晶圆夹具的利记博彩app

文档序号:8382395阅读:823来源:国知局
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【技术领域】
[0001 ] 本申请是有关于一种夹具,且特别是有关于一种晶圆夹具。
【背景技术】
[0002]在半导体工艺中,离子注入是其中的一道工艺。离子注入主要是将欲掺质元素转变为离子型态(1n Beam)并使其有足够的能量与速度,以注入晶圆的表面或其中特定的位置,使得材料的表面的性能得到改善。
[0003]当进行离子注入时,会将原本位于大气状态下的晶圆移动至高真空状态的腔体中,再透过晶圆夹具将晶圆夹至离子注入区域中的承载盘上,便放开晶圆而回位,其后离子注入机开始对晶圆注入离子。
[0004]然而,晶圆夹具在来回于离子注入区域的过程中,会有部分的离子附着于晶圆夹具的边缘。当晶圆夹具在抓取晶圆时,这些原本附着于晶圆夹具边缘的离子便会转移至晶圆上而造成污染。离子附着于晶圆表面会对于产品后续工艺的影响非常大。举例来说,这些污染物可能会造成元件p-n结的漏电、缩减少数载子的生命期、降低栅极氧化层的崩溃电压、金属导线腐蚀等问题,而导致半导体元件的质量及可靠度降低,甚至造成半导体元件失效。

