背接触式太阳能电池的利记博彩app
【技术领域】
[0001] 本发明关于一种背接触式太阳能电池，尤其是一种利用氧化铅作为背纯化层的背 接触式太阳能电池。
【背景技术】
[0002] 在现有的娃晶太阳能电池中，由于背接触式太阳能电池是将电极设置于太阳能电 池的背面，W相对的增加太阳能电池正面受光的面积，进而有效的提升太阳能电池的光电 转换效率。
[0003] 请参阅图1，图1为现有技术的背接触式太阳能电池的剖面示意图。如图所示，一 种背接触式太阳能电池PA100包含一太阳能电池本体PA1W及多个电极层PA2。而太阳能 电池本体PA1还包含一基材层PA11、一前表面电场层PA12、一前纯化层PA13、一抗反射层 PA14、一半导体惨杂层PA15W及多个背纯化层PA16。其中，基材层PA11具有相对设置的一 第一表面PA111与一第二表面PA112 ;前表面电场层PA12设置于第二表面PA112上；而前 纯化层PA13设置于前表面电场层PA12上；抗反射层PA14则设置于前纯化层PA13上；半导 体惨杂层PA15设置于第一表面PA111上，且半导体惨杂层PA15具有多个第一型半导体惨 杂区PA151与多个与第一型半导体惨杂区PA151交错排列的第二型半导体惨杂区PA152 ; 然后，多个背纯化层PA16间隔地设置于半导体惨杂层PA15上，且背纯化层PA16分别接触 第一型半导体惨杂区PA151与第二型半导体惨杂区PA152其中相邻的二个上。
[0004] 多个电极层PA2分别设置于背纯化层PA16之间，并各自接触露出于背纯化层PA16 间的半导体惨杂层PA15。
[0005] 然而，在现有的背接触式太阳能电池PA100中，背纯化层PA16主要是由二氧化娃 Si化、氮化娃SiN、氮氧化娃SiON所组成，且前纯化层PA13也同样是由二氧化娃Si化、氮化 娃SiN、氮氧化娃SiON所组成。
[0006] 如上所述，由于W娃晶为主的太阳能电池大都是利用娃片作为基板再进行其他制 程，因此，只要对娃片加热而使表面氧化，即可在娃片的表面形成二氧化娃的前纯化层，而 二氧化娃可W有效的阻止载子在表面处的复合，提高少数载子的生命周期。
【发明内容】
[0007] 如上所述，虽然在现有技术中，背接触式太阳能电池可W利用二氧化娃、氮化娃来 作为背纯化层，但为了使背纯化层可W提供更佳的纯化效果，本案发明人还利用氧化铅来 作为背接触式太阳能电池的背纯化层，W提供更佳的纯化效果，有效的增加少数载子的生 命周期，进而使背接触式太阳能电池所能输出的电流相对的增加。
[0008] 本发明为解决现有技术的问题所采用的技术方案是提供一种背接触式太阳能电 池，包含一太阳能电池本体W及多个电极层。太阳能电池本体包含一基材层、一前表面电场 (frontsurfacefield,FSF〇 层、一半导体惨杂层、一背纯化层（rearsidepassivation layer)。
[0009] 基材层具有相对设置的一第一表面与一第二表面；前表面电场层设置于第二表面 上；半导体惨杂层设置于第一表面上，且半导体惨杂层具有多个第一型半导体惨杂区W及 多个与第一型半导体惨杂区交错排列的第二型半导体惨杂区；背纯化层设置于半导体惨杂 层上，并开设有多个接触槽，第一型半导体惨杂区与第二型半导体惨杂区分别自接触槽露 出，且背纯化层包含一第一背纯化层W及一第二背纯化层，第一背纯化层设置于半导体惨 杂层上，且第一背纯化层的组成包含氧化铅，第二背纯化层设置于第一背纯化层上；多个电 极层分别设置于接触槽内，并电连接于半导体惨杂层。
[0010] 如上所述，本发明所提供的背接触式太阳能电池通过氧化铅所形成的背纯化层产 生负电场来降低电子巧lectron)与空穴（electronhole)在表面复合的速率，W有效的提 高背接触式太阳能电池的光电转换效率。
[0011] 根据上述技术方案，本发明的另一种实施方式是所述氧化铅包含A1203或 [Al04r。较佳者，氧化铅具有lXl0i2cnT2至ixi0i4cnT2之间的固定电荷。
[0012] 根据上述技术方案，本发明的另一种实施方式是基材层为一n型半导体基材层。
[0013] 根据上述技术方案，本发明的另一种实施方式是第二背纯化层选自氮化娃或氧化 娃。
[0014] 根据上述技术方案，本发明的另一种实施方式是第一型半导体惨杂区所惨杂的一 第一型半导体为一n型半导体，第二型半导体惨杂区所惨杂的一第二型半导体为一P型半 导体。
[0015] 根据上述技术方案，本发明的另一种实施方式是所述第一背纯化层的厚度介于 1~40ym之间。
[0016] 根据上述技术方案，本发明的另一种实施方式是所述第二背纯化层的厚度介于 20~120ym之间。
[0017] 根据上述技术方案，本发明的另一种实施方式是所述背接触式太阳能电池还包含 一前纯化层，设置于所述前表面电场层上，且所述前纯化层的组成包含氧化铅。
[0018] 根据上述技术方案，本发明的另一种实施方式是所述背接触式太阳能电池还包含 一前抗反射层，设置于所述前纯化层上，且所述前抗反射层的组成包含氮化娃。
[0019] 根据上述技术方案，本发明的另一种实施方式是所述前纯化层的厚度介于1~ 40ym之间。
[0020] 根据上述技术方案，本发明的另一种实施方式是所述前抗反射层的厚度介于 20~120ym之间。
[0021] 本发明所采用的具体实施例，将通过W下的实施例及附图作进一步的说明。
【附图说明】
[0022] 图1为现有技术的背接触式太阳能电池的剖面示意图。
[0023] 图2显示本发明较佳实施例所提供的太阳能电池本体的剖面示意图。
[0024] 图3显示本发明较佳实施例所提供的背接触式太阳能电池的剖面示意图。
[00巧]图4显示本发明另一实施例所提供的背接触式太阳能电池的剖面示意图。
[0026] 其中，附图标记说明如下：
[0027]【符号说明】
[002引 PAIOO背接触式太阳能电池
[0029] PA1 太阳能电池本体
[0030] PA2 电极层
[00；31] PA11 基材层
[0032] PA111 第一表面
[003引 PA112 第二表面
[0034] PA12 前表面电场层
[00对 PA13 前纯化层
[003引 PA14 抗反射层
[0037] PA15 半导体惨杂层
[0038] PA151 第一型半导体惨杂区
[0039] PA152 第二型半导体惨杂区
[0040] PA16 背纯化层
[0041] 100、100' 背接触式太阳能电池
[0042]i、r 太阳能电池本体
[0043] 11、11' 基材层
[0044] 111、111' 第一表面
[0045] 112、112' 第二表面
[0046] 12、12' 前表面电场层
[0047] 13 前纯化层
[004引 14 前抗反射层
[0049]15、15' 半导体惨杂层
[0050] 151、151' 第一型半导体惨杂区
[0051]152、152' 第二型半导体惨杂区
[005引 16、16， 背纯化层
[0053] 161、161' 接触槽
[0054] 162、162' 第一背纯化层
[00巧]163、163，第二背纯化层
[0056] 2、2' 电极层
【具体实施方式】
[0057] 请同时参阅图2及图3,图2显示本发明较佳实施例所提供的