制造显示装置的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种制造显示装置的方法。
【背景技术】
[0002]当前受欢迎的显示装置包括液晶显示器(IXD)、等离子体显示面板(rop)、有机发光显示器(OLED)、场效应显示器(FED)和电泳显示器(Ero)。
[0003]具体地，OLED装置包括两个电极和设置在两个电极之间的有机发射层。来自一个电极的电子和来自另一个电极的空穴在有机发射层中复合，从而产生释放能量以发射光的激子。
[0004]有机发光二极管显示器具有自发光特性，因而不需要独立的光源，并且与液晶显示器不同，可以减小它的厚度和重量。此外，由于有机发光二极管显示器呈现诸如功耗低、亮度高和响应速度快的高质量特性，因此有机发光二极管显示器作为下一代显示装置正在受到关注。
[0005]通过在基底上顺序地堆叠半导体层、多个绝缘层和多个金属层来形成这样的有机发光显示装置。然后，可以通过蚀刻绝缘层和金属层来形成接触孔以暴露半导体层，半导体层可以通过接触孔与源电极和漏电极接触。
[0006]根据近来对高分辨率显示装置的需求，在有限的空间内要设置大量的像素。结果，接触孔的宽度应当更小。
[0007]然而，在应用蚀刻工艺以形成接触孔时，如果接触孔的宽度比预定的水平大，则一些电极被暴露，从而发生短路或者断开。
[0008]在该【背景技术】部分中公开的以上信息，只是为了增强对本发明的背景的理解，因此，以上信息可能包含不构成本领域普通技术人员已经知晓的现有技术的信息。
【发明内容】
[0009]本发明致力于提供一种制造显示装置的方法，所述方法包括形成其宽度足够小以不暴露电极的精细接触孔。
[0010]示例性实施例提供一种制造显示装置的方法，所述方法包括:设置基底；在基底上形成半导体层；在半导体层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成金属层；在金属层上形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成蚀刻缓冲层；在蚀刻缓冲层上形成感光膜图案；蚀刻蚀刻缓冲层以及第一绝缘层和第二绝缘层以暴露半导体层。
[0011]蚀刻缓冲层可以包含Al或ITO。
[0012]蚀刻缓冲层的厚度可以在大约30nm至大约50nm的范围内。
[0013]蚀刻步骤可以包括:第一蚀刻，蚀刻蚀刻缓冲层以暴露第二绝缘层；以及第二蚀刻，在暴露第二绝缘层之后，蚀刻第一绝缘层和第二绝缘层以暴露半导体层。
[0014]在执行第二蚀刻之前第二绝缘层的被暴露的宽度可以与在执行第二蚀刻之后半导体层的被暴露的宽度相同。
[0015]被暴露的半导体层的宽度可以在大约1.8 μπι至大约2.1 μπι的范围内。
[0016]第一蚀刻可以执行为湿法蚀刻。
[0017]第二蚀刻可以执行为干法蚀刻。
[0018]所述制造方法还可以包括:在蚀刻之后，去除感光膜图案。
[0019]所述制造方法还可以包括:在去除感光膜图案之后，执行退火工艺。
[0020]所述制造方法还可以包括:在退火工艺之后，去除蚀刻缓冲层。
[0021]可以通过利用缓冲氧化物蚀刻剂(BOE)来执行蚀刻缓冲层的去除。
[0022]绝缘层和金属层可以交替地形成为多个层。
[0023]根据本发明的示例性实施例，能够通过形成精细接触孔来防止由电极暴露导致的短路或断开的发生。
【附图说明】
[0024]图1是示出有机发光显示装置的像素的等效电路图。
[0025]图2是示出有机发光显示装置的剖视图。
[0026]图3至图8示出根据示例性实施例的制造显示装置的方法的制造工艺。
[0027]图9Α至图9D示出在根据本示例性实施例的制造工艺中，接触孔的宽度是如何改变的。
[0028]图10是示出在根据本示例性实施例的制造工艺中使用的金属的反射率和波长之间的关系的曲线图。
【具体实施方式】
[0029]在下文中，将参照附图详细描述本发明的示例性实施例，从而本领域技术人员能够容易地实施本发明。如本领域技术人员将认识到的，在所有不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以以各种不同方式修改描述的实施例。相反，提供这里给出的示例性实施例，使公开的内容彻底且完整，并把本发明的精神充分地传达给本领域技术人员。
