如图4所示的结构。
[0043]在本发明一个优选的实施例中，连接线10位于控制栅2的两侧，且与控制栅2的两侧均形成接触，如图5所示的结构。
[0044]在本发明一个优选的实施例中，上述实现局部互连的结构还包括:与连接线8(10)电连接以将控制栅2引出，进而实现局部互连的互连层9 (该互连层9未于图5中示出)，如图4所示的结构。
[0045]在此基础上，进一步的，上述互连层9为金属或多晶娃栅。
[0046]在本发明一个优选的实施例中，控制栅2的材质为多晶硅。
[0047]在本发明一个优选的实施例中，隔离层7为硅的氧化物-硅的氮化物-硅的氧化物构成的ONO三明治结构。
[0048]此外，如图3-5所示，本实施例还公开了一种实现局部互连的方法，具体包括如下步骤:
[0049]步骤SI，提供一具有浅沟槽隔离结构6和有源区的衬底1，利用浅沟槽隔离结构6来将有源区进行隔离。形成该具有浅