br>[0129]根据本发明的各种实施例，用于处理载体的方法可以包括:在载体100的上表面102s处形成开口结构610 ;执行退火工艺，从而使得从开口结构610形成在载体100内横向延伸的中空腔室104，其中第一区域102a被设置在中空腔室104之上，经由中空腔室104而与载体100竖直分隔；形成包括至少一个沟槽106t的、环绕第一区域102a的沟槽结构106，其中至少一个沟槽106t可以从载体100的上表面102s竖直延伸到中空腔室104，从而将第一区域102a与载体100横向分隔，其中沟槽结构106可进一步包括支撑结构108，支撑结构将第一区域102a横向连接至载体100，从而使得第一区域102a被支撑结构108承载。另外，支撑结构可以包括将第一区域102a与载体100电隔离的电绝缘氧化物。
[0130]根据本发明的各种实施例，载体100可以包括:中空腔室104，与载体的表面102s间隔开来；沟槽结构106，从载体的表面延伸至中空腔室并且横向环绕载体的第一区域102a，沟槽结构包括从载体的表面延伸至中心腔室的一个或多个沟槽106t、以及横穿该一个或多个沟槽并且将载体的第一区域与载体在沟槽结构外部的第二区域102b连接的一个或多个支撑结构108，其中该一个或多个支撑结构包括电绝缘材料。
[0131]根据本发明的各种实施例，电绝缘材料可以包括氧化物。换句话说，支撑结构108可以由电绝缘氧化物组成，或者可以包括电绝缘氧化物，例如氧化硅。
[0132]根据本发明的各种实施例，该一个或多个支撑结构可能在载体的第一区域与载体的第二区域之间横向延伸。
[0133]根据本发明的各种实施例，载体可以是半导体载体。根据本发明的各种实施例，载体可以是娃晶片。
[0134]根据本发明的各种实施例，载体可以包括硅，并且该一个或多个支撑结构可以包括氧化硅。根据本发明的各种实施例，该一个或多个支撑结构在可以包括载体材料的氧化物。
[0135]根据本发明的各种实施例，载体的第一区域可以经由一个或多个沟槽、一个或多个支撑结构、以及中空腔室，与载体的其余部分电隔离。根据本发明的各种实施例，载体的第一区域经由该一个或多个沟槽以及中空腔室来与载体的其余部分空间分隔，并且载体的第一区域可以经由该一个或多个支撑结构连接到载体。
[0136]根据本发明的各种实施例，中空腔室可以不含固体材料。根据本发明的各种实施例，中空腔室可以部分地不含固体材料，例如部分地填充有填充材料。
[0137]根据本发明的各种实施例，该一个或多个沟槽可以不含固体材料。根据本发明的各种实施例，该一个或多个沟槽可以部分地不含固体材料，例如部分地填充有填充材料。
[0138]根据本发明的各种实施例，该一个或多个沟槽以及中空腔室可以在载体100的第一区域102a与载体100的其余部分(例如，第二区域102a和第三区域102c)之间提供间隙。
[0139]根据本发明的各种实施例，载体可进一步包括在载体的第一区域之上和之中中的至少一处的第一电子电路。根据本发明的各种实施例，载体可进一步包括被布置在载体的第一区域之上和之中中的至少一处的第一电子部件。
[0140]根据本发明的各种实施例，载体可以进一步包括在载体在沟槽结构外部的第二区域之上和之中中的至少一处的第二电子电路。根据本发明的各种实施例，载体可进一步包括被布置在载体在沟槽结构外部(例如横向上在沟槽结构外部)的第二区域之上和之中中的至少一处的第二电子部件。
[0141]根据本发明的各种实施例，载体的表面可以限定横向方向(平行于载体的表面(主要处理表面))。
[0142]根据本发明的各种实施例，用于处理载体的方法可以包括:在载体内形成与载体的表面间隔开来的中空腔室；形成从载体的表面延伸至中空腔室并且横向环绕载体的第一区域的沟槽结构，所述沟槽结构包括从载体的表面延伸至中空腔室的一个或多个沟槽、以及横穿该一个或多个沟槽并且将载体的第一区域与载体在沟槽结构外部的第二区域连接的一个或多个支撑结构，其中该一个或多个支撑结构包括电绝缘材料或者由该电绝缘材料组成。