[0030]在附图中，为清楚起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。另外，当层被描述为形成在另一层或基底上时，这意味着所述层可以形成在所述另一层或基底上，或者第三层可以插置在所述层和所述另一层或基底之间。在整个说明书中，相同的附图标记指示相同的元件。
[0031]图3至图8示出根据示例性实施例的制造显示装置的方法的制造工艺。
[0032]参照图3至图8，根据示例性实施例的显示装置的制造方法能够形成精细接触孔。在下文中，于示例性实施例中将通过将该方法应用于有机发光显示装置来进行描述。然而，本发明不限于此。可选择地，本示例性实施例的制造方法可以应用于例如液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、电场效应显示器(FED)和电泳显示装置(ETO)。
[0033]首先，将参照图1和图2来描述能够应用根据本示例性实施例的制造方法的有机发光显示装置的结构。
[0034]图1是示出有机发光显示装置的像素的等效电路图。图2是示出有机发光显示装置的剖视图。
[0035]参照图1，有机发光显示装置包括多条信号线以及连接到所述多条信号线的像素PXo像素PX可以是红色像素、绿色像素和蓝色像素中的任何一种。
[0036]信号线包括用于传输栅极信号(或扫描信号)的扫描信号线121、用于传输数据信号的数据线171和用于传输驱动电压的驱动电压线172。扫描信号线121基本上沿行方向延伸且基本上彼此平行，数据线171基本上沿列方向延伸且基本上彼此平行。驱动电压线172示出为基本上沿列方向延伸，并且其可以沿行方向或列方向延伸或者形成为网状网格。
[0037]—个像素PX包括薄膜晶体管、存储电容器Cst和有机发光元件LD，薄膜晶体管包括开关晶体管Tl和驱动晶体管T2。尽管图中没有示出，但是像素PX还可以包括薄膜晶体管和电容器，以补偿供应到有机发光元件的电流。
[0038]开关晶体管Tl包括连接至节点NI之控制端、连接至节点N2之输入端和连接至节点N3之输出端，并且节点NI连接到扫描信号线121，节点N2连接到数据线171，节点N3连接到驱动晶体管T2。响应于由扫描信号线121提供的扫描信号，开关晶体管Tl把由数据线171提供的数据信号传输到驱动晶体管T2。
[0039]驱动晶体管T2包括连接至节点N3之控制端、连接至节点N4之输入端和连接至节点N5之输出端，并且节点N3连接到开关晶体管Tl，节点N4连接到驱动电压线172，节点N5连接到有机发光元件LD。驱动晶体管T2输出根据控制端N3和输出端N5之间的电压而能够变化的输出电流Id。
[0040]电容器Cst连接在驱动晶体管T2的控制端N3和输入端N4之间。电容器Cst充入被施加到驱动晶体管T2的控制端N3的数据信号，并且当开关晶体管Tl处于截止状态时保持电荷。
[0041]有机发光元件LD示例性地为有机发光二极管(OLED)，并且包括连接到驱动晶体管T2的输出端N5的阳极和连接到电压ELVSS的阴极。有机发光元件LD通过根据驱动晶体管T2的输出电流Id而发射具有不同强度的光来显示图像。
[0042]有机发光元件LD可以包括用于发射原色(即，红色、绿色和蓝色)中的一种或至少一种的有机材料，有机发光显示装置通过颜色的空间总和来显示期望的图像。
[0043]开关晶体管Tl和驱动晶体管T2是η沟道场效应晶体管(FET)，它们中的至少一个可以是P沟道场效应晶体管。另外，晶体管Tl和Τ2、电容器Cst以及有机发光元件LD之间的连接是可改变的。
[0044]在下文中，将参照在图2中示出的有机发光显示装置的剖视图来描述本示例性实施例的有机发光显示装置。
[0045]参照图2，基底123形成为由玻璃、石英、陶瓷和塑料等制成的绝缘基底。然而，本发明不限于此，基底123还可以形成为由不锈钢等制成的金属基底。
[0046]缓冲层126形成在基底123上。缓冲层126用以防止杂质元素的渗透并使基底123的表面平坦化。
[0047]缓冲层126可以由能够执行上述功能的各种材料形成。作为示例，氮化硅(Si