【发明内容】

[0005]本申请提供一种晶圆夹具,其可降低对晶圆所造成的离子污染。
[0006]本申请提供一种晶圆夹具,包括一第一夹合件及一第二夹合件。第一夹合件包括一第一板体。第二夹合件位于第一夹合件的一侧,且包括一第二板体。第一夹合件与第二夹合件适于相对移动,以夹持或释放一晶圆。当第一夹合件与第二夹合件相互靠拢时,第一夹爪与第二夹爪共同承靠晶圆的侧边,且第一板体与第二板体在晶圆上的垂直投影至少覆盖位于晶圆中央的一实质上为圆形的区域。
[0007]在本申请的一实施例中,上述的第一板体与第二板体所覆盖的区域位于晶圆的一有源面上。
[0008]在本申请的一实施例中,上述的第一板体与第二板体覆盖晶圆的整个有源面。
[0009]在本申请的一实施例中,上述的被覆盖的区域的面积与有源面的面积的比值介于0.75至I之间。
[0010]在本申请的一实施例中,上述的第一板体与第二板体实质上分别呈半圆形。
[0011]本申请更提供一种晶圆夹具,包括一第一夹合件及一第二夹合件。第一夹合件包括一第一板体。第二夹合件位于第一夹合件的一侧,且包括一第二板体。第一夹合件与第二夹合件适于相对移动,以夹持或释放一晶圆。当第一夹合件与第二夹合件相互靠拢时,第一夹爪与第二夹爪共同承靠晶圆的侧边。第一板体与第二板体在晶圆上的垂直投影覆盖晶圆的一区域,且被覆盖的区域的面积与晶圆的一有源面的面积的比值介于0.75至I之间。
[0012]在本申请的一实施例中,上述的第一板体与第二板体所覆盖的区域位于晶圆的有源面上。
[0013]在本申请的一实施例中,上述的第一板体与第二板体分别呈半圆形。
[0014]基于上述,本申请的晶圆夹具采用了大面积的第一板体与第二板体,使得晶圆夹具在夹持晶圆时,第一板体与第二板体能够覆盖晶圆全部或绝大部分的区域。如此,除了可避免悬浮于工作区中的离子沾附到晶圆而造成污染之外,也可降低附着于晶圆夹具边缘的离子转移到晶圆的机率,藉以提高工艺良率。
[0015]为让本申请的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图式作详细说明如下。
【附图说明】
[0016]图1A是依照本申请的一实施例的一种晶圆夹具应用于一离子注入机的示意图。
[0017]图1B是图1A中的晶圆夹具与移动手臂的局部放大示意图。
[0018]图2A是图1的晶圆夹具的示意图。
[0019]图2B是靠拢图2A的第一夹合件与第二夹合件的示意图。
[0020]图3是依照本申请的另一实施例的一种晶圆夹具的示意图。
[0021]【符号说明】
[0022]A:有源面
[0023]C:区域
[0024]Zl:等待区
[0025]Z2:工作区
[0026]1:离子注入机
[0027]2:腔体
[0028]3:阀门
[0029]4:移动手臂
[0030]5:离子供应单元
[0031]6:承载盘
[0032]10:晶圆
[0033]100、200:晶圆夹具
[0034]110、210:第一夹合件
[0035]112、212:第一板体
[0036]112a:第一延伸段
[0037]112b:缺口
[0038]114、214:第一夹爪
[0039]116:第一驱动杆
[0040]120,220:第二夹合件
[0041]122、222:第二板体
[0042]122a:第二延伸段
[0043]124,224:第二夹爪
[0044]126:第二驱动杆
【具体实施方式】
[0045]下文提出将本申请的晶圆夹具应用于离子注入机的实施例来说明相关的技术方案。当然,本技术领域中具有通常知识者在参阅本申请的内容之后,应能理解本申请的晶圆夹具还可适用于其他具有相似的工作环境以及类似需求的工艺设备,例如,化学气相沉积(chemical vapor deposit1n, CVD)设备或一物理气相沉积(physical vapordeposit1n, PVD)设备,以降低晶圆被污染的机率,藉以提高工艺良率。
[0046]图1A是依照本申请的一实施例的一种晶圆夹具应用于一离子注入机的示意图。图1B是图1A的晶圆夹具与移动手臂的局部放大示意图。请先参阅图1A,离子注入机I包括一腔体2、一阀门3、一移动手臂4、一晶圆夹具100、一离子供应单元5及一承载盘6。
[0047]腔体2内基本上维持在真空状态,阀门3可开启或封闭腔体2。晶圆10自阀门3进入腔体2后,先位于一等待区Z1。位于腔体2内的移动手臂4会如图1A所示地将晶圆10横向移动至一工作区Z2。当晶圆10被移动手臂4移动至工作区Z2之后,请同时参阅图1A及图1B,晶圆夹具100会与移动手臂4对位以承接晶圆10,接着,晶圆夹具100往前将晶圆10放置于工作区Z2的承载盘6上。
[0048]离子供应单元5可产生各种离子,其工作原理是将靶材物质游离,使其形成带正电或负电的离子。其后离子在透过电压加速而传送至真空的工作区Z2,以将离子注入位于承载盘6上的晶圆10。
[0049]完成尚子注入程序之后,晶圆夹具100将晶圆10夹尚承载盘6,移动手臂4会再度与晶圆夹具100对位,以将晶圆10自晶圆夹具100转移至移动手臂4。接着,移动手臂4将晶圆10自工作区Z2带回等待区Z1。最后,晶圆10再从阀门3离开腔体2。
[0050]由于工作区Z2中可能悬浮许多未被注入的离子,当夹具100夹合晶圆10时,附着于夹具100中的离子可能会溅附至晶圆10。此外,部分未被注入的离子也可能会在晶圆夹具100在作动的过程中附着于晶圆夹具100,特别是晶圆夹具100的边缘部位。具此,本实施例提出晶圆夹具100,用以有效地降低晶圆夹具100在抓取晶圆10时,附着于晶圆夹具100边缘的离子转移至晶圆10的机率。下文进一步对晶圆夹具100进行介绍。
[0051]图2A是图1的晶圆夹具100的示意图。请参阅图2A,晶圆夹具100包括一第一夹合件110及一第二夹合件120。第一夹合件110包括一第一板体112、连接于第一板体112的至少一第一夹爪114及一第一驱动杆116。第二夹合件120位于第一夹合件110的一侧,且包括一第二板体122、连接于第二板体122的至少一第二夹爪124及一第二驱动杆126。
[0052]在本实施例中,第一板体112与第二板体122实质上分别呈半圆形,且第
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