用于制造半导体器件的方法
【技术领域】
[0001]各种实施例涉及一种用于制造半导体器件的方法。
【背景技术】
[0002]半导体器件可以包括金属层。例如金属层可以用作光器件、诸如例如有机发光器件、例如有机发光二极管(OLED )中的电极、例如阳极。在这该情形中，可能想要生产高质量、例如具有低表面粗糙度的大的平坦金属层。
【发明内容】
[0003]根据各种实施例的用于制造半导体器件的方法可以包括:在工件之上形成金属层结构；在金属层结构之上形成第一层，第一层包括第一材料；在第一层和金属层结构中形成至少一个开口 ；沉积第二层以填充至少一个开口并且至少部分地覆盖第一层的与金属层结构相背的表面，第二层包括与第一材料不同的第二材料；至少从第一层的与金属层结构相背的表面去除第二层；以及去除第一层。
【附图说明】
[0004]在附图中，相同的参考标记一般贯穿不同视图指代相同部分。附图未必按比例，相反重点一般被放在图解本发明的原理上。在下面的描述中，参照下面的附图描述本发明的各种实施例，在附图中:
图1图解根据各种实施例的用于制造半导体器件的方法；
图2图解根据各种实施例的用于制造半导体器件的方法；
图3图解根据各种实施例的用于制造半导体器件的方法；
图4A至4G图解根据各种实施例的用于制造半导体器件的方法。
【具体实施方式】
[0005]下面的详细描述参照随附的附图，随附的附图以图解的方式示出其中可以实践本发明的具体细节和实施例。这些实施例被充分详细地描述以使得本领域技术人员能够实践本发明。可以利用其它实施例并且可以在不脱离本发明的范围的情况下作出结构、逻辑和电改变。各种实施例未必相互排斥，因为一些实施例可以与一个或更多个其它实施例组合以形成新实施例。与各方法有关地描述各种实施例并且与各器件有关地描述各种实施例。然而可以理解与各方法有关地描述的实施例可以相似地应用于器件并且反之亦然。
[0006]在此描述的任何实施例或者设计未必被解释为比其它实施例或者设计优选或者有利。
[0007]术语“至少一个”和“一个或更多个”可以被理解为包括大于或者等于一的任何整数、即一、二、三、四等。
[0008]术语“多个”可以被理解为包括大于或者等于二的任何整数、即二、三、四、五等。
[0009]在此用来描述“在”侧、表面或者另一特征(例如另一层)“之上”形成特征、例如层的词语“在……之上”可以用来意味着特征、例如层可以被形成为“直接地在”意指的侧、表面或者其它特征(例如其它层)“上”、例如与意指的侧、表面或者其它特征(例如其它层)直接接触。在此用来描述“在”侧、表面或者另一特征(例如另一层)“之上”形成特征、例如层的词语“在……之上”可以用来意味着在一个或更多个附加层被布置在意指的侧、表面或者其它特征(例如其它层)与所形成的层之间的情况下，特征、例如层可以被形成为“间接地在”意指的侧、表面或者其它特征(例如其它层)“上”。
[0010]可以参照被描述的(多个)图的定向来使用方向术语、诸如例如“上”、“下”、“顶部”、“底部”、“左手”、“右手”等。由于(各)图的部件可以以多种不同定向来定位，所以方向术语被用于图解的目的而绝非进行限制，要理解可以在不脱离本发明的范围的情况下作出结构或者逻辑的改变。
[0011]在一个或更多个实施例中，可以借助沉积处理，例如在半导体处理技术中应用的任何适合的沉积处理，例如包括化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、无电镀制、电镀、旋转涂覆和喷射涂覆等形成在此描述的各层。像这样的沉积处理在本领域中是众所周知的并且在此将不进行详细描述。
[0012]根据在此描述的各种实施例，牺牲或者蚀刻停止层(例如碳层)可以被用来保护金属层结构(例如金属层或者金属层堆叠，例如金属层堆叠的顶部衬垫)免受侵蚀处理(诸如例如CMP (化学机械抛光))或等离子体蚀刻处理(被用于去除在用例如电介质材料填充开口或者间隙期间创建的任何拓扑)的影响。因此，金属层结构的表面可以保持未被损伤，以使得例如可以保留金属层结构的初始光学条件(例如低的表面粗糙度和/或高反射率)。
[0013]图1图解根据各种实施例的用于制造半导体器件的方法100。
[0014]方法100包括:在工件之上形成金属层结构(在102中)；在金属层结构之上形成第一层，第一层包括第一材料(在104中)；在第一层和金属层结构中形成至少一个开口(在106中);沉积第二层以填充至少一个开口并且至少部分地覆盖第一层的与金属层结构相背的表面，第二层包括与第一材料不同的第二材料(在108中);至少从第一层的与金属层结构相背的表面去除第二层(在110中)；以及去除第一层(在112中)。