[0143]根据本发明的各种实施例，在载体内形成中空腔室可以包括:在载体中形成开口结构，开口结构包括一个或多个开口，该一个或多个开口中的每一个从载体的表面延伸；以及执行退火工艺，从而使得在载体中从开口结构形成中空腔室。
[0144]根据本发明的各种实施例，在载体内形成中空腔室可以包括:在载体中形成至少一个多孔区域；以及执行退火工艺，从而使得在载体中从多孔区域形成中空腔室。
[0145]根据本发明的各种实施例，在载体内形成中空腔室可以包括:形成从载体的表面延伸到中空腔室的一个或多个沟槽，其中在该一个或多个沟槽之间余留了载体材料；以及至少部分地氧化沟槽结构内的余留载体材料，以形成一个或多个支撑结构。
[0146]根据本发明的各种实施例，用于处理载体的方法可以包括:在载体中形成开口结构，开口结构包括一个或多个开口，该一个或多个开口中的每一个从载体的表面延伸；执行退火工艺，以从开口结构在载体中形成与载体的表面间隔开来的中空腔室；形成从载体的表面延伸至中空腔室并且横向环绕载体的第一区域的沟槽结构，沟槽结构包括从载体的表面延伸至中空腔室的一个或多个沟槽、以及横穿该一个或多个沟槽并且将载体的第一区域与载体在沟槽结构外部的第二区域连接的一个或多个支撑结构。
[0147]根据本发明的各种实施例，形成沟槽结构可以包括:形成从载体的表面延伸至中空腔室的一个或多个沟槽，其中在该一个或多个沟槽之间余留了载体材料，从而设置横穿该一个或多个沟槽的一个或多个支撑结构。
[0148]根据本发明的各种实施例，处理载体的该方法可进一步包括:部分氧化该一个或多个支撑结构。
[0149]根据本发明的各种实施例，处理载体的该方法可进一步包括:完全地氧化该一个或多个支撑结构。
[0150]根据本发明的各种实施例，处理载体的该方法可进一步包括:在载体的第一区域之上和之中中的至少一处形成第一电子电路。根据本发明的各种实施例，处理载体的该方法可进一步包括:在载体的第一区域之上和之中中的至少一处形成第一电子部件。
[0151]根据本发明的各种实施例，处理载体的该方法可进一步包括:从载体分离或者去除第一区域。根据本发明的各种实施例，分离操作可以包括挑选(pick)第一区域、使支撑结构裂开(crack)、以及在空间上从载体去除第一区域。
[0152]根据本发明的各种实施例，用于处理载体的该方法可进一步包括:在空间上从载体分离和/或移去盖帽区域(cap reg1n)，例如执行所谓的Pick, Crack&Place?工艺。
[0153]根据本发明的各种实施例，用于处理载体的该方法可进一步包括:在空间上从载体移去盖帽区域，例如执行所谓的Pick, Crack&Place?工艺。
[0154]根据本发明的各种实施例，用于处理载体的该方法可进一步包括:使得盖帽区域与载体脱尚。
[0155]虽然已经参考特定的实施例具体示出并且描述了本发明，但本领域的技术人员应理解，可以在不背离所附权利要求书所限定的本发明的精神和范围的情况下，在本文中做出各种改变、替代以及更改。本发明的范围因此是由随附权利要求书所指示，并且因此旨在涵盖在权利要求书的等同的意义和范围内的所有改变。
【主权项】
1.一种载体，包括: 中空腔室，与所述载体的表面间隔开；以及 沟槽结构，从所述载体的所述表面延伸至所述中空腔室并且横向环绕所述载体的第一区域，所述沟槽结构包括从所述载体的所述表面延伸至所述中空腔室的一个或多个沟槽、以及横穿所述一个或多个沟槽并且将所述载体的所述第一区域与所述载体在所述沟槽结构外部的第二区域连接的一个或多个支撑结构，其中所述一个或多个支撑结构包括电绝缘材料。
2.根据权利要求1所述的载体， 其中所述电绝缘材料包括氧化物。
3.根据权利要求1所述的载体， 其中所述一个或多个支撑结构在所述载体的所述第一区域与所述载体的所述第二区域之间横向延伸。
4.根据权利要求1所述的载体， 其中所述载体是半导体载体。
5.根据权利要求1所述的载体， 其中所述载体包括硅，并且其中所述一个或多个支撑结构包括氧化硅。
6.根据权利要求1所述的载体， 其中所述载体的所述第一区域经由所述一个或多个沟槽、所述一个或多个支撑结构、以及所述中空腔室，与所述载体的其余部分电隔离。
