固体电解电容器的制造方法以及固体电解电容器的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及固体电解电容器的制造方法W及固体电解电容器。
【背景技术】
[000引 W主，作为适于小型化的电容器，已知有固体电解电容器，具有包含导电性高分子 的固体电解质层的固体电解电容器被广泛使用。在固体电解电容器中，研讨了将离子液体 添加到固体电解质中从而使电介质覆膜的修复性能提升的方案（例如专利文献1~4)。在 此，所谓离子液体，是指在常温环境下溶融W保持液体状态的盐，具有不挥发性或高离子传 导性等的特性。
[0003] 在先技术文献
[0004] 专利文献
[0005] 专利文献1 ;日本国际公开第2005/012599号
[0006] 专利文献2 ;日本特开2006-24708号公报
[0007] 专利文献3 ;日本特开2008-16835号公报 [000引专利文献4 ;日本特开2008-283136号公报
【发明内容】
[0009] 发明要解决的课题
[0010] 但是，却存在难从隐离子液体有效地取入到固体电解质等中的情况。因而，存在尽 管将离子液体添加到固体电解质中，电介质覆膜的修复性能也难W提升的情况。
[0011] 本发明正是鉴于上述问题点而提出的，其目的在于提供电介质覆膜的修复性能优 异且电气特性优异的固体电解电容器的制造方法，其他目的在于提供该种固体电解电容 器。
[0012] 用于解决课题的手段
[0013] 本发明的固体电解电容器的第1制造方法是固体电解电容器的制造方法，所述固 体电解电容器具备包括形成有电介质覆膜的阳极体和被形成在阳极体上的固体电解质层 在内的电容器元件，所述固体电解电容器的制造方法包括；在阳极体形成电介质覆膜的工 序；形成固体电解质层的工序；使离子性化合物升温并使其烙解的工序；使烙解的离子性 化合物浸渗到阳极体的工序；和在浸渗离子性化合物之后将离子性化合物冷却并使其凝固 的工序。
[0014] 本发明的固体电解电容器的第2制造方法是固体电解电容器的制造方法，所述固 体电解电容器具备包括形成有电介质覆膜的阳极体和被形成在阳极体上的固体电解质层 在内的电容器元件，所述固体电解电容器的制造方法包括；在阳极体形成电介质覆膜的工 序；使包含导电性高分子或导电性高分子的前体的液状组成物单体、氧化剂、烙点为30°c W上的离子性化合物浸渗到形成有电介质覆膜的阳极体，来形成包含所述导电性高分子的 固体电解质层的工序，使离子性化合物烙解来进行离子性化合物向形成有电介质覆膜的阳 极体的浸渗。
[001引发明的效果
[0016] 在本发明所设及的固体电解电容器的制造方法中，能够提供电介质覆膜的修复性 能优异且电气特性优异的固体电解电容器。
【附图说明】
[0017] 图1是表示本发明的一实施方式所设及的固体电解电容器的构成的剖视图。
[001引图2是表示图1所示的固体电解电容器的制造方法的一例的流程图。
[0019] 图3是表示本发明的另一实施方式所设及的固体电解电容器的构成的剖视图。
[0020] 图4是表示图3所示的固体电解电容器的制造方法的一例的流程图。
[0021] 图5是表示图3所示的固体电解电容器的制造方法的另一例的流程图。
[0022] 图6是表示图1所示的固体电解电容器的制造方法的一例的流程图。
[0023] 图7是表示图3所示的固体电解电容器的制造方法的一例的流程图。
【具体实施方式】
[0024] W下，使用附图来说明本发明所设及的固体电解电容器及其制造方法。另外，在本 发明的附图中，相同的参照符号表征相同部分或相应部分。此外，长度、宽度、厚度、深度等 的尺寸关系为了附图的明了化和简略化被适当变更，并非表征实际的尺寸关系。
[002引 << 第1实施方式〉〉
[0026] [固体电解电容器的构成]
[0027] 图1是表示本发明的第1实施方式所设及的固体电解电容器的构成的剖视图。本 实施方式所设及的固体电解电容器具备；阳极体11 ;阳极引线12,被植入到阳极体11的一 端部；电介质覆膜13,被形成在阳极体11的表面；第1固体电解质层14,被形成在电介质覆 膜13上；第2固体电解质层21，被形成在第1固体电解质层14上；碳层15,被形成在第2 固体电解质层21上；和银涂料层16,被形成在碳层15上。由阳极体11、阳极引线12、电介 质覆膜13、第1固体电解质层14、第2固体电解质层21、碳层15和银涂料层16构成了电容 器元件10。由碳层15和银涂料层16构成了阴极引出层。在第1固体电解质层14中包含 后述的离子性化合物。
[002引阳极引线12连接着阳极端子17。银涂料层16经由包含导电性粘接剂的粘接层 18而连接着阴极端子19。按照阳极端子17的一部分W及阴极端子19的一部分露出的方 式由外装树脂20来密封电容器元件10。阳极端子17 W及阴极端子19各自之中从外装树 脂20露出的部分，按照沿着外装树脂20的表面的方式被折弯。