[0015]在一个或更多个实施例中，第一层的与金属层结构相背的表面可以是第一层的上表面。
[0016]在一个或更多个实施例中，第一层可以由第一材料构成。
[0017]在一个或更多个实施例中，第一材料可以包括或者可以是碳。
[0018]在一个或更多个实施例中，第一层可以是碳层。
[0019]在一个或更多个实施例中，形成碳层可以包括化学气相沉积(CVD)处理，例如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理或者可以通过该处理来实现。也可以使用其它沉积技术或者处理，诸如例如物理气相沉积(PVD)或者旋转涂覆处理。在一个或更多个实施例中，沉积温度可以小于或者等于约450°C。
[0020]在一个或更多个实施例中，碳层可以是包含碳层(a_C:H层)的非晶氢(amorphoushydrogen)ο换言之，在碳层中的碳可以在a_C:H配置中存在。a_C:H层可以具有各向同性膜性质，各向同性膜性质对于用作蚀刻硬掩模和/或用作CMP停止层而言可能是有益的。根据其它实施例，在碳层中的碳可以以其它配置中存在。[0021 ] 在一个或更多个实施例中，第一材料可以包括或者可以是电介质材料。
[0022]在一个或更多个实施例中，第一材料可以包括或者可以是氮化物材料，例如氮化硅材料，例如SixNy，例如Si3N4。
[0023]在一个或更多个实施例中，第二层可以由第二材料构成。
[0024]在一个或更多个实施例中，第二材料可以包括或者可以是可以相对于第一材料被有选择地蚀刻的材料。
[0025]在一个或更多个实施例中，在第二材料与第一材料之间的蚀刻速率比(换言之在第二材料的蚀刻速率r2与第一材料的蚀刻速率rl之间的比r2:rl)可以大于或者等于5，例如大于或者等于10。
[0026]在一个或更多个实施例中，第二材料可以包括或者可以是电介质材料。
[0027]在一个或更多个实施例中，第二材料可以包括或者可以是氧化物材料，例如氧化硅材料，例如SixOy、例如Si02。
[0028]在一个或更多个实施例中，沉积第二层可以包括沉积原硅酸四乙酯(TEOS)层或者可以借助沉积TEOS层来实现。在其它实施例中，沉积第二层可以包括其它适合的沉积处理或者可以借助其它适合的沉积处理来实现。
[0029]在一个或更多个实施例中，第一层可以被配置为或者可以用作牺牲层。
[0030]在一个或更多个实施例中，第一层可以被配置为或者可以用作蚀刻停止层。
[0031 ] 在一个或更多个实施例中，第二层可以被配置为或者可以用作填充层。
[0032]在一个或更多个实施例中，至少从第一层的与金属层结构相背的表面去除第二层可以包括应用化学机械抛光(CMP)处理或者可以通过应用CMP处理来实现。
[0033]在一个或更多个实施例中，第一层可以被配置为或者可以用作用于CMP处理的停止层。
[0034]在一个或更多个实施例中，至少从第一层的与金属层结构相背的表面去除第二层可以包括应用蚀刻处理，例如在没有机械抛光成分的情况下的蚀刻处理，或者可以通过应用蚀刻处理，例如在没有机械抛光成分的情况下的蚀刻处理来实现。
[0035]在一个或更多个实施例中，蚀刻处理可以是等离子体蚀刻处理。
[0036]在一个或更多个实施例中，第一层可以被配置为或者可以用作用于蚀刻处理的蚀刻停止层。
[0037]在一个或更多个实施例中，去除第一层可以包括应用灰化处理或者可以通过应用灰化处理来实现。
[0038]在一个或更多个实施例中，去除第一层可以包括应用蚀刻处理或者可以通过应用蚀刻处理来实现。
[0039]在一个或更多个实施例中，蚀刻处理可以是湿法蚀刻处理。
[0040]在一个或更多个实施例中，第一材料可以包括或者可以是碳，并且去除第一层可以包括应用灰化处理或者可以通过应用灰化处理来实现。
[0041 ] 在一个或更多个实施例中，第一材料可以包括或者可以是电介质材料(例如氮化物材料)，并且去除第一层可以包括应用蚀刻处理或者可以通过应用蚀刻处理来实现。
[0042]在一个或更多个实施例中，形成至少一个开口可以包括应用照相平版印刷图案化处理。
[0043]在一个或更多个实施例中，照相平版印刷图案化处理可以包括在第一层之上形成至少一个掩模层并且图案化至少一个掩模层以形成被图案化的掩模。
[0044]在一个或更多个实施例中，至少一个掩模层可以包括光致抗蚀剂层。
[0045]在一个或更多个实施例中，至少一个掩模层可以包括硬掩模层。
[0046]在一个或更多个实施例中，硬掩模层