7.根据权利要求1所述的载体， 其中所述中空腔室不含固体材料。
8.根据权利要求1所述的载体， 其中所述一个或多个沟槽不含固体材料。
9.根据权利要求1所述的载体，进一步包括: 第一电子电路，在所述载体的所述第一区域之上和在所述载体的所述第一区域之中中的至少一处。
10.根据权利要求1所述的载体，进一步包括: 第二电子电路，在所述载体在所述沟槽结构外部的所述第二区域之上和在所述载体在所述沟槽结构外部的所述第二区域之中中的至少一处。
11.一种用于处理载体的方法，所述方法包括: 在所述载体内形成与所述载体的表面间隔开的中空腔室；以及 形成从所述载体的所述表面延伸至所述中空腔室并且横向环绕所述载体的第一区域的沟槽结构，所述沟槽结构包括从所述载体的所述表面延伸至所述中空腔室的一个或多个沟槽、以及横穿所述一个或多个沟槽并且将所述载体的所述第一区域与所述载体在所述沟槽结构外部的第二区域连接的一个或多个支撑结构，其中所述一个或多个支撑结构包括电绝缘材料。
12.根据权利要求11所述的方法， 其中在所述载体内形成所述中空腔室包括: 在所述载体中形成开口结构，所述开口结构包括一个或多个开口，所述一个或多个开口中的每一个从所述载体的所述表面延伸；以及 执行退火工艺，使得从所述开口结构在所述载体中形成所述中空腔室。
13.根据权利要求11所述的方法， 其中在所述载体内形成所述中空腔室包括: 在所述载体中形成至少一个多孔区域，以及 执行退火工艺，从而使得从所述多孔区域在所述载体中形成所述中空腔室。
14.根据权利要求10所述的方法， 其中形成所述沟槽结构包括: 形成从所述载体的所述表面延伸至所述中空腔室的一个或多个沟槽，其中在所述一个或多个沟槽之间余留有载体材料，以及 将在所述沟槽结构内余留的所述载体材料至少部分地氧化，以形成所述一个或多个支撑结构。
15.一种用于处理载体的方法，所述方法包括: 在所述载体中形成开口结构，所述开口结构包括一个或多个开口，所述一个或多个开口中的每一个从所述载体的表面延伸； 执行退火工艺，以从所述开口结构在所述载体中形成中空腔室，所述中空腔室与所述载体的所述表面间隔开；以及 形成从所述载体的所述表面延伸至所述中空腔室并且横向环绕所述载体的第一区域的沟槽结构，所述沟槽结构包括从所述载体的所述表面延伸至所述中空腔室的一个或多个沟槽、以及横穿所述一个或多个沟槽并且将所述载体的所述第一区域与所述载体在所述沟槽结构外部的第二区域连接的一个或多个支撑结构。
16.根据权利要求15所述的方法， 其中形成所述沟槽结构包括: 形成从所述载体的所述表面延伸至所述中空腔室的一个或多个沟槽，其中在所述一个或多个沟槽之间余留有载体材料，从而提供横穿所述一个或多个沟槽的所述一个或多个支撑结构。
17.根据权利要求15所述的方法，进一步包括: 将所述一个或多个支撑结构部分地氧化。
18.根据权利要求15所述的方法，进一步包括: 将所述一个或多个支撑结构完全地氧化。
19.根据权利要求15所述的方法，进一步包括: 在所述载体的所述第一区域之上和在所述载体的所述第一区域之中中的至少一处，形成第一电子电路。
20.根据权利要求15所述的方法，进一步包括: 使得所述第一区域脱离所述载体。
【专利摘要】本发明的各个实施例涉及载体和用于加工载体的方法。根据本发明的各种实施例，可以提供一种载体，该载体包括：中空腔室，与载体的表面间隔开来；沟槽结构，从载体的表面延伸至该中空腔室并且横向环绕载体的第一区域，沟槽结构包括从载体的表面延伸至中空腔室的一个或多个沟槽、以及横穿该一个或多个沟槽并且将载体的第一区域与载体在沟槽结构外部的第二区域连接的一个或多个支撑结构，其中该一个或多个支撑结构包括电绝缘材料。
【IPC分类】H01L21-762, H01L21-02
【公开号】CN104701237
【申请号】CN201410741343
【发明人】S·比塞尔特
【申请人】英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2014年12月5日
【公告号】DE102014117969A1, US20150162253