[0029] [固体电解电容器的制造方法]
[0030] 图2是表示本实施方式所设及的固体电解电容器的制造方法的流程图。
[0031] (阳极体的形成）
[0032] 首先，在图2的步骤S11中，形成阳极体11。例如，准备金属粉末，在将椿状体的 阳极引线12的长边方向的一端侧埋入到金属粉末中的状态下，将该粉末成型为所期望的 形状。其次，对该成型体进行烧结，来形成埋设有阳极引线12-端的多孔质构造的阳极体 11。
[003引阳极体11的材料并不特别限定，但从容易形成电介质覆膜13的观点出发，优选使 用粗、魄、铁或侣等的阀作用金属。阳极引线12的材料也并不特别限定，但从与阳极体11 相同的观点出发，优选使用阀作用金属。
[0034] (电介质覆膜的形成）
[0035] 其次，在图2的步骤S12中，在阳极体11的表面形成电介质覆膜13。电介质覆膜 13的形成方法并不特别限定。例如，在阳极体11包含阀作用金属的情况下，通过对阳极体 11进行化学转化处理（anodizing treatment)，从而能够在阳极体11的表面形成电介质覆 膜13。作为化学转化处理，例如既可W使阳极体11浸溃（immersed)到磯酸水溶液或硝酸 水溶液等的化学转化液中进行热处理，也可W将阳极体11浸溃到化学转化液中来施加电 压。由此，能够使阳极体11的表面变为电介质覆膜13。例如，在阳极体11包含粗（Ta)的 情况下，将形成包含Ta2〇e的电介质覆膜13,在阳极体11包含侣（A1)的情况下，将形成包 含AI2O3的电介质覆膜13。
[0036] (第1固体电解质层的形成）
[0037] 其次，在图2的步骤S13中，在电介质覆膜13上形成第1固体电解质层14。第1 固体电解质层14的形成方法并不特别限定。优选通过化学聚合法来形成第1固体电解质 层14。作为化学聚合法，能够采用利用氧化剂使构成第1固体电解质层14的高分子的前体 单体发生氧化聚合的液相聚合法或气相聚合法等。另外，也可W通过反复进行化学聚合，由 此来加厚第1固体电解质层14的厚度。此外，也可W通过在电介质覆膜13上涂覆分散有 包含导电性高分子的粒子而成的分散体，由此来形成第1固体电解质层14。
[003引作为前体单体，能够采用通过进行聚合由此来形成包含脂肪族系化合物、芳香族 系化合物、杂环系化合物W及含有杂原子化合物之中的至少一个在内的导电性高分子的化 合物。更具体而言，作为前体单体，能够采用通过进行聚合由此来形成聚唾吩或其衍生物、 聚化咯或其衍生物、聚苯胺或其衍生物、或者聚快喃或其衍生物等的导电性高分子的化合 物。作为前体单体的一例，能够采用3,4-己締二氧唾吩或化咯等。
[0039] 氧化剂只要能够使前体单体发生聚合即可。例如，作为氧化剂，能够采用硫酸W及 过氧化氨等的至少一个。
[0040] 第1固体电解质层14也可W包含渗杂剂。作为渗杂剂，例如能够列举烷基横酸、 芳香族横酸W及多环芳香族横酸等的横酸化合物的酸或盐。此外，也能够采用具有氧化剂 的功能和渗杂剂的功能的芳香族横酸金属盐等。
[0041] (离子性化合物的烙解）
[0042] 其次，在图2的步骤S14中，使离子性化合物烙解。离子性化合物的烙解方法并不 特别限定，但优选利用加热器等热源使离子性化合物的温度升温至其离子性化合物的烙点 社。
[0043] 离子性化合物在该离子性化合物刚被浸渗到阳极体11之后立即进行的液 体的浸渗工序（W下记为"刚浸渗离子性化合物之后的液体的浸渗工序（step of impregnation)")中不被烙解。换言之，离子性化合物的烙点比刚浸渗离子性化合物之后 的液体的浸渗工序中的温度高。由此，在刚浸渗离子性化合物之后的液体的浸渗工序中，由 于能够防止离子性化合物的烙解，因此能够防止离子性化合物从形成有第1固体电解质层 14的阳极体11流出。另外，在本实施方式中，因为刚浸渗离子性化合物之后的液体的浸渗 工序为第2固体电解质层21的形成工序（图2的步骤S17)，所W离子性化合物的烙点比第 2固体电解质层21的形成温度（电解聚合液的浸渗工序中的该电解聚合液的温度）高。
[0044] 离子性化合物也可W在刚浸渗离子性化合物之后的液体的浸渗工序后所进行的 工序中被烙解，优选在后述的老化工序（图2的步骤S20)中被烙解。换言之，离子性化合 物的烙点也可W为刚浸渗离子性化合物之后的液体的浸渗工序后所进行的工序中的温度 W下，优选为老化工序中的处理温度W下。由此，在老化工序（aging step)等中，离子性化 合物发生烙解，电介质覆膜13的缺陷被修复。
[0045] 当在常温下进行第2固体电解质层21的